[發(fā)明專利]金屬基板和使用該金屬基板的沉積掩膜

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580080724.4
• 申請(qǐng)日: 2015-08-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107709601B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-12-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盧健鎬;曹守鉉;黃周炫;金南昊;李相范;林正龍;韓太勛;文炳律;樸宰奭;孫曉源
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/04
• 分類號(hào): C23C14/04;H01L51/56
• 代理公司: 11227 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 王艷江;董敏

1.一種金屬基板，包括：

具有厚度的基部金屬板，

其中，所述基部金屬板包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面垂直于所述厚度的方向并且彼此相對(duì)，

其中，從所述基部金屬板的特定點(diǎn)處提取尺寸為寬度30mm×長(zhǎng)度180mm的樣品基板并且對(duì)所述樣品基板的除了從所述樣品基板的兩個(gè)端部向內(nèi)10mm以外的內(nèi)部執(zhí)行蝕刻工藝，使得形成厚度對(duì)應(yīng)于所述樣品基板厚度的2/3至1/2的蝕刻區(qū)域，

其中，所述樣品基板的扭曲指數(shù)(Hr)在所述樣品基板安裝在水平的目標(biāo)表面上時(shí)滿足以下關(guān)系并且其中，所述扭曲指數(shù)(Hr)的值在0.2到7的范圍內(nèi)，

[公式1]

Hr＝{(H1-Ha)²+(H2-Ha)²+(H3-Ha)²+(H4-Ha)²}^1/2

[公式2]

Ha＝(H1+H2+H3+H4)/4

其中，Ha是指從所述水平的目標(biāo)表面到所述樣品基板的四個(gè)角的距離H1、H2、H3以及H4的平均值，并且

所述H1、H2、H3以及H4中的至少一者具有不同的值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬基板，其中，將從所述基部金屬板的特定點(diǎn)處以寬度30mm×長(zhǎng)度180mm尺寸提取的非蝕刻的樣品基板安裝在所述水平的目標(biāo)表面上，

其中，所述非蝕刻的樣品基板是單位基板(T1)，并且，

其中，通過(guò)公式1和公式2提取的用于所述單位基板的四個(gè)角的扭曲指數(shù)Hr(T1)等于或小于從所述基部金屬板提取的并受到蝕刻的所述樣品基板的扭曲指數(shù)Hr(T2)(Hr(T1)≤Hr(T2))。

3.一種沉積掩膜，包括：

具有厚度的金屬板，其中，所述金屬板包括垂直于所述厚度的方向并且彼此相對(duì)的第一表面和第二表面；以及

多個(gè)單位孔，所述單位孔具有第一表面孔和第二表面孔，所述第一表面孔和所述第二表面孔形成為分別穿過(guò)所述第一表面和所述第二表面以彼此連接，

其中，從所述金屬板的特定點(diǎn)處提取尺寸為寬度30mm×長(zhǎng)度180mm的樣品基板，并且對(duì)所述樣品基板的除了從所述樣品基板的兩個(gè)端部向內(nèi)10mm之外的內(nèi)部執(zhí)行蝕刻工藝，使得形成厚度對(duì)應(yīng)于所述樣品基板厚度的2/3至1/2的蝕刻區(qū)域，

其中，所述樣品基板的扭曲指數(shù)(Hr)在所述樣品基板安裝在水平的目標(biāo)表面上時(shí)滿足以下關(guān)系，

其中，所述扭曲指數(shù)(Hr)具有在0.2至7的范圍內(nèi)的值，

[公式1]

Hr＝{(H1-Ha)²+(H2-Ha)²+(H3-Ha)²+(H4-Ha)²}^1/2

[公式2]

Ha＝(H1+H2+H3+H4)/4

其中，Ha是指從所述水平的目標(biāo)表面到蝕刻的所述樣品基板的四個(gè)角的距離H1、H2、H3以及H4的平均值，并且

所述H1、H2、H3以及H4中的至少一者具有不同的值。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的沉積掩膜，其中，所述第一表面孔和所述第二表面孔的內(nèi)表面的算術(shù)平均粗糙度處于0.08至0.5的范圍內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的沉積掩膜，其中，在所述單位孔之間存在尺寸差值，并且其中，所述尺寸差值處于2％至10％的范圍內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的沉積掩膜，其中，在第一表面孔中心軸線與第二表面孔中心軸線之間形成距離，使得所述第一表面孔中心軸線與所述第二表面孔中心軸線不匹配，其中，所述第一表面孔中心軸線平行于所述厚度的方向同時(shí)穿過(guò)所述第一表面孔的中心，所述第二表面孔中心軸線平行于所述厚度的方向同時(shí)穿過(guò)所述第二表面孔的中心。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的沉積掩膜，其中，所述第一表面孔中心軸線與所述第二表面孔中心軸線之間的距離處于所述第二表面孔的直徑的0.2％至5％的范圍內(nèi)。