[發明專利]使用背側金屬層的高密度存儲器架構

有效

• 申請號: 201580080596.3
• 申請日: 2015-06-02
• 公開（公告）號: CN107646143B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: Y.王;P.莫羅
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L27/22
• 分類號: H01L27/22;H01L27/24;H01L45/00;G11C11/16;G11C13/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 黃濤;杜荔南

1.一種微電子存儲器，包括：

襯底，具有前表面和相對的背表面；

源線，形成在襯底背表面上；和

存儲器位單元晶體管，在襯底前表面上。

2.如權利要求1所述的微電子存儲器，其中所述存儲器位單元晶體管包括形成在襯底中的至少一個源極/漏極結構，其中源線以電氣方式連接到所述至少一個源極/漏極結構。

3.如權利要求2所述的微電子存儲器，其中所述源線通過襯底內的深擴散觸點以電氣方式連接到所述至少一個源極/漏極結構。

4.如權利要求1至3中任一項所述的微電子存儲器，還包括：字線，形成在襯底背表面上。

5.如權利要求4所述的微電子存儲器，還包括字線帶，所述字線帶包括：襯底背表面上的字線，以電氣方式連接到存儲器位單元晶體管內的字線。

6.如權利要求5所述的微電子存儲器，其中襯底背表面上的字線通過襯底內的源極/漏極結構和深擴散觸點以電氣方式連接到存儲器位單元晶體管內的字線。

7.如權利要求1至4中任一項所述的微電子存儲器，還包括：存儲器單元晶體管陣列，在襯底前表面上。

8.如權利要求7所述的微電子存儲器，其中所述存儲器單元晶體管陣列包括多個基于電阻的存儲器晶體管。

9.如權利要求8所述的微電子存儲器，其中所述多個基于電阻的存儲器晶體管包括多個自旋轉移力矩(STT) MRAM (磁阻隨機存取存儲器)晶體管。

10.如權利要求8所述的微電子存儲器，其中所述多個基于電阻的存儲器晶體管包括多個ReRAM (電阻隨機存取存儲器)。

11.一種微電子存儲器，包括：

襯底，具有前表面和相對的背表面；

字線，形成在襯底背表面上；和

存儲器位單元晶體管，在襯底前表面上。

12.如權利要求11所述的微電子存儲器，還包括字線帶，所述字線帶包括：襯底背表面上的字線，以電氣方式連接到存儲器位單元晶體管內的字線。

13.如權利要求11所述的微電子存儲器，其中襯底背表面上的所述字線通過襯底內的源極/漏極結構和深擴散觸點以電氣方式連接到存儲器位單元晶體管內的字線。

14.如權利要求11所述的微電子存儲器，還包括：源線，形成在襯底背表面上。

15.如權利要求14所述的微電子存儲器，其中所述存儲器位單元晶體管包括形成在襯底中的至少一個源極/漏極結構，其中源線以電氣方式連接到所述至少一個源極/漏極結構。

16.如權利要求15所述的微電子存儲器，其中所述源線通過襯底內的深擴散觸點以電氣方式連接到所述至少一個源極/漏極結構。

17.如權利要求11至16中任一項所述的微電子存儲器，還包括：晶體管陣列，在襯底前表面上。

18.如權利要求17所述的微電子存儲器，其中所述晶體管陣列包括多個基于電阻的存儲器晶體管。

19.如權利要求18所述的微電子存儲器，其中所述多個基于電阻的存儲器晶體管包括多個自旋轉移力矩(STT) MRAM (磁阻隨機存取存儲器)晶體管。

20.如權利要求18所述的微電子存儲器，其中所述多個基于電阻的存儲器晶體管包括多個ReRAM (電阻隨機存取存儲器)。