[發明專利]用于堆疊封裝的具有凹陷導電接觸部的集成電路結構

在審

• 申請號: 201580080299.9
• 申請日: 2015-06-25
• 公開（公告）號: CN107646141A
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發明（設計）人: K-O·李;I·A·薩拉馬;R·S·維斯瓦納特;R·L·贊克曼;B·薩比;S·C·J·查瓦利
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/498;H01L25/065;H01L25/10;H01L21/60
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 林金朝,王英

1.一種集成電路(IC)結構，包括：

具有第一阻擋表面的IC封裝；

設置在所述第一阻擋表面中的凹陷，其中，所述凹陷的底部包括第二阻擋表面；

位于所述第一阻擋表面處的第一多個導電接觸部；以及

位于所述第二阻擋表面處的第二多個導電接觸部。

2.根據權利要求1所述的IC結構，其中：

所述IC封裝還包括：

沿軸設置在所述IC封裝的核與所述第一阻擋表面之間的第一堆積部分，以及

沿所述軸設置在所述IC封裝的所述核與所述第二阻擋表面之間的第二堆積部分；以及

所述第一堆積部分沿所述軸的厚度大于所述第二堆積部分沿所述軸的厚度。

3.根據權利要求1所述的IC結構，還包括：

IC部件，所述IC部件具有第一表面、與所述IC部件的所述第一表面相對的第二表面、以及位于所述IC部件的所述第二表面處的第三多個導電接觸部；

其中，所述第三多個導電接觸部耦合到所述第二多個導電接觸部，并且所述IC部件被布置成使得所述第三多個導電接觸部設置在所述第二多個導電接觸部與所述IC部件的所述第一表面之間。

4.根據權利要求3所述的IC結構，其中，所述第二多個導電接觸部中的至少兩個導電接觸部間隔開小于35微米的距離。

5.根據權利要求3所述的IC結構，其中，所述第一多個導電接觸部與所述IC封裝的核間隔開第一距離，所述第三多個導電接觸部與所述IC封裝的所述核間隔開第二距離，并且所述第二距離小于所述第一距離。

6.根據權利要求3所述的IC結構，其中，所述IC部件是片上系統。

7.根據權利要求3所述的IC結構，其中，所述IC封裝是第一IC封裝，并且其中，所述IC結構還包括：

第二IC封裝，所述第二IC封裝具有第一表面、與所述第二IC封裝的所述第一表面相對的第二表面、以及位于所述第二IC封裝的所述第二表面處的第四多個導電接觸部；

其中，所述第四多個導電接觸部耦合到所述第一多個導電接觸部，并且所述第二IC封裝被布置成使得所述IC部件設置在所述第一IC封裝與所述第二IC封裝的所述第二表面之間。

8.根據權利要求7所述的IC結構，其中，所述第二IC封裝的所述第二表面與所述第一IC封裝的所述第一阻擋表面間隔開第一距離，所述IC部件的所述第一表面與所述第一IC封裝的所述第二阻擋表面間隔開第二距離，并且所述第一距離小于所述第二距離。

9.根據權利要求7所述的IC結構，其中，所述第一多個導電接觸部中的至少兩個導電接觸部間隔開小于35微米的距離。

10.根據權利要求7所述的IC結構，還包括與所述第二多個導電接觸部的其中之一物理接觸并且還與所述第四多個導電接觸部的其中之一物理接觸的焊料球。

11.根據權利要求7所述的IC結構，其中，所述第二IC封裝是存儲器器件。

12.根據權利要求7所述的IC結構，其中，所述第二IC封裝的所述第二表面與所述第一阻擋表面之間的距離小于250微米。

13.根據權利要求1-12中任一項所述的IC結構，其中，所述第二多個導電接觸部包括多個銅焊盤。

14.根據權利要求1-12中任一項所述的IC結構，其中，所述IC封裝是無核的。

15.一種制造集成電路(IC)封裝的方法，包括：

提供具有表面的結構，其中：

所述表面具有第一區域和第二區域，

所述第一區域和所述第二區域在所述表面上不重疊，并且

多個導電接觸部在所述第一區域中位于所述表面處；

在所述第一區域的至少一些之上提供阻焊劑；

在提供所述阻焊劑之后，在所述第一區域之上提供釋放層；

在所述第一區域和所述第二區域之上提供堆積材料；

切割所述堆積材料和所述釋放層；以及

去除所述釋放層和設置于所述釋放層上的所述堆積材料以暴露所述多個導電接觸部。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，提供所述釋放層包括對所述釋放層進行焊膏印刷。