[發明專利]用于外延生長源極/漏極晶體管區域的碳基界面

有效

• 申請號: 201580080044.2
• 申請日: 2015-06-19
• 公開（公告）號: CN107667434B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發明（設計）人: G·A·格拉斯;P·H·基斯;H·W·肯內爾;R·米恩德魯;A·S·默西;K·賈姆布納坦
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/165
• 分類號: H01L29/165;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/775;H01L29/78;H01L29/786
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;韓宏

1.一種晶體管，包括：

包括硅的主體；

包括硅和硼的區域；

一個或多個層，所述一個或多個層在所述主體與所述區域之間，所述一個或多個層包括碳，所述一個或多個層具有漸變的碳含量，使得最接近所述主體的層包括最高的碳含量百分比且最接近所述區域的層包括最低的碳含量百分比；以及

一個或多個附加層，所述一個或多個附加層在所述一個或多個層和所述區域之間，其中，所述一個或多個附加層包括硅、鍺和硼。

2.根據權利要求1所述的晶體管，其中，所述一個或多個層包括包含至少20原子％的碳的單層。

3.根據權利要求2所述的晶體管，其中，所述單層在所述主體與所述區域之間具有大約為1納米的厚度。

4.根據權利要求1所述的晶體管，其中，所述一個或多個層包括包含至多5原子％的碳的單層。

5.根據權利要求4所述的晶體管，其中，所述單層在所述主體與所述區域之間具有5至10納米的厚度。

6.根據權利要求1所述的晶體管，其中，所述一個或多個層由包括至少一個漸變材料組分的單層構成。

7.根據權利要求1所述的晶體管，其中，所述一個或多個層還包括硅或鍺中的至少一種。

8.根據權利要求1所述的晶體管，其中，所述一個或多個層包括硼。

9.根據權利要求1所述的晶體管，其中，所述一個或多個附加層由包含硅和硼的第一層和包含硅、鍺和硼的第二層構成。

10.根據權利要求1所述的晶體管，其中，所述一個或多個附加層中的鍺含量從最接近所述一個或多個層的部分到最接近所述區域的部分增大。

11.根據權利要求1所述的晶體管，其中，所述一個或多個層在所述主體和所述區域之間的部分的厚度與所述一個或多個層在下方的襯底和所述區域之間的部分的厚度基本相同。

12.根據權利要求11所述的晶體管，其中，基本相同包括厚度差在1納米內。

13.根據權利要求1所述的晶體管，其中，所述晶體管包括以下各項中的一項或多項：平面構造、鰭式構造、fin-FET構造、三柵極構造、納米線構造、納米帶構造或者柵極全環繞構造。

14.一種包括權利要求1所述的晶體管的互補金屬氧化物半導體(CMOS)器件。

15.一種包括權利要求1所述的晶體管的計算系統。

16.一種晶體管，包括：

包括硅的主體；

包括硅、鍺和硼的區域，其中所述區域是源極區域或漏極區域中的一個；

一個或多個層，所述一個或多個層在所述主體與所述區域之間，所述一個或多個層包括碳，所述一個或多個層具有漸變的碳含量，使得最接近所述主體的層包括最高的碳含量百分比且最接近所述區域的層包括最低的碳含量百分比；以及

一個或多個附加層，所述一個或多個附加層在所述一個或多個層和所述區域之間，其中，所述一個或多個附加層包括硅、鍺和硼。

17.根據權利要求16所述的晶體管，其中，所述主體是鰭狀物、納米線或納米帶中的一種。