[發(fā)明專利]使用水蒸汽制造用于顯示器制造的層的方法和所述方法的設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580078939.2
• 申請日: 2015-05-08
• 公開（公告）號: CN107567508A
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 丹尼爾·塞韋林;馬庫斯·哈尼卡;亞瑟·D·舒;蔡皮皮;金慶奉;林宛瑜
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/34;C23C14/54
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國,趙靜

技術(shù)領(lǐng)域

本公開內(nèi)容涉及用于在真空處理腔室中涂布基板的方法和設(shè)備。特別地，本公開內(nèi)容涉及在用于顯示器制造的基板上形成至少一層濺射材料的設(shè)備和方法。

背景技術(shù)

在許多應(yīng)用中，需要在基板，例如在玻璃基板上沉積薄層。通常，在涂布設(shè)備的不同腔室中涂布基板。對于一些應(yīng)用，使用氣相沉積技術(shù)在真空中涂布基板。已知用于在基板上沉積材料的若干方法。例如，可通過物理氣相沉積(PVD)工藝、化學氣相沉積(CVD)工藝或等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)工藝等涂布基板。通常，所述工藝是在待涂布的基板所在的工藝設(shè)備或工藝腔室中執(zhí)行。

電子裝置，特別是光電裝置在過去的幾年中顯示了成本的顯著降低。此外，顯示器中的像素密度不斷增大。對于TFT顯示器，需要一種高密度TFT集成。然而，盡管在裝置之內(nèi)的薄膜晶體管(TFT)的數(shù)目增加，仍試圖增加產(chǎn)量且試圖降低制造成本。

因此，持續(xù)需要提供用于在制造期間調(diào)整TFT顯示器性質(zhì)(特別關(guān)于高質(zhì)量和低成本)的方法和設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上文，提供了一種根據(jù)獨立權(quán)利要求的制造用于顯示器制造的多個薄膜晶體管的層的方法和所述方法的設(shè)備。此外，提供一種包括由根據(jù)本文所述的實施方式的制造層的方法所制造的層的電子裝置。進一步的優(yōu)點、特征、方面和細節(jié)將從從屬權(quán)利要求、說明書和附圖中顯而易見。

根據(jù)本公開內(nèi)容的一個方面，提供一種制造用于顯示器制造的多個薄膜晶體管的層的方法。所述方法包括在處理氣體氛圍中從含氧化銦的靶濺射透明導(dǎo)電氧化物層。所述處理氣體氛圍包括水蒸汽、H₂、和惰性氣體，其中水蒸汽的含量是從1％至10％，其中H2的含量是從2.2％至20.0％，且其中惰性氣體的含量是從70.0％至96.8％。

根據(jù)本公開內(nèi)容的進一步的方面，提供一種電子裝置，所述電子裝置包括由根據(jù)本文所述的實施方式的制造多個薄膜晶體管的層的方法所制造的層。

根據(jù)本公開內(nèi)容的進一步的方面，提供一種沉積用于顯示器制造的層的設(shè)備。所述設(shè)備包括：真空腔室；一或多個含氧化銦的靶，在真空腔室之內(nèi)用于濺射透明導(dǎo)電氧化物層；氣體分配系統(tǒng)，用于在真空腔室之內(nèi)提供處理氣體，其中所述真空腔室在用于水蒸汽的第一進氣口和用于H₂的第二進氣口處連接至氣體分配系統(tǒng)，特別地其中所述真空腔室進一步在用于O₂的第三進氣口處連接至氣體分配系統(tǒng)；和控制器，連接至氣體分配系統(tǒng)并被配置為執(zhí)行程序代碼，其中在執(zhí)行程序代碼時，進行根據(jù)本文所述的實施方式的制造用于顯示器制造的多個薄膜晶體管的層的方法。

附圖說明

為了能詳細理解本文所述的本公開內(nèi)容的上述特征，可通過參考實施方式獲得以上簡要概述的更特定描述。附圖涉及本公開內(nèi)容的實施方式且被描述于下：

圖1示出根據(jù)本文所述的實施方式的用于沉積用于顯示器制造的層的設(shè)備的示意圖；

圖2示出根據(jù)本文所述的實施方式的用于沉積用于顯示器制造的層的設(shè)備的示意圖；

圖3示出說明根據(jù)本文所述的實施方式的制造用于顯示器制造的多個薄膜晶體管的層的方法的方塊圖；

圖4示出說明根據(jù)本文所述的實施方式的制造用于顯示器制造的多個薄膜晶體管的層的方法的方塊圖。

具體實施方式

現(xiàn)將詳細參考本公開內(nèi)容的各種實施方式，所述實施方式的一或多個實例在附圖中示出。在附圖的以下描述中，相同的標號指代相同的部件。在下文中，僅描述關(guān)于各個實施方式的差異。各實例是通過解釋本公開內(nèi)容的方式提供的且不意味作為本公開內(nèi)容的限制。此外，示出或描述為一個實施方式的一部分的特征可用于其他實施方式，或與其他實施方式結(jié)合使用以產(chǎn)生更進一步的實施方式。本描述意圖包括這些修改和變化。

在本公開內(nèi)容中，表達“處理氣體氛圍”可被理解為處理腔室內(nèi)部，特別地用于沉積層的設(shè)備的真空處理腔室內(nèi)部的氛圍。“處理氣體氛圍”可具有由處理腔室內(nèi)部的容積所指定的體積。

在本公開內(nèi)容中，縮寫“H₂”代表氫，特別地代表氣態(tài)氫。

此外，在本公開內(nèi)容中，縮寫“O₂”代表氧，特別地代表氣態(tài)氧。

在本公開內(nèi)容中，表達“無定形結(jié)構(gòu)的程度”可理解為固態(tài)中無定形結(jié)構(gòu)與非無定形結(jié)構(gòu)的比率。非無定形結(jié)構(gòu)可以是結(jié)晶結(jié)構(gòu)。無定形結(jié)構(gòu)可以是玻璃狀結(jié)構(gòu)。