[發明專利]使用水蒸汽制造用于顯示器制造的層的方法和所述方法的設備

在審

• 申請號: 201580078939.2
• 申請日: 2015-05-08
• 公開（公告）號: CN107567508A
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發明（設計）人: 丹尼爾·塞韋林;馬庫斯·哈尼卡;亞瑟·D·舒;蔡皮皮;金慶奉;林宛瑜
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/34;C23C14/54
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國,趙靜

1.一種制造用于顯示器制造的多個薄膜晶體管的層的方法(100)，包含：

在處理氣體氛圍(222)中從含氧化銦的靶濺射(101)透明導電氧化物層，

其中所述處理氣體氛圍(222)包含水蒸汽、H₂和惰性氣體，

其中水蒸汽的含量是從1％至10％，

其中H₂的含量是從2.2％至20.0％，并且

其中惰性氣體的含量是從55.0％至96.8％。

2.如權利要求1所述的方法(100)，

其中水蒸汽與H₂的比率是從4:1至1:4。

3.如權利要求1或2所述的方法(100)，

其中所述處理氣體氛圍(222)的總壓力是從0.2Pa至0.8Pa。

4.如權利要求1至3中任一項所述的方法(100)，

其中在所述處理氣體氛圍(222)中的水蒸汽的分壓是從0.002Pa至0.08Pa。

5.如權利要求1至4中任一項所述的方法(100)，

其中在所述處理氣體氛圍(222)中的H₂的分壓是從0.0044Pa至0.16Pa。

6.如權利要求1至5中任一項所述的方法(100)，

其中所述處理氣體氛圍(222)進一步包含O₂，且其中O₂的含量是從0.5％至15.0％。

7.如權利要求6所述的方法(100)，

其中在所述處理氣體氛圍(222)中的O₂的分壓是從0.001Pa至0.12Pa。

8.如權利要求1至7中任一項所述的方法(100)，

其中在所述處理氣體氛圍(222)中的惰性氣體的分壓是從0.11Pa至0.7704Pa。

9.如權利要求1至8中任一項所述的方法(100)，

進一步包含利用所述處理氣體氛圍(222)中的水蒸汽的含量和/或所述處理氣體氛圍(222)中的H₂的含量控制所述氧化物層的無定形結構(103)的程度。

10.如權利要求1至9中任一項所述的方法(100)，

進一步包含利用所述處理氣體氛圍(222)中的水蒸汽的含量控制所述氧化物層的薄層電阻(104)，其中所述電阻率是從100μOhm cm至400μOhm cm。

11.如權利要求7至10中任一項所述的方法(100)，

進一步包含利用所述處理氣體氛圍(222)中的O₂的含量控制所述氧化物層的所述薄層電阻(104)，其中所述電阻率是從100μOhm cm至400μOhm cm。

12.如權利要求7至11中任一項所述的方法(100)，

其中所述處理氣體氛圍(222)由水蒸汽、H₂、惰性氣體、O₂和殘余氣體組成，

其中所述水蒸汽的含量是從1％至10％

其中所述H₂的含量是從2.2％至20.0％，

其中所述惰性氣體的含量是從55.0％至96.3％，

其中所述O₂的含量是從0.5％至15.0％，并且

其中所述殘余氣體的含量是從0.0至1.0％。