[發明專利]具有用于晶片與晶片互連的橋接模塊的半導體組件

有效

• 申請號: 201580078197.3
• 申請日: 2015-10-09
• 公開（公告）號: CN107408515B
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: W·S·權;S·瑞瑪林嘉
• 申請（專利權）人: 賽靈思公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/60;H01L25/00;H01L25/065;H01L25/07
• 代理公司: 北京市君合律師事務所 11517
• 代理人: 毛健;杜小鋒

在一個例子中，半導體組件包括第一IC晶片(104A)、第二IC晶片(104B)、和橋接模塊(110)。第一IC晶片在它的頂面上包括多個互連中(108)的第一互連(108A)和多個晶片間接觸中(608)的第一晶片間接觸(608A)。第二IC晶片在它的頂面上包括多個互連中的第二互連(108B)和多個晶片間接觸中的第二晶片間接觸(608B)。橋接模塊被布置在所述第一互連與所述第二互連之間，并且在它的頂面上包括橋接互連(112)，所述橋接互連機械地且電氣地被耦接到多個晶片間接觸，和被布置在它的頂面上的導電互連層(706)，用來在第一IC與第二IC之間傳送信號。橋接模塊的背面(710)沒有延伸超出多個連接線的高度。

技術領域

本公開內容的例子總體上涉及半導體器件，具體涉及具有用于晶片與晶片互連的橋接模塊的半導體組件。

背景技術

集成電路(IC)架構已經發展到把許多不同功能合并在單個封裝中，其中每個功能由單獨的IC晶片或芯片尺度的封裝(CSP)執行。這樣的架構有時被稱為系統級封裝(SiP)。一種類型的SiP結構涉及把多個IC晶片(die)安裝到中介層(interposer)，所述中介層又被安裝到封裝基片。所述中介層包括穿過晶片的通孔(TDV)，也被稱為穿過硅的通孔(TSV)，它們連接在中介層的上表面與下表面上的金屬化層。金屬化層被用來在多個IC晶片之間以及在多個IC晶片的每個IC晶片與封裝基片之間輸送電信號。這種類型的SiP架構有時被稱為2.5維(2.5D)封裝。然而，因為必須設計、制造、和測試單獨的中介層，為SiP封裝使用2.5D架構將大大地增加花費。

發明內容

描述了一種用于提供具有用于晶片到晶片互連的橋接模塊的半導體組件的技術。在一個例子中，半導體組件包括第一IC晶片、第二IC晶片、和橋接模塊。第一IC晶片在它的頂面上包括多個互連中的第一互連和多個晶片間接觸中的第一晶片間接觸。第二IC晶片在它的頂面上包括多個互連中的第二互連和多個晶片間接觸中的第二晶片間接觸。橋接模塊被布置在第一互連和第二互連之間。橋接模塊包括被布置在所述橋接模塊的頂面上的橋接互連，所述橋接模塊包括在所述橋接模塊的頂面上的橋接互連，所述橋接互連機械地且電氣地被耦接到所述多個晶片間接觸；以及被布置在所述橋接模塊的頂面上的一個或多個導電互連層，用來在所述第一IC與所述第二IC之間傳送信號。所述橋接模塊的背面沒有延伸超出所述多個互連的高度。

可選地，半導體組件還可以包括環氧樹脂，所述環氧樹脂將所述第一IC晶片結合到所述第二IC晶片，以及將所述橋接模塊結合到所述第一IC晶片和所述第二IC晶片中的每一個IC晶片。

可選地，半導體組件還可以包括封裝所述第一IC晶片、所述第二晶片和所述橋接模塊的模塑料。

可選地，橋接模塊可以包括陶瓷的、有機的、或半導體基片。

可選地，橋接模塊可以包括半導體基片，所述半導體基片包括有源電路。

在另一個例子中，IC封裝包括封裝基片、第一IC晶片、第二IC晶片、和橋接模塊。所述第一IC晶片在它的頂面上包括多個互連中的第一互連和多個晶片間接觸中的第一晶片間接觸，所述第一互連電氣地且機械地被耦接到所述封裝基片的頂面。所述第二IC晶片在它的頂面上包括多個互連中的第二互連和多個晶片間接觸中的第二晶片間接觸，所述第二互連電氣地且機械地被耦接到所述封裝基片的頂面。所述橋接模塊被布置在所述第一互連與所述第二互連之間，所述橋接模塊的背面是與所述封裝基片間隔開的。所述橋接模塊包括在所述橋接模塊的頂面上的橋接互連，所述橋接互連機械地且電氣地被耦接到所述多個晶片間接觸，以及被布置在所述橋接模塊的頂面上的一個或多個導電互連層，用來在所述第一IC和所述第二IC之間傳送信號。

可選地，IC封裝還可以包括環氧樹脂，所述環氧樹脂將所述第一IC晶片結合到所述第二IC晶片，以及將所述橋接模塊結合到所述第一IC晶片和所述第二IC晶片中的每一個IC晶片。

可選地，IC封裝還可以包括還封裝所述第一IC晶片、所述第二晶片和所述橋接模塊的模塑料。