[發明專利]具有用于晶片與晶片互連的橋接模塊的半導體組件

有效

• 申請號: 201580078197.3
• 申請日: 2015-10-09
• 公開（公告）號: CN107408515B
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: W·S·權;S·瑞瑪林嘉
• 申請（專利權）人: 賽靈思公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/60;H01L25/00;H01L25/065;H01L25/07
• 代理公司: 北京市君合律師事務所 11517
• 代理人: 毛健;杜小鋒

1.一種IC封裝，其特征在于，所述IC封裝包括：

封裝基片；

第一IC晶片，所述第一IC晶片在它的頂面上具有多個互連中的第一互連和多個晶片間接觸中的第一晶片間接觸，所述第一互連電氣地且機械地被耦接到所述封裝基片的頂面，所述第一IC晶片具有第一邊側表面和與所述第一邊側表面背對的第二邊側表面，所述第一IC晶片的第一邊側表面和第二邊側表面遠離所述封裝基片的頂面延伸；

第二IC晶片，所述第二IC晶片在它的頂面上具有所述多個互連中的第二互連和所述多個晶片間接觸中的第二晶片間接觸，所述第二互連電氣地且機械地被耦接到所述封裝基片的頂面，所述第二IC晶片具有第三邊側表面和與所述第三邊側表面背對的第四邊側表面，所述第二IC晶片的第三邊側表面和第四邊側表面遠離所述封裝基片的頂面延伸，所述第一IC晶片的第二邊側表面與所述第二IC晶片的第三邊側表面彼此面對；

橋接模塊，被布置在所述第一互連與所述第二互連之間，所述橋接模塊的背面是與所述封裝基片分隔開的，并且沒有延伸超出所述多個互連的高度，所述橋接模塊包括：

在所述橋接模塊的頂面上的橋接互連，所述橋接互連機械地且電氣地被耦接到所述多個晶片間接觸；以及

被布置在所述橋接模塊的頂面上的一個或多個導電互連層，其被配置成在所述第一IC晶片和所述第二IC晶片之間傳送信號；

被布置在所述第一IC晶片、所述第二IC晶片和所述橋接模塊的背面中的每一個與所述封裝基片的頂面之間的底部填充劑；以及

封裝所述第一IC晶片、所述第二IC晶片和所述橋接模塊的模塑料，其中所述模塑料接觸所述底部填充劑的第一界面被布置在所述第一IC晶片的頂面和所述封裝基片的頂面之間，并且所述模塑料接觸所述底部填充劑的第二界面被布置在所述第二IC晶片的頂面和所述封裝基片的頂面之間，其中所述模塑料封裝所述第一IC晶片的第一邊側表面、所述第一IC晶片的第二邊側表面、所述第二IC晶片的第三邊側表面和所述第二IC晶片的第四邊側表面中的每個的至少各自一部分。

2.根據權利要求1所述的IC封裝，其特征在于，所述模塑料被布置在所述橋接模塊與所述第一IC晶片和所述第二IC晶片中的每一個之間，并被結合到所述橋接模塊以及所述第一IC晶片和所述第二IC晶片中的每一個。

3.根據權利要求1所述的IC封裝，其特征在于，其中所述橋接模塊包括半導體基片，所述半導體基片包括有源電路。

4.根據權利要求1所述的IC封裝，其特征在于，其中所述橋接模塊包括陶瓷的、有機的、或半導體基片。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的IC封裝，其特征在于，所述封裝基片包括在其背面上的多個互連。

6.一種制造半導體組件的方法，其特征在于，所述方法包括：

形成承載基片，所述承載基片具有多個空腔和被布置在其上的釋放層；

將橋接模塊放置在所述空腔中的一個空腔中，所述橋接模塊包括在它的頂面上的橋接互連，和被布置在它的頂面上的一個或多個導電互連層；

將第一IC晶片放置在所述承載基片上，以使得它的第一互連被布置在所述空腔中的多個空腔中；

將第二IC晶片放置在所述承載基片上，以使得它的第二互連被布置在所述空腔中的多個空腔中；

將所述橋接互連耦接到所述第一IC晶片和所述第二IC晶片的晶片間接觸；

通過釋放所述釋放層，將包括所述第一IC晶片、所述第二IC晶片和所述橋接模塊的半導體組件與所述承載基片分離開；

將所述半導體組件安裝在封裝基片上，以使得所述第一IC晶片的第一互連和所述第二IC晶片的第二互連電氣地和機械地耦接到所述封裝基片的頂面；以及

將底部填充劑布置在所述第一IC晶片、所述第二IC晶片和所述橋接模塊的背面中的每一個與所述封裝基片的頂面之間；

其中所述橋接模塊的背面是與所述封裝基片分隔開的，并且沒有延伸超出所述第一互連與所述第二互連的高度。