[發明專利]密封用樹脂組合物、半導體裝置和半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201580078021.8
• 申請日: 2015-03-23
• 公開（公告）號: CN107429040B
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 關秀俊;伊藤慎吾
• 申請（專利權）人: 住友電木株式會社
• 主分類號: C08L63/00
• 分類號: C08L63/00;H01L23/29;H01L23/31
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;程采

1.一種密封用樹脂組合物，其用于將半導體元件和接合線密封，所述接合線與所述半導體元件連接且以Cu為主要成分，所述密封用樹脂組合物的特征在于：

含有環氧樹脂(A)、固化劑(B)、利用偶聯劑(D)實施了表面處理的填充劑(C)、和離子捕捉劑(E)，

所述填充劑(C)包括選自熔融球狀二氧化硅、熔融破碎二氧化硅、結晶二氧化硅、滑石、氧化鋁、鈦白和氮化硅中的一種或兩種以上，

所述偶聯劑(D)包括巰基硅烷，

將由條件1算出的相對于所述密封用樹脂組合物整體的硫提取量設為W₁時，W₁為0.04ppm以上0.55ppm以下，

所述利用偶聯劑(D)實施了表面處理的填充劑(C)通過將填充劑(C)投入攪拌機后，開始攪拌，進一步在其中投入偶聯劑(D)后攪拌1～5分鐘，得到填充劑(C)和偶聯劑(D)的混合物，將該混合物從攪拌機中取出并靜置3分鐘～1小時，進一步對靜置處理后的填充劑(C)在30～80℃、0.1～10小時的條件下實施熱處理而得到，

相對于所述密封用樹脂組合物的全部固態成分，所述離子捕捉劑(E)的含量為0.05質量％以上1質量％以下，

所述離子捕捉劑(E)包括選自水滑石類和多價金屬酸性鹽中的至少一種，

條件1：將使所述密封用樹脂組合物以175℃、4小時的條件熱固化而得到的固化物粉碎，得到粉碎物；接著，在150℃、8小時的條件下對所述粉碎物實施熱處理，利用雙氧水收集此時產生的氣體；接著，由所述雙氧水中的硫酸根離子量算出相對于所述密封用樹脂組合物整體的硫提取量W₁。

2.根據權利要求1所述的密封用樹脂組合物，其特征在于：

將由條件2算出的相對于所述密封用樹脂組合物整體的硫提取量設為W₂時，W₂/W₁在120以下，

條件2：將使所述密封用樹脂組合物以175℃、4小時的條件熱固化而得到的固化物粉碎，得到粉碎物；接著，在175℃、8小時的條件下對所述粉碎物實施熱處理，利用雙氧水收集此時產生的氣體；接著，由所述雙氧水中的硫酸根離子量算出相對于所述密封用樹脂組合物整體的硫提取量W₂。

3.根據權利要求1所述的密封用樹脂組合物，其特征在于：

相對于所述密封用樹脂組合物整體，所述填充劑(C)的含量為35質量％以上95質量％以下。

4.根據權利要求1所述的密封用樹脂組合物，其特征在于：

相對于所述密封用樹脂組合物整體，所述偶聯劑(D)的含量為0.05質量％以上2質量％以下。

5.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

半導體元件；

接合線，其與所述半導體元件連接且以Cu為主要成分；和

密封樹脂，其由權利要求1～4中任一項所述的密封用樹脂組合物的固化物構成，并且將所述半導體元件和所述接合線密封。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于：

所述半導體裝置還具備搭載所述半導體元件、并且與所述接合線連接的、以Cu或者42合金為主要成分的引線框或有機基板。

7.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于：

具備利用權利要求1～4中任一項所述的密封用樹脂組合物將半導體元件和接合線密封的工序，所述接合線與所述半導體元件連接且以Cu為主要成分。