[發明專利]噴嘴和液體供應裝置有效
| 申請號: | 201580077808.2 | 申請日: | 2015-09-08 |
| 公開(公告)號: | CN107430986B | 公開(公告)日: | 2020-07-14 |
| 發明(設計)人: | 寺田貴洋;田中正幸;加藤視紅磨;出浦香織;町田守寬 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;B05C5/00;B05C11/08 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 王麗軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 噴嘴 液體 供應 裝置 | ||
本文描述的實施方式總體上涉及噴嘴和液體供應裝置。實施方式要解決的問題是提供具有防止滴液的新穎結構的噴嘴和液體供應裝置。根據實施方式,噴嘴包括本體。本體設置有:供應口,液體被供應至供應口;排出口,液體從排出口向下排出;以及流道,其在供應口與排出口之間延伸。流道包括存儲部和排氣部。存儲部包括:第一部分,液體通過第一部分向下流到排出口;以及第二部分,其設置在第一部分的下游,液體通過第二部分向上流到排出口。排氣部能夠在液體沒有從排出口排出而被存儲在存儲部中時將第二部分的上游的氣體排出。存儲部包括連接第一部分和第二部分的第三部分。排氣部包括通向流道中的第三部分的上游側的部分和下游側的部分的旁路通道。
相關申請的交叉引用
本申請是2015年9月8日提交的、以引用的方式并入本文的國際申請No.PCT/JP2015/075511的國家階段申請,并且該申請要求2015年3月18日提交的日本專利申請No.2015-054830的優選權的權益,該日本專利申請的全部內容以引用的方式并入本文。
技術領域
本文描述的實施方式總體上涉及噴嘴和液體供應裝置。
背景技術
傳統上,已知通過噴嘴將化學液體從上方排出到諸如晶片等工件上的液體供應裝置。
專利文獻1:日本未審查專利公開No.8-281184A
專利文獻2:日本未審查專利公開No.2005-44836A
專利文獻3:日本未審查專利公開No.10-119775A
上述液體供應裝置可能在排出化學液體之后將化學液體從噴嘴滴到工件上,導致工件的質量劣化。因此,獲得具有防止滴液的新穎結構的噴嘴是有用的。
發明內容
實施方式要解決的問題是提供具有防止滴液的新穎結構的噴嘴和液體供應裝置。
根據實施方式,噴嘴包括本體。本體設置有:供應口,液體被供應至供應口;排出口,液體從排出口向下排出;以及流道,其在供應口與排出口之間延伸。流道包括存儲部和排氣部。存儲部包括:第一部分,液體通過第一部分向下流到排出口;以及第二部分,其設置在第一部分的下游,液體通過第二部分向上流到排出口。排氣部能夠在液體沒有從排出口排出而被存儲在存儲部中時將第二部分的上游的氣體排出。存儲部包括連接第一部分和第二部分的第三部分。排氣部包括旁路通道,旁路通道通向流道中的第三部分的上游側的部分和下游側的部分。
附圖說明
圖1是根據第一實施方式的化學液體涂覆裝置的示意圖。
圖2是根據第一實施方式的噴嘴的截面圖。
圖3是根據第一實施方式的管的一部分的截面圖。
圖4是根據第二實施方式的噴嘴的截面圖。
圖5是根據第二實施方式的噴嘴的截面圖,此時液體存儲在排氣部中。
圖6是根據第三實施方式的噴嘴的截面圖。
圖7是根據第三實施方式的噴嘴的截面圖,此時液體存儲在排氣部中。
圖8是根據第四實施方式的噴嘴的截面圖。
圖9是根據第五實施方式的噴嘴的截面圖。
圖10是沿線X-X截取的圖9的截面圖。
圖11是根據第六實施方式的噴嘴的截面圖。
圖12是根據第七實施方式的噴嘴的截面圖。
圖13是根據第八實施方式的噴嘴的截面圖。
圖14是根據第九實施方式的噴嘴的截面圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





