[發(fā)明專利]噴嘴和液體供應(yīng)裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580077808.2 | 申請日: | 2015-09-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107430986B | 公開(公告)日: | 2020-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 寺田貴洋;田中正幸;加藤視紅磨;出浦香織;町田守寬 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類號(hào): | H01L21/027 | 分類號(hào): | H01L21/027;B05C5/00;B05C11/08 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 王麗軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 噴嘴 液體 供應(yīng) 裝置 | ||
1.一種噴嘴,包括:
本體,其設(shè)置有:供應(yīng)口,液體被供應(yīng)至所述供應(yīng)口;排出口,所述液體從所述排出口向下排出;以及流道,其在所述供應(yīng)口與所述排出口之間延伸,
其中,所述流道包括:
存儲(chǔ)部,其包括:第一部分,所述液體通過所述第一部分向下流到所述排出口;以及第二部分,其設(shè)置在所述第一部分的下游,所述液體通過所述第二部分向上流到所述排出口;以及
排氣部,其能夠在所述液體沒有從所述排出口排出而被存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)部中時(shí)將所述第二部分的上游的氣體排出,
其中,所述存儲(chǔ)部包括連接所述第一部分和所述第二部分的第三部分,并且
所述排氣部包括旁路通道,所述旁路通道通向所述流道中的所述第三部分的上游側(cè)的部分和下游側(cè)的部分,
其中,所述旁路通道連接到所述流道中的所述第一部分的上游和所述第二部分上方的部位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴嘴,
其中,所述流道的表面的算術(shù)平均粗糙度大于10μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴嘴,其中,所述存儲(chǔ)部在所述本體的豎直方向上排列。
4.一種液體供應(yīng)裝置,包括:
根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴嘴;以及
供給部,其將所述液體供應(yīng)至所述供應(yīng)口。
5.一種噴嘴,包括:
本體,其設(shè)置有:供應(yīng)口,液體被供應(yīng)至所述供應(yīng)口;排出口,所述液體從所述排出口向下排出;以及流道,其在所述供應(yīng)口與所述排出口之間延伸,
其中,所述流道包括:
存儲(chǔ)部,其包括:第一部分,所述液體通過所述第一部分向下流到所述排出口;以及第二部分,其設(shè)置在所述第一部分的下游,所述液體通過所述第二部分向上流到所述排出口;以及
排氣部,其能夠在所述液體沒有從所述排出口排出而被存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)部中時(shí)將所述第二部分的上游的氣體排出,
其中,所述存儲(chǔ)部包括連接所述第一部分和所述第二部分的第三部分,并且
所述排氣部包括旁路通道,所述旁路通道通向所述流道中的所述第三部分的上游側(cè)的部分和下游側(cè)的部分,
所述存儲(chǔ)部包括多個(gè)存儲(chǔ)部,
其中,所述存儲(chǔ)部在與所述本體的豎直方向相交的方向上排列。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的噴嘴,
其中,所述流道的表面的算術(shù)平均粗糙度大于10μm。
7.一種液體供應(yīng)裝置,包括:
根據(jù)權(quán)利要求5所述的噴嘴;以及
供給部,其將所述液體供應(yīng)至所述供應(yīng)口。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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