[發明專利]制作半導體X射線檢測器的方法

有效

• 申請號: 201580077775.1
• 申請日: 2015-04-07
• 公開（公告）號: CN107533145B
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發明（設計）人: 曹培炎;劉雨潤
• 申請（專利權）人: 深圳幀觀德芯科技有限公司
• 主分類號: G01T1/24
• 分類號: G01T1/24
• 代理公司: 深圳市六加知識產權代理有限公司 44372
• 代理人: 羅水江

1.一種制作適合于檢測x射線的裝置的方法，所述方法包括：

獲得襯底，其具有第一表面和第二表面，其中所述襯底包括所述襯底中或所述襯底上的電子系統，其中所述襯底包括所述第一表面上的多個電觸點；

獲得第一晶片，其包括第一X射線吸收層，其中所述第一X射線吸收層包括電極；

使所述第一晶片接合到所述襯底，使得所述第一X射線吸收層的電極電連接到所述多個電觸點中的至少一個；以及

獲得第二晶片，其包括第二X射線吸收層，其中所述第二X射線吸收層包括電極；以及

使所述第二晶片接合到所述襯底，使得所述第二X射線吸收層的電極電連接到所述多個電觸點中的至少一個。

2.如權利要求1所述的方法，其進一步包括將背襯襯底安裝到所述第一晶片，使得所述第一晶片夾在所述背襯襯底與所述襯底之間。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述第一晶片與所述第二晶片之間的間隙小于100微米。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述第一晶片的面積要小于所述襯底。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述第一晶片的熱膨脹系數與所述襯底的熱膨脹系數之間的比率是二或以上。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述第一X射線吸收層包括硅、鍺、GaAs、CdTe、CdZnTe或其組合。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述第一X射線吸收層與鉻摻雜。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述第一X射線吸收層具有200微米或更少的厚度。

9.如權利要求1所述的方法，其中所述襯底包括所述第二表面上的再分布層RDL。

10.如權利要求1所述的方法，其中所述襯底包括通孔，其中所述通孔從所述第一表面延伸到所述第二表面。

11.如權利要求1所述的方法，其中所述電子系統包括：

第一電壓比較器，其配置成將所述電極的電壓與第一閾值比較；

第二電壓比較器，其配置成將所述電壓與第二閾值比較；

計數器，其配置成記錄到達所述第一X射線吸收層的X射線光子的數目；

控制器；

其中所述控制器配置成從所述第一電壓比較器確定所述電壓的絕對值等于或超出所述第一閾值的絕對值的時間啟動時間延遲；

其中所述控制器配置成在所述時間延遲期間啟動第二電壓比較器；

其中所述控制器配置成如果所述第二電壓比較器確定所述電壓的絕對值等于或超出所述第二閾值的絕對值則促使所述計數器記錄的數目增加一。

12.如權利要求11所述的方法，其中所述電子系統進一步包括電容器模組，其電連接到所述第一X射線吸收層的電極，其中所述電容器模組配置成收集來自所述第一X射線吸收層的電極的載流子。

13.如權利要求11所述的方法，其中所述控制器配置成在所述時間延遲開始或終止時啟動所述第二電壓比較器。

14.如權利要求13所述的方法，其中所述電子系統進一步包括電壓表，其中所述控制器配置成在所述時間延遲終止時促使所述電壓表測量電壓。

15.如權利要求14所述的方法，其中所述控制器配置成基于在所述時間延遲終止時測量的電壓值來確定X射線光子能量。

16.如權利要求11所述的方法，其中所述控制器配置成使所述第一X射線吸收層的電極連接到電接地。

17.如權利要求11所述的方法，其中在所述時間延遲終止時電壓的時間變化小于0.1％/ns。