[發明專利]半導體存儲裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201580077300.2
• 申請日: 2015-03-02
• 公開（公告）號: CN107534046B
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 加藤竜也;荒井史隆;關根克行;巖本敏幸;渡邊優太;坂本渉;糸川寬志
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勛

實施方式的半導體存儲裝置包括：半導體柱，沿第1方向延伸；第1電極，沿相對于所述第1方向交叉的第2方向延伸；第2電極，設置在所述半導體柱與所述第1電極之間；第1絕緣膜，設置在所述第1電極與所述第2電極之間、及所述第1電極的所述第1方向兩側；第2絕緣膜，設置在所述第2電極與所述第1絕緣膜之間、及所述第2電極的所述第1方向兩側；第3絕緣膜，設置在所述第2電極與所述半導體柱之間；及導電膜，設置在夾于所述第1絕緣膜與所述第2絕緣膜之間的區域內。

技術領域

實施方式涉及一種半導體存儲裝置及其制造方法。

背景技術

以往，NAND(Not AND，與非)閃速存儲器通過平面構造的微細化而增加集成度，從而降低位成本，但平面構造的微細化正逐漸接近于極限。因此，近年來，提出將存儲單元在上下方向積層的技術。然而，關于這種積層型存儲裝置，制造的容易性及制品的可靠性成為課題。

背景技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2013-182949號公報

發明內容

[發明要解決的問題]

實施方式的目的在于提供一種容易制造且可靠性高的半導體存儲裝置及其制造方法。

[解決問題的技術手段]

實施方式的半導體存儲裝置包括：半導體柱，沿第1方向延伸；第1電極，沿相對于所述第1方向交叉的第2方向延伸；第2電極，設置在所述半導體柱與所述第1電極之間；第1絕緣膜，設置在所述第1電極與所述第2電極之間、及所述第1電極的所述第1方向兩側；第2絕緣膜，設置在所述第2電極與所述第1絕緣膜之間、及所述第2電極的所述第1方向兩側；第3絕緣膜，設置在所述第2電極與所述半導體柱之間；及導電膜，設置在夾于所述第1絕緣膜與所述第2絕緣膜之間的區域內。

實施方式的半導體存儲裝置的制造方法包括如下步驟：使層間絕緣膜與第1膜沿著第1方向交替地積層；形成沿相對于所述第1方向交叉的第2方向延伸且貫通所述層間絕緣膜及所述第1膜的溝槽；通過經由所述溝槽去除所述第1膜的一部分，而在所述溝槽的側面形成第1凹部；在所述第1凹部的內面上形成組成與所述層間絕緣膜的組成不同的第2絕緣膜；在所述第2絕緣膜上形成第2電極膜；在所述溝槽的內面上形成第3絕緣膜；在所述第3絕緣膜的側面上形成半導體膜；沿著所述第2方向，將所述半導體膜、所述第3絕緣膜、所述第2電極膜及所述第2絕緣膜分斷；將組成與所述第2絕緣膜的組成不同的絕緣部件埋入至所述溝槽內；形成沿所述第2方向延伸且貫通所述層間絕緣膜及所述第1膜的狹縫；通過經由所述狹縫去除所述第1膜，而在所述狹縫的側面形成第2凹部，且在該第2凹部的里面露出所述第2絕緣膜及所述絕緣部件；在所述狹縫及所述第2凹部的內面中的、除所述第2絕緣膜的露出面以外的區域，形成沉積阻礙層；通過經由所述狹縫及所述第2凹部實施使用原料氣體的氣相成膜法，而在所述第2絕緣膜的露出面上形成導電膜；在所述第2凹部的內面上形成第1絕緣膜；及在所述第2凹部內形成第1電極。