[發明專利]半導體存儲裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201580077300.2
• 申請日: 2015-03-02
• 公開（公告）號: CN107534046B
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 加藤竜也;荒井史隆;關根克行;巖本敏幸;渡邊優太;坂本渉;糸川寬志
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勛

1.一種半導體存儲裝置，其特征在于具備：

半導體柱，沿第1方向延伸；

第1電極，沿相對于所述第1方向交叉的第2方向延伸；

第2電極，設置在所述半導體柱與所述第1電極之間；

第1絕緣膜，設置在所述第1電極與所述第2電極之間、及所述第1電極的所述第1方向兩側；

第2絕緣膜，設置在所述第2電極與所述第1絕緣膜之間、及所述第2電極的所述第1方向兩側；

第3絕緣膜，設置在所述第2電極與所述半導體柱之間；

導電膜，設置在夾于所述第1絕緣膜與所述第2絕緣膜之間的區域內，且包含金屬硅化物；及

包含硅的硅層，設置在所述第2絕緣膜的所述第1方向兩側。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：所述導電膜實質上未設置在所述第1電極的所述第1方向兩側及所述第2電極的所述第1方向兩側。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：所述導電膜包含鈦氮化物。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：還具備層間絕緣膜，所述層間絕緣膜設置在所述第1絕緣膜及所述第2絕緣膜的所述第1方向兩側，且與所述第1絕緣膜及所述第2絕緣膜相接。

5.根據權利要求4所述的半導體存儲裝置，其特征在于：所述導電膜與所述層間絕緣膜相接。

6.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：在所述硅層與所述第3絕緣膜之間形成著氣隙。

7.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：所述硅層包含選自由鍺、硼、磷、砷及銻組成的群組中的1種以上的物質。

8.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：所述導電膜包含選自由鍺、硼、磷、砷及銻組成的群組中的1種以上的物質。

9.一種半導體存儲裝置的制造方法，其特征在于具備如下步驟：

使層間絕緣膜與第1膜沿著第1方向交替地積層；

形成沿相對于所述第1方向交叉的第2方向延伸且貫通所述層間絕緣膜及所述第1膜的溝槽；

通過經由所述溝槽去除所述第1膜的一部分，而在所述溝槽的側面形成第1凹部；

在所述第1凹部的內面上形成組成與所述層間絕緣膜的組成不同的第2絕緣膜；

在所述第2絕緣膜上形成第2電極膜；

在所述溝槽的內面上形成第3絕緣膜；

在所述第3絕緣膜的側面上形成半導體膜；

沿著所述第2方向，將所述半導體膜、所述第3絕緣膜、所述第2電極膜及所述第2絕緣膜分斷；

將組成與所述第2絕緣膜的組成不同的絕緣部件埋入至所述溝槽內；

形成沿所述第2方向延伸且貫通所述層間絕緣膜及所述第1膜的狹縫；

通過經由所述狹縫去除所述第1膜，而在所述狹縫的側面形成第2凹部，且在該第2凹部的里面露出所述第2絕緣膜及所述絕緣部件；

在所述狹縫及所述第2凹部的內面中的、除所述第2絕緣膜的露出面以外的區域，形成沉積阻礙層；

通過經由所述狹縫及所述第2凹部實施使用原料氣體的氣相成膜法，而在所述第2絕緣膜的露出面上形成導電膜；

在所述第2凹部的內面上形成第1絕緣膜；及

在所述第2凹部內形成第1電極。

10.根據權利要求9所述的半導體存儲裝置的制造方法，其特征在于：所述沉積阻礙層包含硅烷基。

11.根據權利要求9所述的半導體存儲裝置的制造方法，其特征在于：

所述層間絕緣膜及所述絕緣部件包含硅氧化物，且

所述第2絕緣膜包含硅氮化物。

12.根據權利要求9所述的半導體存儲裝置的制造方法，其特征在于：所述氣相成膜法為化學氣相沉積法或原子層沉積法。