[發明專利]半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 201580077296.X
• 申請日: 2015-09-10
• 公開（公告）號: CN107430558B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 長田佳晃;穂谷克彥
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: G06F12/16
• 分類號: G06F12/16
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勛

本發明涉及一種半導體存儲裝置。根據一個實施例，一種存儲器系統包含：第一存儲器單元區域，其中提供第一存儲器單元；第二存儲器單元區域，其中提供第二存儲器單元；ECC電路，其校正通過所述第一存儲器單元存儲的數據的錯誤；及控制電路，如果成功校正所述第一存儲器單元中的錯誤的次數達到第一值，那么所述控制電路用所述第二存儲器單元取代所述第一存儲器單元。

相關申請的交叉引用

本申請案是基于2015年3月9日申請的第62/130,490號先前美國臨時申請案且要求所述案的優先權權益，所述案的全部內容以引用的方式并入本文中。

技術領域

本發明實施例涉及一種半導體存儲裝置。

背景技術

磁阻性隨機存取存儲器(MRAM)是其中用于存儲信息的存儲器單元采用具有磁阻效應的磁性元件的存儲器裝置。所述MRAM作為以高速操作、大存儲容量及非易失性為特征的下一代存儲器裝置而受到關注。在此期間，正進行研究及開發以用MRAM取代動態隨機存取存儲器(DRAM)及靜態隨機存取存儲器(SRAM)。為降低開發成本及實現容易取代，MRAM應可期望按與DRAM及SRAM相同的規范操作。

附圖說明

圖1是展示根據實施例的存儲器系統的示范性配置的框圖。

圖2是展示所述實施例的存儲器系統的存儲器單元陣列的示范性配置的電路圖。

圖3說明所述實施例的存儲器系統的存儲器單元的基本配置。

圖4是說明所述實施例的存儲器系統的狀態圖。

圖5是說明所述實施例的存儲器系統的清除操作的流程圖。

圖6是說明所述實施例的存儲器系統的清除操作的波形圖。

圖7是說明所述實施例的存儲器系統的清除操作的波形圖。

具體實施方式

一般來說，根據一個實施例，存儲器系統包含：

第一存儲器單元區域，其中提供第一存儲器單元；

第二存儲器單元區域，其中提供第二存儲器單元；

ECC電路，其校正通過所述第一存儲器單元存儲的數據的錯誤；以及

控制電路，如果成功校正所述第一存儲器單元中的錯誤的次數達到第一值，那么所述控制電路用所述第二存儲器單元取代所述第一存儲器單元。

現將給出實施例的描述。在下文描述中，具有基本上相同功能及配置的結構元件將通過相同參考符號表示且僅在需要時給出重復描述。下文描述的實施例中的每一個僅展示實施所述實施例的技術理念的示范性設備及方法。所述實施例的技術理念并不限于下文描述的元件材料、形狀、結構、布置等。所述實施例的技術理念可在權利要求書中定義的范圍內改變。

功能塊中的每一個可以硬件、計算機軟件或其組合的形式實施。為闡明所述功能塊具體所指，下文將在其功能方面對所述塊進行解釋。所述功能是實施為硬件還是軟件是特定實施方案的問題或取決于對整個系統施加的設計限制。所屬領域技術人員可針對實施例中的每一個以各種方式實施所述功能且如何實施所述功能是在實施例的范圍內。

(實施例)

1配置

將參考其中將MRAM應用于存儲器單元陣列的情況描述本發明實施例。

1-1存儲器系統的配置

將參考圖1給出根據實施例的存儲器系統的基本配置的示意性描述。所述存儲器系統1包括存儲器控制器100及存儲器裝置200。

1-2存儲器控制器的配置