[發(fā)明專利]使用半導體發(fā)光器件的顯示設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580075841.1
• 申請日: 2015-07-06
• 公開（公告）號: CN107211502B
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金治璇;李炳俊;沈奉柱
• 申請（專利權(quán)）人: LG電子株式會社
• 主分類號: H05B33/12
• 分類號: H05B33/12;H05B33/10
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

1.一種顯示設(shè)備，該顯示設(shè)備包括：

布線基板，所述布線基板具有布線電極；

多個半導體發(fā)光器件，所述多個半導體發(fā)光器件形成像素；以及

導電粘合層，所述導電粘合層被構(gòu)造為將所述布線電極與所述多個半導體發(fā)光器件電連接，

其中，所述導電粘合層包括：

主體，所述主體設(shè)置有具有粘合性的樹脂；

金屬聚集部分，所述金屬聚集部分被設(shè)置在所述主體中，并且隨著從金屬-有機化合物析出的金屬原子彼此聚集而形成；

金屬顆粒，所述金屬顆粒被引入到所述主體中以便加速所述金屬原子的聚集；以及

添加劑，所述添加劑用于加速從所述金屬-有機化合物還原的金屬的聯(lián)接，

其中，所述金屬聚集部分被構(gòu)造為將所述布線電極與所述多個半導體發(fā)光器件的導電電極電連接，并且

其中，所述金屬聚集部分包括從所述金屬-有機化合物還原的金屬和至少部分金屬顆粒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述金屬顆粒由與所述金屬原子相同的材料形成，或者由與所述布線電極相同的材料形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備，其中，所述金屬顆粒包括由Ag、Cu、Au、Ni、Sn、Pt，Zn、Al、Cr、Pd、Ti、Fe和Pb組成的組中所包括的至少一種金屬、碳納米管或所述至少一種金屬的合金。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備，其中，所述金屬顆粒具有1～1000納米的尺寸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述金屬聚集部分的所述金屬原子包括由Ag、Cu、Au、Ni、Sn、Pt，Zn、Al、Cr、Pd、Ti、Fe和Pb組成的組中所包括的至少一種金屬。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述添加劑包括油胺。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述樹脂包括熱固性樹脂或光敏樹脂。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示設(shè)備，其中，所述熱固性樹脂的固化溫度高于所述金屬-有機化合物的金屬還原溫度，并且所述熱固性樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度低于所述金屬還原溫度。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示設(shè)備，其中，所述光敏樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度低于所述金屬-有機化合物的所述金屬還原溫度，并且

其中，所述光敏樹脂在所述金屬還原溫度下沒有被完全固化。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，該顯示設(shè)備還包括：

低熔點部分，所述低熔點部分由具有比所述布線電極的熔點更低的熔點的材料形成，并且被形成為包圍所述布線電極的表面。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示設(shè)備，其中，所述低熔點部分包括焊接材料，并且所述低熔點部分通過使用所述焊接材料被鍍覆在所述布線電極上。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示設(shè)備，其中，所述低熔點部分被鍍覆為10～2000納米的厚度，

其中，所述樹脂是熱固性樹脂，并且

其中，所述焊接材料的熔點低于所述熱固性樹脂的固化溫度，并且所述焊接材料的熔點低于所述金屬-有機化合物的所述金屬還原溫度。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示設(shè)備，其中，所述低熔點部分被形成為分別包圍所述布線電極和所述多個半導體發(fā)光器件的導電電極。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示設(shè)備，其中，所述低熔點部分包括從所述低熔點部分的一個表面凸出的多個低熔點凸出物。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述布線電極包括從所述布線電極的一個表面凸出的多個布線凸出物。