[發明專利]周邊曝光裝置

有效

• 申請號: 201580074910.7
• 申請日: 2015-01-28
• 公開（公告）號: CN107210198B
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發明（設計）人: 武田直幸;久我正一
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

一種周邊曝光裝置，其用于對半導體基板(100)的外周部進行曝光，該周邊曝光裝置具有：光源(1)，其設置為能夠對外周部照射光；以及反射鏡(2)，其具有反射面(2A)，該反射面(2A)配置為沿與從光源(1)照射的光的光軸交叉的方向進行延伸。反射鏡(2)設置為在對半導體基板(100)的外周部進行曝光時，在半導體基板(100)的徑向上位于半導體基板(100)的中心(C)與外周部之間。

技術領域

本發明涉及一種用于對半導體基板的外周部進行曝光的周邊曝光裝置。

背景技術

在半導體設備的制造工序中，通常對半導體基板實施多次光刻工序。在光刻工序中，形成用于對半導體基板之上的特定部位進行蝕刻或進行離子注入的掩模圖案。該掩模圖案是采用例如抗蝕劑等感光性材料而形成的。

感光性材料通常通過旋轉涂敷法而涂敷于半導體基板之上。關于旋轉涂敷法，例如在旋轉的半導體基板的中心之上滴下涂敷材料，通過離心力使涂敷材料進行涂敷展開。因此，在半導體基板的外周部也被涂敷了涂敷材料。此時，在半導體基板的外周部形成有斜面部(進行了倒角的傾斜部)的情況下，在斜面部之上也被涂敷了涂敷材料。

由如上述那樣在外周部、斜面部之上形成的感光性材料構成的掩模圖案在對半導體基板進行收容的盒內、半導體制造裝置內由于接觸等而被破壞，成為碎粒的產生源。

針對這樣的問題，在日本特愿昭60-283613號(日本特開昭62-142321號公報)中，記載了針對在端部形成有由抗蝕劑堆成的部分的半導體基板而僅對該端部進行曝光的曝光裝置。另外，在日本特愿平10-025183號(日本特開平11-214294號公報)中，記載了僅對SOI晶片等帶有臺階的晶片的周邊部進行曝光的周邊曝光裝置。

另外，針對通過對半導體基板的內周部進行薄化處理而在外周部形成有臺階部(在背面側相對于內周部呈凸狀的肋部)的帶有臺階部的基板，將涂敷材料向該背面之上涂敷的情況下，在該臺階部之上也被涂敷了涂敷材料。即，在臺階部處，在位于內周側的內周端面及凸臺面(臺階部的頂面)之上也被涂敷了涂敷材料。

專利文獻1：日本特愿昭60-283613號(日本特開昭62-142321號公報)

專利文獻2：日本特愿平10-025183號(日本特開平11-214294號公報)

發明內容

然而，上述的現有技術難以應用于帶有臺階部的基板。具體地說，由于無法對在臺階部的內周端面之上形成的感光性膜進行充分的曝光，因此存在無法通過顯影而將該感光性膜充分地去除的問題。其結果，該感光性膜在之后的工序中成為碎粒產生源，存在對帶有臺階部的基板自身、半導體制造裝置等造成污染的問題。

本發明就是為了解決上述課題而提出的。本發明的主要目的在于，提供一種周邊曝光裝置，該周邊曝光裝置能夠對形成有臺階部的半導體基板的該臺階部的內周端面，以可通過顯影而將在該內周端面之上形成的感光性膜去除的程度充分地進行曝光。

本發明涉及的周邊曝光裝置用于對半導體基板的外周部進行曝光，該周邊曝光裝置具有：光源，其設置為能夠對所述外周部照射光；以及反射鏡，其具有反射面，該反射面形成為沿與從所述光源照射的所述光的光軸交叉的方向進行延伸。所述反射鏡設置為在對所述半導體基板的所述外周部進行曝光時，在所述半導體基板的徑向上位于所述半導體基板的中心與所述外周部之間。

發明的效果

根據本發明，能夠提供一種周邊曝光裝置，該周邊曝光裝置能夠對形成有臺階部的半導體基板的該臺階部的內周端面照射由反射鏡反射的反射光，因此能夠以可通過顯影而將在該內周端面之上形成的感光性膜去除的程度充分地進行曝光。

附圖說明

圖1是用于說明本實施方式涉及的周邊曝光裝置的剖視圖。

圖2是用于說明本實施方式涉及的周邊曝光裝置的框圖。