[發(fā)明專利]周邊曝光裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580074910.7 | 申請(qǐng)日: | 2015-01-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107210198B | 公開(公告)日: | 2020-07-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 武田直幸;久我正一 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三菱電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/027 | 分類號(hào): | H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 周邊 曝光 裝置 | ||
1.一種周邊曝光裝置,其用于對(duì)半導(dǎo)體基板的臺(tái)階部即外周部進(jìn)行曝光,
該周邊曝光裝置具有:
光源,其設(shè)置為能夠?qū)λ鐾庵懿空丈涔猓灰约?/p>
反射鏡,其具有反射面,該反射面配置為沿與從所述光源照射的所述光的光軸交叉的方向進(jìn)行延伸,
所述反射鏡設(shè)置為在對(duì)所述半導(dǎo)體基板的所述外周部進(jìn)行曝光時(shí),在所述半導(dǎo)體基板的徑向上位于所述半導(dǎo)體基板的中心與所述外周部之間,并且所述反射鏡設(shè)置為對(duì)所述外周部的內(nèi)周側(cè)的內(nèi)周端面照射由所述反射面反射的反射光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的周邊曝光裝置,其中,
還具有檢測(cè)部,該檢測(cè)部能夠?qū)λ龇瓷溏R與所述半導(dǎo)體基板之間的距離進(jìn)行檢測(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的周邊曝光裝置,其中,
還具有反射鏡支撐臺(tái),該反射鏡支撐臺(tái)能夠?qū)λ龇瓷溏R進(jìn)行支撐,
所述反射鏡支撐臺(tái)具有反射鏡可動(dòng)部,該反射鏡可動(dòng)部能夠變更所述反射面相對(duì)于所述光的所述光軸的角度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的周邊曝光裝置,其中,
所述檢測(cè)部與所述反射鏡支撐臺(tái)的下表面配置于同一面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的周邊曝光裝置,其中,
所述檢測(cè)部與所述反射鏡支撐臺(tái)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的周邊曝光裝置,其中,
所述光源和所述反射鏡支撐臺(tái)設(shè)置為能夠作為一體而相對(duì)于所述半導(dǎo)體基板進(jìn)行移動(dòng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的周邊曝光裝置,其中,
所述檢測(cè)部包含第1傳感器,該第1傳感器能夠?qū)λ龇瓷溏R與所述半導(dǎo)體基板處由所述外周部包圍的內(nèi)周部之間的在所述半導(dǎo)體基板的厚度方向上的距離進(jìn)行檢測(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的周邊曝光裝置,其中,
所述檢測(cè)部包含第2傳感器,該第2傳感器能夠?qū)λ龇瓷溏R與所述外周部之間的在所述半導(dǎo)體基板的徑向上的距離進(jìn)行檢測(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的周邊曝光裝置,其中,
還具有基板支撐臺(tái),該基板支撐臺(tái)將所述半導(dǎo)體基板可旋轉(zhuǎn)地進(jìn)行支撐。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





