[發明專利]用于襯底容置的具有整體拐角彈簧的水平襯底容器在審
| 申請號: | 201580073604.1 | 申請日: | 2015-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN107112269A | 公開(公告)日: | 2017-08-29 |
| 發明(設計)人: | 艾瑞克·A·柯克蘭 | 申請(專利權)人: | 恩特格里斯公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287 | 代理人: | 齊楊 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 襯底 具有 整體 拐角 彈簧 水平 容器 | ||
相關申請案的交叉參考
本申請案主張于2014年12月8日提出申請的第62/089,103號美國臨時專利申請案的權益,所述美國臨時專利申請案的揭示內容特此以全文引用的方式并入。
背景技術
大體來說,襯底容器或載體用于在處理襯底(例如硅晶片或磁盤)之前、期間及之后運輸及/或儲存成批的所述襯底。可將襯底處理成集成電路且可將磁盤處理成用于計算機的磁性存儲磁盤。術語晶片、磁盤及襯底在本文中可互換地使用,且除非另有指示,否則這些術語中的任一者可稱為半導體晶片、磁盤、平板襯底及其它此類襯底。
從其制造集成電路及類似物的半導體晶片按慣例為圓形形狀且由高度易碎的硅制成。此類晶片在將半導體晶片轉變成集成電路組件時經受各種處理步驟。各種處理步驟是在超凈條件下執行以最小化晶片在被處理時受污染的可能性。每一晶片可在其處理循環中經受幾十甚至上百個步驟。貫穿各種處理及封裝步驟一直存在晶片受污染及毀壞的可能性或合格率的減小。特別是在于制作設施處發生的步驟期間,顆粒可隨時毀壞其掉落在上面的集成電路。一旦晶片的處理步驟完成,其通常在仍處于晶片形式的同時運送到將切割晶片上的每一個別電路并將其囊封于集成電路封裝中的設施。除非另有指示,否則術語晶片容器、載體、運送器、盒體、運輸/儲存箱及類似物可在本文中互換地使用。
傳統上,在襯底的處理、儲存及運送期間,在襯底的邊緣處支撐及約束襯底以減輕對襯底的上面具有電路的面的接觸以及可能損壞及污染。
甚至當襯底按比例擴大以變得較大(直徑高達450毫米及更大)時,組件的密度變得顯著較大。此外,磁盤也變得較薄,從而提供薄得多的完成集成電路封裝。伴隨著朝向較大、較密集及較薄襯底的趨勢,襯底變得更貴重、更易碎且更容易在運送期間受損壞。針對較薄、較脆襯底,利用襯底圍繞中心軸線彼此上下地堆疊于其中的殼體。
扎布卡(Zabka)等人的共同讓與的第7,040,487號美國專利(下文中,“扎布卡”)揭示一種包含通過閂鎖機構固持在一起的蓋及基底的保護性運送器。基底可經配置以在儲存凹窩內保護半導體晶片或其它襯底。基底包含界定儲存凹窩的支撐壁,且蓋圍封儲存凹窩。蓋包含經配置以最小化意外解鎖的一或多個閂鎖孔隙。博雷斯(Bores)等人的共同讓與的第6,550,619號美國專利(下文中,“博雷斯”)揭示具有基底、蓋及閂鎖機構的另一運送器。扎布卡及博雷斯特此以全文引用的方式并入本文中,其中所含的明確定義及專利權利要求書除外。
發明內容
本發明的各種實施例包含容納歸因于與制作容限相關聯的尺寸不確定性的累積而具有變化的高度的襯底堆疊的容器。即,襯底容器內的組件經受歸因于所規定加工容限(舉例來說,支撐環的厚度及平面度的加工容限)的尺寸不確定性。這些組件的所得尺寸不確定性導致本文中稱為“堆疊不確定性”的問題。本發明的各種實施例描述容易地適應寬范圍的堆疊不確定性的襯底容器,而不是加緊組件的尺寸容限(這將提高制作成本)。
針對本發明的一些實施例,實現寬范圍的堆疊不確定性的相同機構還提供對襯底載體及其內容物對抗震動的有效緩沖。
在結構上,本發明的各種實施例呈現一種襯底容器或運送器,其包含適于接收呈堆疊的襯底的呈同心環的形式的襯底支撐件。所述容器包含基底及頂蓋以圍封所述襯底堆疊。閂鎖機構適于將所述基底與頂蓋相對于彼此閂鎖且將所述襯底堆疊固定于所述容器內。所述閂鎖機構包含位于所述容器的外側部分上的可偏轉偏置拐角凸緣,所述凸緣充當彈簧以對所述蓋及對所述襯底堆疊形成負載。所述凸緣將所述堆疊固持于所述容器內,同時適應堆疊不確定性。在所述容器的所述頂蓋的側壁與所述基底之間形成間隙。偏轉限制器防止所述凸緣的過偏轉。本發明的實施例可與容納多種不同襯底大小(舉例來說,150mm、200mm、300mm及450mm襯底,僅舉幾個實例)的容器一起使用。在閱讀本發明后,其它方面將為所屬領域的技術人員顯而易見,且本發明內容不應視為具限制性。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





