[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201580073418.8
• 申請日: 2015-07-03
• 公開（公告）號: CN107210267B
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 小林達也;黑田壯司
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;H01L23/36
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;閆劍平

本發明提供一種半導體器件，BGA(9)具有：布線基板(2)、固定于布線基板(2)上的半導體芯片(1)、封固半導體芯片(1)的封固體(4)、以及設于布線基板(2)的下表面側的多個焊錫球(5)。BGA(9)的布線基板(2)的第一布線層(2i)的上表面(2ia)的平坦度比下表面(2ib)的平坦度低，設于第二布線層(2j)的第一圖案(2jc)設置在與設于第一布線層(2i)的第一圖案(2ic)重疊的位置。另外，在俯視時，設于第一布線層(2i)的第一圖案(2ic)的面積比設于第二布線層(2j)的多個(例如兩個)第二圖案(2jd)的面積大，在設于第二布線層(2j)的第一圖案(2jc)中形成有將第二絕緣層(2h)的一部分露出的第一開口部(2jm)。

技術領域

本發明涉及半導體器件，例如涉及應用于將半導體芯片搭載于多層布線基板的半導體器件的有效技術。

背景技術

在具有多層布線基板的半導體器件中，為了確保電氣特性的提高及散熱路徑，在多層布線基板的最下層的布線層設置面積大的散熱用或電源/GND(接地)用的圖案。而且，例如BGA(Ball Grid Array：球珊陣列)的散熱用的圖案中，設有散熱用的多個焊錫球，經由這些焊錫球向安裝基板(母板)進行熱傳遞。

此外，對于具有兩層布線層的塑料布線基板，其結構在例如日本特開平10－303334號公報(專利文獻1)中被公開。另外，具有四層布線層的多層布線基板的結構在例如日本特開2006－147676號公報(專利文獻2)及日本特開2014－123783號公報(專利文獻3)中被公開。另外，布線基板中，NSMD(Non－Solder Mask Defined：非阻焊層限定)結構的焊錫球用的接合區在例如日本特開2014－103152號公報(專利文獻4)中被公開。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平10－303334號公報

專利文獻2：日本特開2006－147676號公報

專利文獻3：日本特開2014－123783號公報

專利文獻4：日本特開2014－103152號公報

發明內容

在具有多層布線基板的半導體器件中，當考慮其熱傳遞時，在多層布線基板的最下層的布線層形成大面積的導電性圖案(例如，散熱圖案)是有效的，但近年來，隨著芯片的高性能化，搭載發熱量多的半導體芯片的情況變多，為了提高散熱性，產生形成更大的散熱圖案的必要性。

另外，在將半導體器件搭載于母板(安裝基板)時，以例如約250℃～260℃進行回流焊，但若通過回流焊而使多層布線基板被加熱至高溫，則從多層布線基板內的絕緣層等產生氣體(釋氣)。這種現象即使在半導體器件組裝后的后工序的測試時的加熱時等、及搭載有半導體器件的母板在高溫環境下使用時等也可能產生。而且，在半導體器件的多層布線基板的最下層的布線層設有大的散熱圖案的情況下，會成為從多層布線基板內的絕緣層的樹脂等產生的氣體難以從多層布線基板的下層側向外排放的狀態。

其結果為，本申請發明人發現，成為從多層布線基板的樹脂等產生的氣體由于大散熱圖案而難以向半導體器件外排放的狀態，因此，多層布線基板的內部壓力局部變高，在粘接性低的下層側的布線層與其正下方的絕緣層之間產生布線層的剝離。

而且，當產生上述剝離時，在多層布線基板的下層側產生鼓起，其結果為，在將半導體器件安裝至母板時產生安裝不良，半導體器件的可靠性降低。

其它課題和新的特征根據本說明書的記載及附圖將變得更加明朗。