[發明專利]半導體器件有效
| 申請號： | 201580073418.8 | 申請日： | 2015-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN107210267B | 公開（公告）日： | 2020-06-02 |
| 發明（設計）人： | 小林達也;黑田壯司 | 申請（專利權）人： | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/12 | 分類號： | H01L23/12;H01L23/36 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 陳偉;閆劍平 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件，其特征在于，包含：
布線基板，其具有第一絕緣層、覆蓋所述第一絕緣層的第一面側的第一保護膜、與所述第一絕緣層的所述第一面相反側的第二面接合的第一布線層、與所述第一布線層的第一面接合的第二絕緣層、與所述第二絕緣層的第一面接合的第二布線層、及覆蓋所述第二布線層的第一面的第二保護膜；以及
半導體芯片，其經由粘接劑而固定于所述第一保護膜的第一面，
所述第一布線層的所述第一面相反側的第二面的平坦度比所述第一布線層的所述第一面的平坦度低，
所述第一布線層具有第一圖案，
所述第二布線層具有第一圖案和多個第二圖案，
設于所述第二布線層的所述第一圖案設置在與設于所述第一布線層的所述第一圖案重疊的位置，
在俯視時，設于所述第二布線層的所述第一圖案的面積比設于所述第二布線層的所述多個第二圖案的總面積大，
在設于所述第二布線層的所述第一圖案中形成有將所述第二絕緣層的一部分露出的開口部，
在俯視時，設于所述第二布線層的所述第一圖案的面積比所述半導體芯片的面積大，
在透視俯視時，所述半導體芯片位于設于所述第二布線層的所述第一圖案的內側，
所述第二布線層的所述第一圖案具有從所述第二保護膜露出的多個接合區，
且具有分別形成在所述多個接合區的每一個接合區上的多個焊錫球，
所述第二布線層的所述第一圖案的所述多個接合區具有以彼此相鄰的方式配置的第一接合區及第二接合區，
在所述第一接合區和所述第二接合區之間形成有將所述第二絕緣層的一部分露出的第一開口部，
所述第二布線層的所述第一圖案具有形成有所述多個接合區的第一區域和位于所述第一區域的外側的第二區域，
所述開口部包含所述第一開口部和與所述第一開口部不同的第二開口部，
所述第一開口部配置于所述第一區域，且所述第二開口部配置于所述第二區域，
所述第一開口部的寬度比所述第二開口部的寬度窄。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，
在透視俯視時，設于所述第二布線層的所述第一圖案配置于所述第一布線層的所述第一圖案的內側。
3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，
所述第二布線層的所述多個第二圖案各自具有從所述第二保護膜露出的多個接合區，且具有分別形成在所述多個接合區的每一個接合區上的多個焊錫球。
4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，
所述多個接合區各自的周緣部由所述第二保護膜覆蓋，所述多個焊錫球分別以與所述多個接合區各自和所述多個接合區各自的周緣部上的所述第二保護膜接合的方式設置。
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