[發明專利]剝離多層基板的方法

有效

• 申請號: 201580073199.3
• 申請日: 2015-11-17
• 公開（公告）號: CN107108132B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: E·L·阿林頓;T·P·史密斯;J·T·韋斯特布魯克
• 申請（專利權）人: 康寧股份有限公司
• 主分類號: B65G49/06
• 分類號: B65G49/06
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 丁曉峰

1.一種加工第一基板的方法，其中所述第一基板的第一主表面可移除地結合到載體基板的第一主表面，所述方法包括以下歩驟：

(I)使臂在所述載體基板上延伸，其中附連構件由所述臂運載；

(II)將所述附連構件真空附連到所述載體基板的第二主表面的前周圍表面部分；

(III)利用所述附連構件向所述前周圍表面部分施加壓力；

(IV)減小所述載體基板與所述第一基板之間的結合強度；以及

(V)在所述附連構件相對于所述臂樞轉時，利用所述附連構件將所述載體基板的前周圍邊緣從所述第一基板剝離；

(VI)基于在歩驟(V)期間獲得的信息確定所述載體基板與所述第一基板之間的結合強度。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述附連構件相對于所述臂樞轉在0°至15°的范圍內的角度。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括以下歩驟：在所述臂相對于所述第一基板樞轉時持續從所述第一基板剝離所述載體基板，還包括以下步驟：在所述臂相對于所述第一基板樞轉時控制所述載體基板的彎曲半徑。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一基板的形狀在剝離步驟和施加壓力步驟中的至少一個步驟期間固定。

5.根據權利要求4所述的方法，還包括將所述第一基板真空附連到真空板，其中所述真空附連提供在所述剝離步驟和所述施加壓力步驟中的至少一個步驟期間固定的所述第一基板的形狀。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述載體基板的所述第二主表面的所述前周圍表面部分包括限定于所述載體基板的第一側邊緣與第二側邊緣之間的長度，并且施加壓力步驟沿著所述載體基板的所述第二主表面的所述前周圍表面部分的基本上整個長度施加壓力。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一基板包括選自下列的基板：玻璃基板和硅晶片。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一基板包括100微米至300微米的厚度。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述載體基板包括300微米至700微米的厚度。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述載體基板的占據面積大于所述第一基板的占據面積。

11.根據權利要求1所述的方法，其中在步驟(I)之前，還包括在將所述第一基板結合到所述載體基板上的同時加工所述第一基板的步驟。

12.根據權利要求1所述的方法，其中施加壓力步驟包括沿著所述前周圍表面部分的基本上整個長度均勻地施加所述壓力。

13.根據權利要求12所述的方法，其中剝離步驟包括從所述第一基板沿著所述前周圍表面部分的整個長度基本上同時剝離所述載體基板的所述前周圍邊緣。

14.一種加工第一基板的方法，其中所述第一基板的第一主表面可移除地結合到載體基板的第一主表面，所述方法包括以下歩驟：

(I)減小所述載體基板與所述第一基板之間的結合強度；

(II)通過向所述載體基板的第二主表面的前周圍表面部分施加壓力來從所述第一基板剝離所述載體基板的前周圍邊緣；

(III)基于在歩驟(II)期間獲得的信息確定所述載體基板與所述第一基板之間的結合強度；

(IV)從所述第一基板繼續剝離所述載體基板直到所述載體基板完全從所述第一基板剝離；以及

其中，在步驟(IV)期間控制所述載體基板的彎曲半徑。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述第一基板的形狀在剝離步驟和施加壓力步驟中的至少一個步驟期間固定。