[發明專利]從下往上的電解導通鍍覆方法

在審

• 申請號: 201580072215.7
• 申請日: 2015-11-05
• 公開（公告）號: CN107112279A
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發明（設計）人: R·A·貝爾曼;J·T·基奇;E·A·庫克森科瓦;S·C·波拉德
• 申請（專利權）人: 康寧股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/15;H01L23/498;H01L21/48;C25D1/04;C25D5/02;C25D7/12
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 徐鑫,項丹

1.一種產生導電通孔的方法，所述方法包括：

獲得第一基材，所述第一基材具有一個表面；

獲得第二基材，所述第二基材具有第一表面、第二表面和從所述第一表面延伸至所述第二表面的通孔；

將種子層施涂到第一基材的表面上；

在所述種子層或所述第二基材上形成表面改性層；

用所述表面改性層將所述第二基材與所述第一基材結合以形成組件，其中所述種子層和所述表面改性層被設置在所述第一基材和所述第二基材之間；

將導電材料施涂到所述通孔；以及

在將所述導電材料施涂到所述通孔后，從所述組件中除去所述第二基材。

2.如權利要求1所述的方法，其還包括在施涂所述種子層之前先將粘合層施涂到所述第一基材的表面上，以使得所述粘合層被設置在所述第一基材和所述種子層之間。

3.如權利要求2所述的方法，其中所述粘合層為Cr、Ti、Mo、Ni、NiCr、Hf、Zr、Nd、Ta、V或W中的一種。

4.如權利要求1-3任一項所述的方法，其中所述種子層為選自以下的導電材料：銅、銀、鎢、氮化鈦、鈦鎢、氮化鉭和銅合金。

5.如權利要求1或4所述的方法，其中將所述種子層直接施涂到所述第一基材的表面。

6.如權利要求1-5任一項所述的方法，其中所述表面改性層在所述種子層和所述第二基材之間提供臨時結合。

7.如權利要求1-6任一項所述的方法，其還包括除去延伸穿過所述通孔的一個開口的表面改性層的一部分以暴露所述種子層。

8.如權利要求7所述的方法，其中除去所述表面改性層的一部分包括將所述表面改性層暴露于氧等離子體。

9.如權利要求1-8任一項所述的方法，其中所述第一基材包括玻璃。

10.如權利要求1-9任一項所述的方法，其中所述第二基材包括玻璃。

11.如權利要求1-10任一項所述的方法，其中將導電材料施涂到所述通孔上包括電解鍍覆所述通孔。

12.如權利要求11所述的方法，其中用導電材料填充所述通孔。

13.如權利要求1-12任一項所述的方法，其中所述導電材料為金屬。

14.如權利要求1-13任一項所述的方法，其還包括將種子層施涂到所述第二基材。

15.如權利要求14所述的方法，其還包括在將所述種子層施涂到所述第二基材之前，將粘合層施涂到所述第二基材。

16.如權利要求14所述的方法，其中在將所述第一基材和第二基材結合之前，將所述種子層施涂到所述第二基材。

17.如權利要求14所述的方法，其中在將所述第一基材和第二基材結合之后，將所述種子層施涂到所述第二基材。

18.如權利要求1-17任一項所述的方法，其中從所述組件中除去所述第二基材包括機械除去所述第二基材。

19.如權利要求1-18任一項所述的方法，其中從所述組件中除去所述第二基材不會導致所述第一基材或所述第二基材破裂成兩片或多片。

20.如權利要求1-19任一項所述的方法，其中所述表面改性層為第一表面改性層，并且所述方法還包括在施涂所述種子層之前，在所述第一基材的表面上形成第二表面改性層。

21.如權利要求20所述的方法，其還包括從所述種子層中除去所述第一基材。