[發明專利]從下往上的電解導通鍍覆方法在審
| 申請號: | 201580072215.7 | 申請日: | 2015-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN107112279A | 公開(公告)日: | 2017-08-29 |
| 發明(設計)人: | R·A·貝爾曼;J·T·基奇;E·A·庫克森科瓦;S·C·波拉德 | 申請(專利權)人: | 康寧股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;H01L23/15;H01L23/498;H01L21/48;C25D1/04;C25D5/02;C25D7/12 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司31100 | 代理人: | 徐鑫,項丹 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 往上 電解 鍍覆 方法 | ||
相關申請的交叉引用
本申請根據35U.S.C.§119,要求2014年11月5日提交的美國臨時申請系列第62/075326號的優先權,本文以該申請為基礎并將其全文通過引用結合于此。
技術背景
技術領域
本公開涉及將導電材料施涂到通孔的方法。
技術背景
中介層(interposer)可用于在硅微芯片和有機基材之間布置電信號路線,可用于在間距密集的芯片與下方間距較寬的層之間展開電連接,或者可用于在二維或三維包裝結構中連接多個硅芯片。中介層需要通過中介層的厚度進行導電。這可利用導電通孔來實現。使用電解鍍覆,可用導電層填充通孔。然而,作為該方法的第一步,其要求鍍覆中介層基材的所有表面,即通孔壁和垂直于通孔壁的基材的平坦表面。作為第二步,繼續進行鍍覆方法直至通孔被填滿。然后需要從基材的平坦表面除去“過載”層。這可能是一個耗時且昂貴的方法。因此,需要一種將導電材料施涂到通孔而不會導致過載層出現的方法。
發明內容
在本文公開的一些實施方式中,用于產生導電通孔的方法可包括獲得第一基材,所述第一基材具有一個表面;獲得第二基材,所述第二基材具有第一表面、第二表面和從所述第一表面延伸至所述第二表面的通孔;將種子層施涂到第一基材的表面上;在所述種子層或所述第二基材上形成表面改性層;用所述表面改性層將所述第二基材與所述第一基材結合以形成組件,其中所述種子層和所述表面改性層被設置在所述第一基材和所述第二基材之間;將導電材料施涂到所述通孔;以及在將所述導電材料施涂到所述通孔后,從所述組件中除去所述第二基材。
在一些實施方式中,所述方法還可包括在施涂所述種子層之前先將粘合層施涂到所述第一基材的表面上,以使得所述粘合層被設置在所述第一基材和所述種子層之間。所述粘合層可為Cr、Ti、Mo、Ni、NiCr、Hf、Zr、Nd、Ta、V和W中的一種。所述種子層可為選自以下的導電材料:銅、銀、鎢、氮化鈦、鈦鎢、氮化鉭和銅合金。可將所述種子層直接施涂到所述第一基材的表面。所述表面改性層可在所述種子層和所述第二基材之間提供臨時結合。所述方法還可包括除去延伸穿過所述通孔的一個開口的表面改性層的一部分以暴露所述種子層,例如,通過將所述表面改性層暴露于氧等離子體。所述第一基材和所述第二基材可為玻璃。可通過電解鍍覆將導電材料施涂到所述通孔。所述通孔可用導電材料(例如金屬)填充。可從所述組件中機械地除去所述第二基材。從所述組件中除去所述第二基材不會導致所述第一基材或所述第二基材破裂成兩片或多片。
在一些實施方式中,可將種子層施涂到所述第二基材。可在將所述種子層施涂到所述第二基材之前,將粘合層施涂到所述第二基材。可在將所述第一基材和第二基材結合之前或之后,將所述種子層和/或粘合層施涂到所述第二基材。
在一些實施方式中,在所述種子層或所述第二基材上形成的所述表面改性層為第一表面改性層,并且在施涂所述種子層之前,在所述第一基材的表面上形成第二改性層。在這樣的實施方式中,所述方法還可包括從所述種子層中除去所述第一基材。
應理解,前面的一般性描述和以下的詳細描述都僅僅是示例性,用來提供理解權利要求的性質和特性的總體評述或框架。在以下的詳細描述中給出了其他特征和優點,其中的部分特征和優點對本領域的技術人員而言,根據所作描述就容易看出,或者通過實施包括以下詳細描述、權利要求書以及附圖在內的本文所述的各種實施方式而被認識。
附圖的簡要說明
所附附圖提供了進一步理解,附圖被結合在本說明書中并構成說明書的一部分。附圖說明了一個或多個實施方式,并與說明書一起用來解釋各種實施方式的原理和操作。這些附圖不是按比例繪制的。
圖1A-1D為用于將導電材料施涂到通孔的第一示例性實施方式的流程圖;
圖2A-2D為用于將導電材料施涂到通孔的第二示例性實施方式的流程圖;
圖3A-3E為用于將導電材料施涂到通孔的第三示例性實施方式的流程圖;
圖4A-4D為用于將導電材料施涂到通孔的第四示例性實施方式的流程圖。
詳述
下面詳細說明優選實施方式,這些實施方式的實例在附圖中示出。只要可能,在附圖中使用相同的附圖標記表示相同或相似的部件。
定義
“可選的”或“可選地”表示隨后描述的事件或情形可以發生或可以不發生,而且該描述包括所述事件或情形發生的情況和事件或情形不發生的情況。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





