[發明專利]多阻擋層封裝疊層有效
| 申請號: | 201580071038.0 | 申請日: | 2015-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN107112200B | 公開(公告)日: | 2021-03-26 |
| 發明(設計)人: | A·M·賈恩;J-C·吉龍 | 申請(專利權)人: | SAGE電致變色顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 章蕾 |
| 地址: | 美國明*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 阻擋 封裝 | ||
本發明涉及一種用于封裝設備以限制在設備與外界環境之間的環境元素滲透的方法,其包括向設備施加多個阻擋層并且在每次層施加之前獨立地清潔當前暴露的設備表面,從而產生包括封裝疊層的設備,其中封裝疊層包括阻擋層的多層疊層。每次獨立的清潔從當前暴露的設備表面去除顆粒,從而暴露阻擋層中的由顆粒形成的間隙,隨后施加的阻擋層至少部分地填充間隙,以便限制經由間隙空間穿過封裝疊層的滲透路徑。施加以形成疊層的阻擋層的數量可以基于判定的概率,判定的概率為特定數量的阻擋層的疊層與穿過疊層的至少一定數量的連續滲透路徑無關的概率。
背景技術
各種設備可以包括基板、設置在一個或多個基板上的裝置等等。這種裝置可以包括電致變色(EC)裝置、發光二極管(OLED)、光生伏打(PV)、薄膜裝置、薄膜電池裝置、其某個組合等等中的一者或多者。在一些情況下,設備可以定位在包括可以破壞或惡化裝置、基板等等的環境元素的環境中。例如,EC裝置可以暴露于作為環境空氣和水蒸汽的混合物的周圍環境。來自周圍環境的可以包括顆粒物質、沉淀物、氣體、液體、固體等等的一個或多個不同情況的環境元素可以滲透通過各種設備(包括EC裝置)的各個層。例如,環境元素可以包括水、氧氣、其某個組合等等中的一者或多者,其中設備包括對水敏感(在此也稱為對“水分”敏感)的EC裝置,水向EC裝置的滲透可能引起EC裝置的一個或多個元件的惡化,這可能引起EC裝置的功能的惡化。EC裝置的惡化功能可以包括EC裝置的至少部分地基于所施加的電勢改變著色的結構能力的惡化。包括有機發光二極管(OLED)、光生伏打(PV)、薄膜裝置、其某個組合等等的各種其他設備可以對一個或多個不同的環境元素敏感。
在一些情況下,設備被構造成包括提供對來自周圍環境的環境元素滲透的至少一定保護的阻擋層。在一些情況下,所施加的阻擋層稱為“封裝層”、“封裝疊層”等。設備的這種結構化可以稱為使設備“鈍化”,構造成限制環境元素經由一個或多個阻擋層在設備的環境元素敏感部分與外界環境之間滲透的設備可以稱為“被鈍化的”設備。
施加到設備的阻擋層在一些情況下可以包括瑕疵、缺陷等等,這可以引起穿過環境元素能夠經由其通過的阻擋層的滲透“路徑”,由此造成穿過阻擋層的環境元素滲透。這些缺陷可能由存在于暴露的設備表面上的顆粒引起,其中封裝疊層施加至暴露的設備表面。在一些情況下,顆粒可能由于阻擋層施加過程的一個或多個部分而沉積在暴露表面上。
在一些情況下,存在于暴露表面上的顆粒可能引起間隙的形成,間隙在本文中還可互換地稱為所施加的阻擋層中的“間隙空間”。這種間隙空間的形成可以由存在于暴露表面上的顆粒所引起,顆粒的直徑基本大于所施加的阻擋層的厚度,使得包圍顆粒的阻擋層的部分上的應力引起阻擋層的粘著的局部削弱,這可能引起顆粒周圍的局部阻擋層分離、失效等等。例如,一些阻擋層施加過程包括原子層沉積(ALD),原子層沉積在暴露表面上提供共形、薄層的滲透抵抗材料。在一些情況下,在阻擋層施加過程之前或作為阻擋層施加過程的結果而存在于暴露表面上的顆粒可以比經由ALD施加的阻擋層的厚度基本更厚(即直徑更寬),導致在阻擋層中形成間隙空間,在此間隙空間提供用于使環境元素從外界環境穿行至設備的滲透路徑。
附圖說明
圖1示出根據一些實施例的設備的透視圖,該設備包括基板、設置在基板上的裝置以及施加到裝置的基板遠端側上的封裝層,封裝層使設備對于至少一些環境元素鈍化。
圖2示出根據一些實施例的設備的局部截面圖,該設備具有包括由于顆粒而形成的間隙空間缺陷的所施加的阻擋層。
圖3示出根據一些實施例的設備的由于施加到設備的阻擋層中的間隙空間而隨著時間逐漸惡化的多個視圖。
圖4A示出根據一些實施例的設備的局部截面圖,該設備包括構造成包括交替的共形和滲透抵抗層的多層封裝疊層。
圖4B示出根據一些實施例的設備的局部截面圖,該設備包括構造成包括多個連續滲透抵抗層的多層封裝疊層。
圖5A-圖5H示出根據一些實施例的在設備上施加多層封裝疊層的過程,包括在施加多個阻擋層中的每一個之前執行對當前暴露的設備表面的清潔。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





