[發(fā)明專利]多阻擋層封裝疊層有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580071038.0 | 申請日: | 2015-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN107112200B | 公開(公告)日: | 2021-03-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | A·M·賈恩;J-C·吉龍 | 申請(專利權)人: | SAGE電致變色顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 章蕾 |
| 地址: | 美國明*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 阻擋 封裝 | ||
1.一種包括多層封裝疊層的設備,所述設備包括:
基板;和
多層封裝疊層,所述多層封裝疊層施加于所述基板并且構造成限制在所述基板與周圍環(huán)境之間的環(huán)境元素滲透,其中,所述多層封裝疊層包括:
多個連貫地施加的薄膜阻擋層,其中,在在前施加的薄膜阻擋層的當前暴露的層表面經(jīng)由清潔過程被至少部分地清潔之后將至少一個單獨的薄膜阻擋層施加于所述當前暴露的層表面,所述清潔過程至少部分地通過由一個或多個計算機系統(tǒng)控制的裝置執(zhí)行,使得至少一部分顆粒被承載遠離所述當前暴露的層表面以產生清潔的當前暴露的層表面,當施加所述至少一個單獨的薄膜阻擋層時所述清潔的當前暴露的層表面與未經(jīng)由清潔過程清潔的所述當前暴露的層表面相比具有更少的顆粒,其中所述至少一個單獨的薄膜阻擋層至少部分地填充所述清潔的當前暴露的層表面中由被承載遠離的所述至少一部分顆粒所形成的暴露的間隙空間。
2.根據(jù)權利要求1所述的設備,其中:
所述多層封裝疊層包括特定數(shù)量的薄膜阻擋層,其中:
所述特定數(shù)量與在特定置信水平下的閾值概率相關,所述閾值概率為所述基板與所述周圍環(huán)境之間的穿過所述特定數(shù)量的薄膜阻擋層中的一個或多個間隙空間的連續(xù)滲透路徑的數(shù)量小于閾值的概率。
3.根據(jù)權利要求1所述的設備,其中:
至少部分地清除所述當前暴露的層表面的顆粒以暴露在所述當前暴露的層表面中由所述顆粒形成的間隙空間包括以下中的至少一個:
向所述當前暴露的層表面施加刷涂裝置;
向所述當前暴露的層表面施加擦洗裝置;
向所述當前暴露的層表面施加聲波;
向所述當前暴露的層表面施加流體流;
向所述當前暴露的層表面引導二氧化碳薄片流;或者
向所述當前暴露的層表面引導氣泡射流,所述氣泡射流包括液態(tài)和氣態(tài)物質的混合物。
4.根據(jù)權利要求1所述的設備,其中:
所述裝置包括構造成至少部分地基于選擇性改變施加于所述單獨的傳導層節(jié)段的電壓在至少兩個單獨的透射狀態(tài)之間選擇性地切換的照相機光圈濾光器。
5.根據(jù)權利要求1所述的設備,其中:
所述環(huán)境元素滲透包括水或氧氣中的至少一者的滲透。
6.一種將至少基板構造成抵制外界環(huán)境與所述基板之間的環(huán)境元素滲透的方法,所述構造包括:
向所述基板施加多個阻擋層,使得至少一個阻擋層施加于當前暴露表面,所述當前暴露表面包括在前施加的阻擋層的暴露層表面;
將對所述當前暴露表面的清潔介入連續(xù)的阻擋層施加,使得每個連貫地施加的阻擋層施加于清潔的當前暴露表面;以及
在連續(xù)的阻擋層施加之間以及基于所產生的傳感器數(shù)據(jù)判定所述多個阻擋層與穿過一個或多個間隙空間而穿過所述多個阻擋層的至少一定數(shù)量的連續(xù)滲透路徑無關的概率小于閾值,使得至少一個阻擋層至少部分地基于所述判定隨后施加。
7.根據(jù)權利要求6所述的方法,其中:
將對所述當前暴露表面的清潔介入連續(xù)的阻擋層施加包括在所述當前暴露表面上執(zhí)行清潔過程,所述清潔過程構造成去除存在于至少所述當前暴露表面上的至少一個顆粒并且暴露由所述至少一個顆粒形成的至少一個間隙空間,使得隨后施加的阻擋層至少部分地填充所述至少一個暴露的間隙空間。
8.根據(jù)權利要求6所述的方法,其中,向所述基板施加所述多個阻擋層包括:
向所述基板施加特定數(shù)量的阻擋層,使得所述多個阻擋層包括所述特定數(shù)量的阻擋層;
其中,所述特定數(shù)量是與閾值概率相關的阻擋層的最低數(shù)量,所述閾值概率為所述多個阻擋層與穿過一個或多個間隙空間而穿過所述多個阻擋層的至少一定數(shù)量的連續(xù)滲透路徑無關的概率。
9.根據(jù)權利要求6所述的方法,其中:
所述多個阻擋層中的至少一個阻擋層包括薄膜阻擋層,其中,施加所述薄膜阻擋層包括利用包括所述薄膜阻擋層的材料涂布當前暴露表面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





