[發(fā)明專利]用于生產(chǎn)具有包括金屬基底、電介質(zhì)涂層和導(dǎo)電層的支承件的光電模塊的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580070740.5
• 申請日: 2015-12-23
• 公開（公告）號: CN107250778B
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 菲利普·蓋諾
• 申請（專利權(quán)）人: 安賽樂米塔爾公司
• 主分類號: G01N25/72
• 分類號: G01N25/72;H02S50/10
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 杜誠;李德山

1.一種用于制造光電模塊(100)的制造方法，所述光電模塊(100)包括支承件(5)和位于所述支承件(5)上的附加層(107)，所述支承件(5)由不具有任何光電特性的組件(25)組成，所述組件(25)依次包括金屬基底(27)、位于所述金屬基底(27)上的電介質(zhì)涂層(29)以及位于所述電介質(zhì)涂層(29)上的導(dǎo)電層(31)，

所述制造方法至少包括按如下次序的以下步驟：

用于提供所述支承件(5)并且用于應(yīng)用用于控制所述支承件(5)的控制方法的步驟，或者用于提供已經(jīng)經(jīng)受了所述控制方法的所述支承件(5)的步驟，以及

用于在所述支承件(5)的所述導(dǎo)電層(31)上沉積至少所述附加層(107)以獲得所述光電模塊(100)的步驟，

用于所述支承件(5)的所述控制方法至少包括以下步驟：

-通過使所述金屬基底(27)和所述導(dǎo)電層(31)與電壓源(33)電接觸來對所述支承件(5)進行電激勵，以及

-對所激勵的支承件(5)進行光熱檢查，以檢測至少部分地位于所述電介質(zhì)涂層(29)中的可能的缺陷(49，51)并且提供光熱檢查結(jié)果。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，所述電介質(zhì)涂層(29)具有大于或等于2的相對介電常數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，所述導(dǎo)電層(31)基本上完全覆蓋所述電介質(zhì)涂層(29)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，提供所述支承件(5)包括用于在所述電介質(zhì)涂層(29)的至少一部分上沉積所述導(dǎo)電層(31)的子步驟。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其中，用于沉積所述導(dǎo)電層(31)的子步驟包括在所述電介質(zhì)涂層(29)上進行所述導(dǎo)電層(31)的物理氣相沉積。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的制造方法，其中，所述導(dǎo)電層(31)具有包括在10納米與5μm之間的厚度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的制造方法，其中，所述電激勵步驟具有包括在0.01秒與10秒之間的持續(xù)時間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的制造方法，其中，在所述電激勵步驟中，所述電壓源(33)適于使直流電流i流過所述支承件(5)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的制造方法，其中，所述光熱檢查步驟包括在紅外域中拍攝所激勵的支承件(5)的至少一個圖像(45)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其中，所述光熱檢查步驟包括拍攝至少兩個相對于彼此時移和/或譜移的圖像。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法，其中，所述光熱檢查步驟包括拍攝多于兩個相對于彼此時移和/或譜移的圖像。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其中，對所述支承件進行光熱檢查包括所激勵的支承件(5)的溫度變化的測量。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造方法，其中，通過確定在所述圖像(45)中觀察到的熱梯度的代表量的極值來實現(xiàn)可能的缺陷(49，51)的檢測。

14.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的制造方法，其中，所提供的支承件(5)正在行進。

15.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的制造方法，其中，所述導(dǎo)電層(31)由選自Al、Ag、Au、Mo、Na、Cr、CeCu₆、CeSn₃、SiGe合金、Bi₂Te₃、PbTe、GeTe、MgSiSn合金、ZnO、TiO₂、Pt、RhFe、釩氧化物、非晶硅以及鐵氧化物中的一種或更多種任意材料形成。