[發明專利]真空卡盤裝置在審
| 申請號: | 201580070393.6 | 申請日: | 2015-07-09 |
| 公開(公告)號: | CN107112273A | 公開(公告)日: | 2017-08-29 |
| 發明(設計)人: | 樸佑泰 | 申請(專利權)人: | 樸佑泰 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京冠和權律師事務所11399 | 代理人: | 朱健 |
| 地址: | 韓國忠清*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空 卡盤 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種真空卡盤裝置。
詳細地,本發明涉及一種真空卡盤裝置,其包括真空卡盤構成部和框架,所述真空卡盤構成部使得在腔室(chamber)所生成的吸入壓力能夠在吸附部的整體面上均勻地產生,從而能夠使得用于實施作業或實驗的對象物更加穩定地得到安裝,所述框架用于使得所述真空卡盤構成部保持作業高度的狀態下設置的同時,對用于驅動真空卡盤構成部的周邊裝置進行收納,從而實現為單一的裝置。
此外,本發明涉及一種真空卡盤裝置,在所述框架上圖像采集裝置(camera)設置于真空卡盤構成部的上部,所述圖像采集裝置用于觀察對象物的作業或實驗狀況,所述圖像采集裝置能夠使得拍攝位置及角度變化的同時對作業狀況進行觀察。
背景技術
真空卡盤(Vacuum chuck)是利用真空對用于實施作業或實驗的對象物進行固定的裝置,這樣的真空卡盤用于半導體集成電路的加工或薄板部件的加工或實驗裝備等。
尤其,為了所述半導體集成電路的加工,近來供給一種真空卡盤,所述真空卡盤構成為,為了使得吸附面保持最穩定的形態,將多孔硅制作成板(plate)形態,所述吸附面用于安裝晶元等對象物,并且將由所述多孔硅形成的板部件與用于生生成真空的基底(base)結合。
韓國實用新型登記申請第2005-0030574號(利用多孔硅的雙重結構的真空卡盤,以下稱已申請發明)中提出了前述的真空卡盤。
已申請發明的真空卡盤使得相對于晶元背面的接觸面積最小化,從而不僅具有減少粒子(particle)生成的效果,而且從形成于副卡盤基底(sub chuck base)的多個孔以均勻的壓力對晶元進行吸附,從而使得放置于副卡盤基底上的晶元的平坦度穩定地保持,并防止晶元局部變形的同時,提高在光刻(photo)工藝中的晶元聚焦(focusing)的精密性。
為此,所述卡盤是一種利用真空的吸入力來對晶元進行吸附的半導體制造設備的真空卡盤,所述真空卡盤包括如下雙重結構:主卡盤基底,其使得真空孔和真空解除孔相互具有一定間隔并連續設置,并通過外壁設置安放面;副卡盤基底,其為具有多個孔的多孔硅,安放于所述主卡盤基底的安放面。
如上所述的已申請發明的真空卡盤因為真空孔形成為通路的形態,所以僅在真空孔的垂直上方產生相當的吸入壓力,從而使得對象物得到吸附的吸附面的整體真空度不均勻。
由此,所述整體吸附面的不均勻的真空度在對所吸附的對象物實施加工時所產生的微小沖擊也會引起對象物的位置脫離,因此暴露出引起相當的作業不良的問題。
尤其,如上所述,吸附面的真空度不可能時,在單一的真空卡盤上應只安裝單一的對象物,其在半導體或各種材料的加工過程中進行適用,雖然沒有較大的牽強之處,但是在實驗室中需要對多個對象物同時進行實驗的情況下,會暴露難以適用的問題。
發明內容
本發明是為了解決所述問題而進行發明的。
對此,本發明的目的在于提供一種真空卡盤裝置,其包括真空卡盤構成部和框架,所述真空卡盤構成部使得在腔室所生成的吸入壓力能夠在吸附部的整體面上均勻地產生,從而能夠使得用于實施作業或實驗的對象物更加穩定地得到安裝,所述框架用于使得所述真空卡盤構成部保持作業高度的狀態下設置的同時,對用于驅動真空卡盤構成部的周邊裝置進行收納,從而實現為單一的裝置。
此外,本發明的另一個目的在于提供一種真空卡盤裝置,在所述框架上圖像采集裝置(camera)設置于真空卡盤構成部的上部,所述圖像采集裝置用于觀察對象物的作業或實驗狀況,所述圖像采集裝置能夠使得拍攝位置及角度變化的同時對作業狀況進行觀察。
此外,本發明的又另一個目的在于提供一種真空卡盤裝置,真空卡盤是由多孔的吸附部和基底相結合而形成的,所述基底包括用于生成吸入壓力的腔室,使得在腔室所生成的吸入壓力能夠在吸附部的整體面上均勻地產生,從而能夠使得對象物更加穩定地得到安裝。
為了實現所述目的,本發明具有如下構成。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





