[發明專利]光固化性組合物及其應用

有效

• 申請號: 201580069521.5
• 申請日: 2015-12-15
• 公開（公告）號: CN107112208B
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 米澤詩織;伊藤俊樹;大谷智教;巖下和美;本間猛
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;B29C59/02;H01L21/3065
• 代理公司: 北京魏啟學律師事務所 11398
• 代理人: 魏啟學

一種壓印用光固化性組合物，至少具有聚合性化合物(A)和光聚合引發劑(B)，其中聚合性化合物(A)包含20重量％以上的多官能(甲基)丙烯酸系單體，且光固化性組合物的光固化物的玻璃化轉變溫度為90℃以上。

技術領域

本發明涉及一種壓印用光固化性組合物，使用其的膜的制造方法，使用其的光學組件的制造方法，使用其的電路板的制造方法和使用其的電子組件的制造方法。

背景技術

對半導體器件和MEMS等小型化的要求日趨增長。因此，除了以前的光刻技術以外，采用在基板(晶片)上形成并具有規定形狀的抗蝕劑(納米壓印用光固化性組合物)圖案作為模具的微加工技術正引起關注。該技術也稱作光壓印技術(光納米壓印)，并且可在基板上形成數納米級的精細結構(PTL 1)。根據光壓印技術，首先，將抗蝕劑施加至基板上的圖案形成區域(配置步驟)。接著，采用在其上形成圖案的模具成型抗蝕劑(模具接觸步驟)。然后，通過發射光以固化抗蝕劑(用光照射步驟)，然后分離固化的抗蝕劑(脫模步驟)。通過進行這些步驟，在基板上形成具有規定形狀的抗蝕劑固化物(光固化膜)圖案。此外，通過在基板的其它位置重復全部上述步驟，可在全部基板上形成精細結構。

通過光壓印技術在基板上形成的具有圖案的光固化膜有時在采用干法蝕刻技術的基板加工中用作掩膜。在此情況下，為了以良好產率加工基板，要求光固化膜具有高的耐干法蝕刻性。此外，在制造半導體器件中，要求以期望線寬度的約±10-12％的精度形成電路板。

引用文獻列表

專利文獻

PTL 1：日本專利特開No.2007--186570

發明內容

發明要解決的問題

當采用干法蝕刻技術將抗蝕劑固化物的圖案轉印成電路圖案時，抗蝕劑固化物由于蝕刻產生的反應熱而發生熱膨脹。因此，當抗蝕劑固化物的熱膨脹系數大時，導致圖案的線寬膨脹和變形，這引起了無法獲得要求的精度的電路圖案的問題。

另外，當工業上采用光壓印法時，為了獲得高生產率，要求將壓印用光固化性組合物與模具接觸后，壓印用光固化性組合物迅速填充模具上的精細圖案的凹部。

為了解決上述問題，需要一種在固化時具有小的熱膨脹并且具有優異填充性能的壓印用光固化性組合物。

本發明提供一種在干法蝕刻中具有小的熱膨脹且在光壓印法中具有優異填充性能的壓印用光固化性組合物。本發明還提供采用壓印用光固化性組合物的膜制造方法，采用其制備光學組件的方法，采用其制備電路板的方法和采用其制備電子組件的方法。

用于解決問題的方案

本發明是一種至少具有聚合性化合物(A)和光聚合引發劑(B)的壓印用光固化性組合物，其中聚合性化合物(A)包含20重量％以上的多官能(甲基)丙烯酸系單體，且光固化性組合物的光固化物的玻璃化轉變溫度為90℃以上。

本發明的進一步特征通過以下參考附圖的示例性實施方案描述，將變得顯而易見。

附圖說明

[圖1A]圖1A是示出實施方案的膜的制造方法的例子的截面示意圖。

[圖1B]圖1B包括圖1B(b-1)和1B(b-2)，是示出本實施方案的膜的制造方法的例子的截面示意圖。

[圖1C]圖1C是示出本實施方案的膜的制造方法的例子的截面示意圖。

[圖1D]圖1D包括圖1D(d-1)和圖1D(d-2)，是示出本實施方案的膜的制造方法的例子的截面示意圖。