[發(fā)明專利]柔性印刷電路基板用電磁波屏蔽膜的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580066995.4
• 申請日: 2015-12-23
• 公開（公告）號: CN107405878B
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發(fā)明（設計）人: 樸漢性;曺景橒;金宇貞;柳正燮
• 申請（專利權）人: 株式會社斗山
• 主分類號: B32B15/08
• 分類號: B32B15/08;B32B15/20;B32B27/00;B32B37/10;B32B37/12;B32B37/26;B32B33/00;H05K9/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權代理有限公司 11243
• 代理人: 金鮮英;宋海花

本發(fā)明提供一種電磁波屏蔽膜的制造方法，包括：(i)在第一基材膜的第一面上涂布絕緣層形成用熱固性樹脂組合物以形成絕緣層的步驟；(ii)在所述絕緣層上層疊由第二銅箔、粘接層和載體第一銅箔構成的分離型(peelable)雙層銅箔，且接合絕緣層和第二銅箔后拆卸所述載體第一銅箔的步驟；(iii)在第二基材膜的第一面上涂布包含導電性填料和熱固性樹脂的導電性粘接層形成用樹脂組合物后干燥，以形成導電性粘接層的步驟；以及(iv)層疊第一基材膜和第二基材膜，且配置成所述第一基材膜的第二銅箔與第二基材膜的導電性粘接層彼此接觸后通過加壓工序壓接的步驟。本發(fā)明中，不但可以使以往制造電磁波屏蔽膜時為了形成多個涂布層而反復執(zhí)行多層涂布工序所導致的原材料的損失最小化，還可以實現(xiàn)制造工序簡單化，從而提高經(jīng)濟性。

技術領域

本發(fā)明涉及屏蔽在計算機、通信設備、打印機、便攜式電話、攝像機等電子產(chǎn)品中使用的印刷電路基板等電子部件、電纜、電線等通信設備或通信部件中發(fā)生的電磁波的屏蔽膜的新制造方法。

背景技術

通常，對電子設備的小型化、平面化和高功能化的要求逐漸增加。為滿足這些要求，將不同使用頻域的部件用于相同電子設備，隨之產(chǎn)生復雜電磁波噪聲，加大了針對這種復雜電磁波噪聲采取措施的難度。同時，對數(shù)據(jù)傳輸電纜的薄型化和電磁波噪聲發(fā)射量小的要求也逐漸增加。傳輸大量數(shù)據(jù)時，電磁波噪聲引起的數(shù)據(jù)干擾往往導致數(shù)據(jù)錯誤、數(shù)據(jù)丟失等情況。

為滿足電磁波兼容性，應該盡量減少由各種機電設備和通信設備產(chǎn)生的電磁波噪聲，減少對外部電磁波環(huán)境的電磁波敏感性，加強設備自身的電磁波耐性。對于插入于各種機電設備和通信設備的電磁波兼容性產(chǎn)品要求的最重要的特性是電磁波屏蔽率和吸收率要高，此外，隨著設備的輕薄短小化趨勢，電磁波兼容性產(chǎn)品要小而薄。

作為解決上述電磁波噪聲問題的對策，通常使用在一層以上的絕緣層上依次設置有金屬層和導電性粘接層的屏蔽膜。為了在基材膜上形成絕緣層、金屬層、導電性粘接層等多個涂布層，這種屏蔽膜一般通過反復執(zhí)行至少兩次以上的涂布工序制造。如此，在執(zhí)行第二次多層涂布時，必然會發(fā)生第一次涂布后的原材料的損失，從而導致最終產(chǎn)品的收率和物性下降的問題。

發(fā)明內(nèi)容

技術問題

本發(fā)明為解決上述問題而提出，其著眼于，通過將以往制造電磁波屏蔽膜時為形成多個涂布層而反復執(zhí)行的多層涂布工序變更為第一次涂布后實施層壓的工序，能夠?qū)崿F(xiàn)材料損失最小化和制造工序簡單化。

尤其，本發(fā)明中，制造包含銅(copper)材質(zhì)的金屬層的電磁波屏蔽膜時，使用通過連續(xù)工序生產(chǎn)的可分離型雙層銅箔，從而不但能夠?qū)崿F(xiàn)上述效果，還能夠通過聯(lián)動現(xiàn)有銅箔生產(chǎn)線和涂布工序線來縮短現(xiàn)有電磁波屏蔽膜的部分制造工序，提高生產(chǎn)率。

為此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠同時實現(xiàn)上述材料損失最小化、制造工序簡單化、生產(chǎn)率提高的電磁波屏蔽膜的新制造方法。

解決課題方法

為達成上述目的，本發(fā)明提供一種電磁波屏蔽膜的制造方法，包括：(i)在第一基材膜的第一面上涂布絕緣層形成用熱固性樹脂組合物以形成絕緣層的步驟；(ii)在所述絕緣層上層疊由第二銅箔、粘接層和載體第一銅箔構成的分離型(peelable)雙層銅箔，且接合絕緣層和第二銅箔后拆卸所述載體第一銅箔的步驟；(iii)在第二基材膜的第一面上涂布包括導電性填料和熱固性樹脂的導電性粘接層形成用樹脂組合物后干燥，以形成導電性粘接層的步驟；以及(iv)層疊第一基材膜和第二基材膜，且配置成所述第一基材膜的第二銅箔與第二基材膜的導電性粘接層彼此接觸后通過加壓工序壓接的步驟。

其中，優(yōu)選所述步驟(i)中形成的絕緣層為半固化(B-stage)狀態(tài)，優(yōu)選所述步驟(iii)中形成的導電性粘接層為半固化(B-stage)狀態(tài)。

根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選例，所述步驟(ii)的分離型雙層銅箔中，第二銅箔的厚度可以為1至12μm的范圍，所述載體第一銅箔的厚度可以大于第二銅箔的厚度。