[發明專利]在基板與管芯之間包括光敏填料的集成器件封裝有效
| 申請號: | 201580066082.2 | 申請日: | 2015-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN107004612B | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發明(設計)人: | V·諾維斯基;M·P·沙哈;R·庫馬 | 申請(專利權)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 周敏;陳煒 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 管芯 之間 包括 光敏 填料 集成 器件 封裝 | ||
一種包括管芯、基板、填料以及導電互連的集成器件封裝。管芯包括柱,其中柱具有第一柱寬度。基板(例如,封裝基板、中介體)包括介電層和基板互連(例如,表面互連、嵌入式互連)。填料位于管芯與基板之間。導電互連位于填料內。導電互連包括與第一柱寬度大致相同或比其小的第一互連寬度。導電互連被耦合至柱和基板互連。填料是非導電光敏材料。填料是光敏膜。基板互連包括等于或大于第一柱寬度的第二互連寬度。導電互連包括至少糊劑、焊料和/或包括聚合材料的增強型焊料中的一者。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2014年12月12日在美國專利商標局提交的臨時申請號62/091,400以及于2015年1月30日在美國專利商標局提交的非臨時申請號14/610,876的優先權和權益,這兩件申請的全部內容通過援引納入于此。
技術領域
各種特征涉及在基板與管芯之間包括光敏填料的集成器件封裝。
背景技術
圖1解說了包括管芯的集成封裝的常規配置。具體地,圖1解說了包括封裝基板101、管芯103和填料130的集成器件封裝100。封裝基板101包括若干介電層(例如,介電層102)、若干互連(例如,跡線、通孔、焊盤)105和一組焊球115。封裝基板101可包括互連111。互連111可以是位于封裝基板101的表面上(例如,封裝基板的介電層的表面上)的表面互連。互連111可以是跡線和/或焊盤。
如圖1中所示,管芯103通過柱121、焊料123和互連111耦合至封裝基板101。柱121被耦合至管芯103。柱121可以是金屬層(例如,銅柱)。填料130位于封裝基板101與管芯103之間。填料130包裹著柱121、焊料123和互連111。在一些實現中,填料130是糊劑。管芯103通過使用熱壓倒裝芯片(TCFC)工藝耦合至封裝基板101。使用TCFC工藝的結果是其產生橫向拉長的焊料123,如圖1中所示。具體地,拉長的焊料123具有比柱121的寬度和/或互連111的寬度大的橫向寬度。拉長的焊料123在包括高密度、低節距和/或低間距的互連的封裝中是有問題的,因為拉長的焊料123可能與附近的焊料、柱和/或互連形成物理接觸,導致封裝中的短路。
圖2解說了可如何在管芯與封裝基板之間形成焊料的另一示例。如圖2中所示,管芯103通過柱121、焊料200和互連111耦合至封裝基板101。填料230位于封裝基板101與管芯103之間。填料230包裹著柱121、焊料200和互連111。填料230是底部填料。
在圖2中,管芯103通過使用批量回流工藝耦合至封裝基板101。使用批量回流工藝的結果是其也產生橫向拉長的焊料200。具體地,拉長的焊料200具有比柱121的寬度和/或互連111的寬度大的橫向寬度。此外,焊料200耦合至互連111的側面部分(側壁)。拉長的焊料200在包括高密度、低節距和/或低間距的互連的封裝中是有問題的,因為拉長的焊料200可能與附近的焊料、柱和/或互連形成物理接觸,導致封裝中的短路。
圖3解說了可如何在管芯與封裝基板之間形成焊料的又一示例。具體地,圖3解說了管芯103通過柱321、焊料323和互連311耦合至封裝基板301。填料330位于封裝基板301與管芯303之間。填料330包裹著柱321、焊料323和互連311。
柱321具有比互連311的寬度小的寬度。結果所得的柱321與互連311之間的焊料323是具有比柱321的寬度大的寬度的焊料323。這導致不必要的材料(例如,過多焊料323),從而導致集成封裝的較高成本。此外,至少大部分焊料323具有比柱321大的尺寸。
因此,存在對提供這樣一種設計的集成器件封裝的需求,該設計不太可能產生將致使短路的焊料,從而導致較少缺陷的集成器件封裝。理想地,這樣的集成器件封裝將具有更好的設計和形狀因子、更低的成本,同時滿足移動、可穿戴或便攜式計算設備的需求和/或要求。
發明內容
本文所描述的各個特征、裝置和方法涉及包括基板與管芯之間的光敏填料的集成器件封裝。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





