[發明專利]使用通過溶液工序形成的電荷生成層的發光元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201580065908.3
• 申請日: 2015-12-03
• 公開（公告）號: CN107112424B
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 張震;金孝敃;金訂基
• 申請（專利權）人: 慶熙大學校產學協力團
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊貝貝;臧建明

本發明公開一種使用通過溶液工序形成的電荷生成層的發光元件及其制造方法。根據本本發明，發光元件包括陽極、陰極、發光層及電荷生成層，其特征在于：所述電荷生成層是通過溶液工序由有機半導體形成的p型層及由氧化物半導體形成的n型層構成的疊層(layer?by?layer)結構。

技術領域

本發明涉及使用通過溶液工序形成的電荷生成層的發光元件及其制造方法。

背景技術

目前在為制造高性能的有機及量子點發光二極管而進行開發。其中電子的生成與輸送是非常重要的部分。

對于典型的電子輸送層來講，有機發光二極管的情況下使用TPBi、Bphen、TmPyPb等低分子層，量子點發光二極管的情況下使用氧化物層，然而電子的注入與移動方面存在局限性。

通常，有機發光二極管的情況下，組合電荷生成層使只能進行真空沉積工序的NPD或TCTA與HAT-CN形成疊層(layer-by-layer)并使用，即普遍采用減少與下個輸送層之間的能障且使之再排列的技術。這種基于插入電荷生成層的結果只能通過真空沉積實現。

將這種基于真空沉積工序的電荷生成層組合作為疊層(layer-by-layer)使用的情況下必須具備超高真空設備。

真空沉積工序具有大面積工序時基板能夠彎曲的缺點，這種方式的電荷生成層實際上需要預熱、沉積、冷卻的過程等一個小時的時間。因此需要能夠確保電荷生成層的特性且能夠進行大面積工序、低溫工序的其他方法。

發明內容

技術問題

本發明為解決上述技術問題，旨在提供一種能夠縮短工序時間，使用不受基板的半導體特性的限制的通過溶液工序形成的電荷生成層的發光元件及其制造方法。

技術方案

本發明為了解決上述技術問題，根據本發明一實施例，提供一種發光元件，包括陽極、陰極、發光層及電荷生成層，其特征在于：所述電荷生成層是通過溶液工序由有機半導體形成的p型層及由氧化物半導體形成的n型層構成的疊層(layer-by-layer)結構。

所述有機半導體可以是PEDOT：PSS、向所述PEDOT：PSS混合了添加物的物質中的至少一種。

所述添加物可包括氧化鎢、氧化石墨(GO)、碳納米管(CNT)、氧化鉬(MoO_x)、氧化釩(V₂O₅)、氧化鎳(NiO_x)中的至少一種。

所述添加物可以按5至50體積％混合于所述PEDOT：PSS。

所述氧化物半導體可以是氧化鋅(ZnO)或向所述氧化鋅摻雜了Al、Li、Cs、Ca及Mg的物質中的至少一種。

摻雜到所述氧化鋅的物質的含量相對于所述氧化鋅的范圍可以是0.1至30原子％。

所述p型層與所述n型層的厚度比可以是1∶0.5至1∶2。

所述發光層可以是低分子有機物質。

所述發光層可以是具有量子點的無機物質。

根據本發明的另一方面，提供一種有機發光二極管制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成陽極的步驟；在所述陽極上形成通過溶液工序依次形成的n型層與p型層構成的疊層結構的電荷生成層的步驟；在所述電荷生成層上形成由低分子有機物質構成的發光層的步驟；在所述發光層上形成電子輸送層的步驟；及在所述電子輸送層上形成陰極的步驟，所述n型層由氧化物半導體形成，所述p型層由有機半導體形成。