[發(fā)明專利]使用通過溶液工序形成的電荷生成層的發(fā)光元件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580065908.3 | 申請日： | 2015-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN107112424B | 公開（公告）日： | 2019-02-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張震;金孝敃;金訂基 | 申請（專利權(quán)）人： | 慶熙大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán) |
| 主分類號： | H01L51/50 | 分類號： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 楊貝貝;臧建明 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 使用 通過 溶液 工序 形成 電荷 生成 發(fā)光 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光元件，包括陽極、形成于所述陽極上的電荷生成層、形成于所述電荷生成層上的發(fā)光層、形成于所述發(fā)光層上的電子輸送層及形成于所述電子輸送層上的陰極，其特征在于：
所述電荷生成層是通過溶液工序由有機(jī)半導(dǎo)體形成的p型層及由氧化物半導(dǎo)體形成的n型層構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)，
所述有機(jī)半導(dǎo)體為PEDOT:PSS及向所述PEDOT:PSS混合了添加物的物質(zhì)中的至少一種，
所述添加物包括氧化鎢、氧化石墨、碳納米管、氧化鉬、氧化釩及氧化鎳中的至少一種，
所述氧化物半導(dǎo)體為氧化鋅或向所述氧化鋅摻雜了Al、Li、Cs、Ca及Mg的物質(zhì)中的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于：
所述添加物按5至50體積％混合于所述PEDOT:PSS。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于：
摻雜到所述氧化鋅的物質(zhì)的含量相對于所述氧化鋅的范圍為0.1至30原子％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于：
所述p型層與所述n型層的厚度比為1:0.5至1:2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于：
所述發(fā)光層為低分子有機(jī)物質(zhì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于：
所述發(fā)光層為具有量子點(diǎn)的無機(jī)物質(zhì)。
7.一種有機(jī)發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成陽極的步驟；
在所述陽極上形成通過溶液工序依次形成的n型層與p型層構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)的電荷生成層的步驟；
在所述電荷生成層上形成由低分子有機(jī)物質(zhì)構(gòu)成的發(fā)光層的步驟；
在所述發(fā)光層上形成電子輸送層的步驟；及
在所述電子輸送層上形成陰極的步驟，
所述n型層由氧化物半導(dǎo)體形成，所述p型層由有機(jī)半導(dǎo)體形成，
所述有機(jī)半導(dǎo)體為PEDOT:PSS及向所述PEDOT:PSS混合了添加物的物質(zhì)中至少一種，
所述添加物包括氧化鎢、氧化石墨、碳納米管、氧化鉬、氧化釩及氧化鎳中的至少一種，
所述氧化物半導(dǎo)體為氧化鋅或向所述氧化鋅摻雜了Al、Li、Cs、Ca及Mg的物質(zhì)中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管制造方法，其特征在于：
摻雜到所述氧化鋅的物質(zhì)的含量相對于所述氧化鋅的范圍為10至20原子％。
9.一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成陰極的步驟；
在所述陰極上形成通過溶液工序依次形成的p型層與n型層構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)的電荷生成層的步驟；
在所述電荷生成層上形成由具有量子點(diǎn)的無機(jī)物質(zhì)構(gòu)成的發(fā)光層的步驟；在所述發(fā)光層上形成空穴輸送層的步驟；及
在所述空穴輸送層上形成陽極的步驟，
所述p型層由有機(jī)半導(dǎo)體形成，所述n型層由氧化物半導(dǎo)體形成，
所述有機(jī)半導(dǎo)體為PEDOT:PSS及向所述PEDOT:PSS混合了添加物的物質(zhì)中至少一種，
所述添加物包括氧化鎢、氧化石墨、碳納米管、氧化鉬、氧化釩及氧化鎳中的至少一種，
所述氧化物半導(dǎo)體為氧化鋅或向所述氧化鋅摻雜了Al、Li、Cs、Ca及Mg的物質(zhì)中的至少一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管制造方法，其特征在于：
摻雜到所述氧化鋅的物質(zhì)的含量相對于所述氧化鋅的范圍為0.1至5原子％。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
