[發明專利]使用通過溶液工序形成的電荷生成層的發光元件及其制造方法有效
| 申請號： | 201580065908.3 | 申請日： | 2015-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN107112424B | 公開（公告）日： | 2019-02-05 |
| 發明（設計）人： | 張震;金孝敃;金訂基 | 申請（專利權）人： | 慶熙大學校產學協力團 |
| 主分類號： | H01L51/50 | 分類號： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 楊貝貝;臧建明 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 使用 通過 溶液 工序 形成 電荷 生成 發光 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一種發光元件，包括陽極、形成于所述陽極上的電荷生成層、形成于所述電荷生成層上的發光層、形成于所述發光層上的電子輸送層及形成于所述電子輸送層上的陰極，其特征在于：
所述電荷生成層是通過溶液工序由有機半導體形成的p型層及由氧化物半導體形成的n型層構成的疊層結構，
所述有機半導體為PEDOT:PSS及向所述PEDOT:PSS混合了添加物的物質中的至少一種，
所述添加物包括氧化鎢、氧化石墨、碳納米管、氧化鉬、氧化釩及氧化鎳中的至少一種，
所述氧化物半導體為氧化鋅或向所述氧化鋅摻雜了Al、Li、Cs、Ca及Mg的物質中的至少一種。
2.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于：
所述添加物按5至50體積％混合于所述PEDOT:PSS。
3.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于：
摻雜到所述氧化鋅的物質的含量相對于所述氧化鋅的范圍為0.1至30原子％。
4.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于：
所述p型層與所述n型層的厚度比為1:0.5至1:2。
5.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于：
所述發光層為低分子有機物質。
6.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于：
所述發光層為具有量子點的無機物質。
7.一種有機發光二極管制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成陽極的步驟；
在所述陽極上形成通過溶液工序依次形成的n型層與p型層構成的疊層結構的電荷生成層的步驟；
在所述電荷生成層上形成由低分子有機物質構成的發光層的步驟；
在所述發光層上形成電子輸送層的步驟；及
在所述電子輸送層上形成陰極的步驟，
所述n型層由氧化物半導體形成，所述p型層由有機半導體形成，
所述有機半導體為PEDOT:PSS及向所述PEDOT:PSS混合了添加物的物質中至少一種，
所述添加物包括氧化鎢、氧化石墨、碳納米管、氧化鉬、氧化釩及氧化鎳中的至少一種，
所述氧化物半導體為氧化鋅或向所述氧化鋅摻雜了Al、Li、Cs、Ca及Mg的物質中的至少一種。
8.根據權利要求7所述的有機發光二極管制造方法，其特征在于：
摻雜到所述氧化鋅的物質的含量相對于所述氧化鋅的范圍為10至20原子％。
9.一種量子點發光二極管制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成陰極的步驟；
在所述陰極上形成通過溶液工序依次形成的p型層與n型層構成的疊層結構的電荷生成層的步驟；
在所述電荷生成層上形成由具有量子點的無機物質構成的發光層的步驟；在所述發光層上形成空穴輸送層的步驟；及
在所述空穴輸送層上形成陽極的步驟，
所述p型層由有機半導體形成，所述n型層由氧化物半導體形成，
所述有機半導體為PEDOT:PSS及向所述PEDOT:PSS混合了添加物的物質中至少一種，
所述添加物包括氧化鎢、氧化石墨、碳納米管、氧化鉬、氧化釩及氧化鎳中的至少一種，
所述氧化物半導體為氧化鋅或向所述氧化鋅摻雜了Al、Li、Cs、Ca及Mg的物質中的至少一種。
10.根據權利要求9所述的量子點發光二極管制造方法，其特征在于：
摻雜到所述氧化鋅的物質的含量相對于所述氧化鋅的范圍為0.1至5原子％。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
