[發明專利]固體攝像裝置有效
| 申請號: | 201580065606.6 | 申請日: | 2015-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN107004683B | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發明(設計)人: | 長屋勝也;坪內孝史;嶋田遵生子;畠山耕治 | 申請(專利權)人: | JSR株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/14 | 分類號: | H01L27/14;G02B5/22;H04N5/33;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 彭雪瑞;臧建明 |
| 地址: | 日本東京港*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 攝像 裝置 | ||
本發明的課題在于抑制制造成本并提供一種檢測精度高的固體攝像裝置,包括:第1光學層;第2光學層;以及像素陣列,包含第1光接收元件及第2光接收元件;第2光學層在對應于第2光接收元件的部分具有開口部,第1光學層含有在波長750nm~900nm中具有至少一個最大吸收的化合物A,第2光學層含有在波長755nm~1050nm中具有至少一個最大吸收的化合物B,化合物B的最長的波長側的最大吸收波長大于化合物A的最長的波長側的最大吸收波長,且兩者的差為5nm~150nm。
技術領域
本發明涉及一種固體攝像裝置。尤其涉及一種使用雙頻帶通濾波器(Dual BandPass Filter)與近紅外光截止濾波器(Near Infrared Ray Cut Filter)的固體攝像裝置。
背景技術
之前,作為光電轉換裝置,已知有照相機等攝像機器中所使用的固體攝像裝置。固體攝像裝置是在各像素中具備檢測可見光的光接收元件(可見光檢測用傳感器),對應于自外界入射的可見光而產生電信號,并對所述電信號進行處理而形成攝像圖像者。作為光接收元件,廣為人知的是利用半導體工藝所形成的互補金屬氧化物半導體(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor,CMOS)圖像傳感器或電荷耦合元件(Charge CoupledDevice,CCD)圖像傳感器等。
在所述固體攝像裝置中,為了準確地檢測入射至光接收元件中的可見光的強度,也對成為噪聲成分的可見光以外的光進行遮蔽。例如,有在入射光到達光接收元件之前,使用紅外線截止濾波器遮蔽紅外光成分的技術。在此情況下,大致上僅可見光區域的光到達光接收元件,因此可進行噪聲成分比較少的傳感動作。
另一方面,近年來,對固體攝像裝置賦予利用近紅外光的動作捕捉或距離識別(空間識別)等傳感功能的要求提高。作為針對所述要求的技術,正進行將采用飛行時間(Timeof Flight,TOF)方式的距離圖像傳感器組裝至固體攝像裝置中的研究。
所謂TOF方式,是指通過測定自光源輸出的光由攝像對象物反射,至返回為止的時間來測定自光源至攝像對象物為止的距離的技術。在時間的測定中使用光的相位差。即,因在對應于至攝像對象物為止的距離而返回的光中產生相位差,故在TOF方式中,將所述相位差轉換成時間差,并根據所述時間差與光的速度,對于各像素測量至攝像對象物為止的距離。
使用此種TOF方式的固體攝像裝置必須對于各像素檢測可見光的強度與近紅外光的強度,因此必須在各像素中具備可見光檢測用的光接收元件與近紅外光檢測用的光接收元件。例如,作為將可見光檢測用的光接收元件與近紅外光檢測用的光接收元件設置于各像素中的例子,已知有專利文獻1中所記載的技術。
在專利文獻1中記載有一種將包含雙頻帶通濾波器與紅外線通過濾波器的濾光器陣列、及包含RGB像素陣列與TOF像素陣列的像素陣列組合而成的圖像傳感裝置。在專利文獻1中所記載的技術中,利用雙頻帶通濾波器而選擇性地使可見光與紅外線通過,并僅在TOF像素陣列上設置紅外線通過濾波器來使紅外線通過。由此,可見光及紅外線入射至RGB像素陣列中,紅外線入射至TOF像素陣列中,因此可在各個像素陣列中檢測所需的光線。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1日本專利特開2014-103657號公報
發明內容
發明要解決的課題
但是,當使用專利文獻1中所記載的技術時,不僅可見光入射至RGB像素陣列中,紅外線也入射至RGB像素陣列中,因此存在紅外線成為噪聲,無法僅準確地檢測可見光這一問題。另外,在專利文獻1中也揭示有在RGB像素陣列上設置可見光通過濾波器的構成,但在此情況下,必須配置可見光通過濾波器與紅外線通過濾波器兩者,而存在制造成本增加的問題。
本發明是鑒于所述問題而成者,其課題在于抑制制造成本并提供一種檢測精度高的固體攝像裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





