[發明專利]固體攝像裝置有效
| 申請號: | 201580065606.6 | 申請日: | 2015-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN107004683B | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發明(設計)人: | 長屋勝也;坪內孝史;嶋田遵生子;畠山耕治 | 申請(專利權)人: | JSR株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/14 | 分類號: | H01L27/14;G02B5/22;H04N5/33;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 彭雪瑞;臧建明 |
| 地址: | 日本東京港*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 攝像 裝置 | ||
1.一種固體攝像裝置,其包括:
第1光學層,使可見光及近紅外光的至少一部分透過;
第2光學層,吸收近紅外光的至少一部分;以及
像素陣列,包含檢測透過所述第1光學層及所述第2光學層的所述可見光的第1光接收元件、及檢測透過所述第1光學層的所述近紅外光的第2光接收元件;其特征在于:
所述第2光學層在對應于所述第2光接收元件的部分具有開口部,
所述第1光學層含有在波長600nm~900nm中具有至少一個最大吸收的化合物A,
所述第2光學層含有在波長755nm~1050nm中具有至少一個最大吸收的化合物B,
所述化合物B的最長的波長側的最大吸收波長大于所述化合物A的最長的波長側的最大吸收波長,且兩者的差為5nm~150nm。
2.根據權利要求1所述的固體攝像裝置,其特征在于:所述第2光學層吸收透過所述第1光學層的所述近紅外光的至少一部分。
3.根據權利要求1所述的固體攝像裝置,其特征在于:所述第1光學層含有包含所述化合物A的透光性樹脂組合物。
4.根據權利要求1所述的固體攝像裝置,其特征在于:所述第2光學層含有包含所述化合物B的硬化性樹脂組合物。
5.根據權利要求1所述的固體攝像裝置,其特征在于:所述化合物A含有吸收近紅外光的一部分的色素。
6.根據權利要求1所述的固體攝像裝置,其特征在于:所述化合物B在波長820nm~880nm中具有最大吸收。
7.根據權利要求1所述的固體攝像裝置,其特征在于:所述化合物A含有選自由方酸內鎓鹽系化合物、酞菁系化合物、萘酞菁系化合物、克酮鎓系化合物、六元卟啉系化合物及花青系化合物所組成的群組中的至少一種化合物。
8.根據權利要求1所述的固體攝像裝置,其特征在于:所述化合物B含有選自由二亞胺系化合物、方酸內鎓鹽系化合物、花青系化合物、酞菁系化合物、萘酞菁系化合物、夸特銳烯系化合物、銨系化合物、亞胺系化合物、偶氮系化合物、蒽醌系化合物、卟啉系化合物、吡咯并吡咯系化合物、氧雜菁系化合物、克酮鎓系化合物、六元卟啉系化合物、金屬二硫醇系化合物、銅化合物所組成的群組中的至少一種化合物。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





