[發明專利]層疊布線構件及制造方法、油墨、半導體元件和電子設備有效
| 申請號: | 201580065402.2 | 申請日: | 2015-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN107004637B | 公開(公告)日: | 2018-12-25 |
| 發明(設計)人: | 栗原直樹 | 申請(專利權)人: | 出光興產株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 劉慧群 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導體 組合 油墨 層疊 布線 構件 半導體 元件 電子設備 以及 制造 方法 | ||
本發明的導電體是層疊布線構件(1)中的導電性凸部(3),其特征在于,包含導電性材料以及疏液劑,所述導電性材料是金屬粒子,所述疏液劑是形成自組裝單分子膜的含氟化合物,表面能量大于30mN/m且為80mN/m以下。本發明的導電體例如是層疊布線構件(1)中的導電性凸部(3),并作為層疊布線構件(1)中的過孔柱而發揮作用。
技術領域
本發明涉及導體組合物油墨、層疊布線構件、半導體元件和電子設備以及層疊布線構件的制造方法。
背景技術
隔著包含樹脂的絕緣層而配置有2個電極的層疊布線構件,例如,用于半導體晶體管等半導體元件、靜電電容式的觸摸面板傳感器、撓性印刷基板(FPC)那樣的印刷基板等各種器件。在這樣的層疊布線構件中,通常采用如下結構,即,在絕緣層設置接觸孔,在該接觸孔內連接兩電極。
作為設置有接觸孔的絕緣層的形成方法,一直以來使用了將在基板上整個面形成的絕緣膜通過光刻法或蝕刻法等方法來除去絕緣膜的一部分的方法。特別是在半導體晶體管的半導體層使用了有機半導體的有機薄膜晶體管的情況下,半導體層大多缺乏對有機溶劑的耐性,需要作為設置于上部的鈍化層的絕緣膜。此外,在使用了并五苯等低分子有機半導體的情況下,尤其缺乏對有機溶劑的耐性。作為這樣的情況下的鈍化層,研究了以CYTOP為代表的氟系絕緣膜的利用。但是,由于氟系絕緣膜用油墨的表面張力較小,所以通過噴墨法(IJ)、版印刷等方法進行圖案形成是很困難的。因此,需要采用如下方法,即,通過旋涂法等在基板上整個面形成了氟系絕緣膜之后,通過光刻法、蝕刻法等方法來除去氟系絕緣膜的一部分。
為了解決這樣的問題,例如,在專利文獻1中提出了一種方法,即,在導電層上配置成為核(core)的材料,并在其上層疊了膜之后,除去所述膜的核或核的附近部分來形成孔的通孔的形成方法。此外,在專利文獻2中提出了一種方法,即,在基材上形成能夠除去的柱體,在形成有柱體的基材上形成了絕緣層之后,通過除去柱體,從而在絕緣層形成接觸孔。
但是,在這些方法中,也都需要除去核或柱體的工序,擔心核或柱體等的殘渣殘留于接觸孔內。此外,在專利文獻2的方法中,由于柱體形成利用了靜電吸引型液滴噴吐法,因此工序需要時間,生產性有可能出現問題。
在專利文獻3中,提出了一種方法,即,在形成了過孔柱(VIA post)之后使用具有比過孔柱的頭部稍大的非噴吐區域的絲網印版來形成層間絕緣膜。但是,由于使用絲網印刷,所以存在如下問題,即,過孔柱的微細化較難,此外層間絕緣膜的材料也限制于能應用絲網印刷的材料。
在專利文獻4中,提出了一種方法,即,在設置于基板上的布線圖案上,通過噴墨法以端部比中央部突出的形狀直接形成過孔。但是,在本方法中由于使用導電部突出的周緣部,因此存在如下問題,即,隨著所形成的導電部變小,變得不能得到有效的導電面積,或在所有的過孔中完全重現過孔形狀很困難。
在先技術文獻
專利文獻
專利文獻1:JP特開2006-245238號公報
專利文獻2:JP特開2012-186455號公報
專利文獻3:JP特開2006-295116號公報
專利文獻4:JP特開2008-108857號公報
發明內容
發明要解決的課題
本發明的目的在于,提供一種能夠通過簡單的方法來形成絕緣層的過孔柱的層疊布線構件的制造方法、以及導體組合物油墨、層疊布線構件、半導體元件以及電子設備。
用于解決課題的手段
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





