[發明專利]吸附卡盤、倒角研磨裝置、以及硅晶圓的倒角研磨方法

有效

• 申請號: 201580065352.8
• 申請日: 2015-10-05
• 公開（公告）號: CN107210210B
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 鳥居勘太郎
• 申請（專利權）人: 勝高股份有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;B24B9/00;B24B37/30
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張雨;劉林華

本發明提供一種吸附卡盤、倒角研磨裝置、以及硅晶圓的倒角研磨方法，其特征在于，吸附卡盤(11)具備：吸附卡盤臺(111)，具有圓形的吸附面(111A)；吸附保護墊(112)，設置于所述吸附面(111A)，所述吸附面(111A)形成有劃分位于中心側的中央區域(111D)及位于外周側的外周區域(111E)的環狀或圓弧狀的凹部(111C)，且所述中央區域(111D)形成有放射狀的凹部(111F)，所述吸附保護墊(112)具有與所述放射狀的凹部(111F)連通的開口孔(112A)，所述吸附保護墊(112)在除了所述放射狀的凹部(111F)以外的所述中央區域(111D)與所述吸附面(111A)接合。

技術領域

本發明涉及一種吸附卡盤、倒角研磨裝置、以及硅晶圓的倒角研磨方法。

背景技術

大口徑的硅晶圓中，通過雙面研磨使正面和背面作為研磨面的規格成為主流。因此，不只對正面側，對背面側也提高了對污垢或損傷缺陷等的品質的要求。

另一方面，對硅晶圓的倒角部的鏡面品質的要求也提高，且必須實施倒角研磨。通常的倒角研磨中，如圖1所示的倒角研磨裝置1的吸附卡盤2上載置硅晶圓W，通過抽真空將硅晶圓W吸附保持于吸附卡盤2上。然后，在保持于吸附卡盤2的狀態下使硅晶圓W高速旋轉，供給研磨漿料，將具備研磨墊的研磨機構3壓在倒角部，由此研磨倒角部。

該倒角研磨中，將硅晶圓W吸附保持于吸附卡盤2，導致被吸附面產生接觸痕等缺陷而成為課題。

作為解決上述課題的方法，如圖2所示，已知有在吸附面上具有用來抽真空的凹部2A的吸附卡盤臺2B，貼附沿凹部2A的圖案的形狀的吸附保護墊2C的技術。在上述結構的吸附卡盤2中，將硅晶圓W吸附保持于具有柔軟性的吸附保護墊2C上，由此降低對硅晶圓W的被保持面的吸附損傷。

并且，作為與吸附卡盤相關的技術，已公開有設置可撓性的外凸緣，且通過外凸緣來形成吸附面的外周部分的吸附卡盤(參考專利文獻1)。上述專利文獻1所記載的吸附卡盤中，在吸附于吸附面的晶圓的外周施加用于加工的外力，即使晶圓產生撓曲，通過外凸緣形成的吸附面的外周部分會追隨撓曲的晶圓，因此晶圓與吸附面之間不會產生間隙，也不會因此而造成真空狀態被破壞，能夠穩定地保持晶圓。

以往技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2005-311040號公報

發明內容

發明要解決的技術課題

但是，上述專利文獻1的吸附卡盤中，對應可撓性的外凸緣的部位形成有吸附墊的開口部。因此，通過倒角研磨時的外力使晶圓產生撓曲的情況下，外凸緣無法充分地追隨晶圓，外凸緣的吸附墊與晶圓的界面可能會剝落，真空狀態可能會從外凸緣所對應的部位的開口部被破壞。

并且，倒角研磨中，通過研磨漿料存在下的硅晶圓與吸附卡盤的接觸，有硅晶圓的外周區域產生缺陷的問題。

圖3中示出硅晶圓W在倒角研磨后的被吸附面中的LPD(Light Point Def ect)分布圖。圖3中，以菱形表示的部位表示LPD缺陷。

具體而言，如圖3所示，結束倒角研磨的硅晶圓W的被吸附面上，主要會沿著吸附卡盤臺的外周形狀形成缺陷圖案，以上述缺陷圖案為原因而造成的粒子品質惡化或納米拓撲品質惡化成為問題。

本發明的目的在于，提供一種提高硅晶圓的粘附性，抑制硅晶圓的外周區域上產生缺陷的、吸附卡盤、倒角研磨裝置、以及硅晶圓的倒角研磨方法。

用于解決技術課題的手段

上述的倒角研磨時形成于硅晶圓的外周區域的缺陷的產生機制推測如下。