[發明專利]吸附卡盤、倒角研磨裝置、以及硅晶圓的倒角研磨方法有效
| 申請號: | 201580065352.8 | 申請日: | 2015-10-05 |
| 公開(公告)號: | CN107210210B | 公開(公告)日: | 2020-09-01 |
| 發明(設計)人: | 鳥居勘太郎 | 申請(專利權)人: | 勝高股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;B24B9/00;B24B37/30 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張雨;劉林華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 吸附 卡盤 倒角 研磨 裝置 以及 硅晶圓 方法 | ||
1.一種吸附卡盤,其特征在于,具備:
吸附卡盤臺,具有圓形的吸附面;以及
吸附保護墊,設置于所述吸附面,
所述吸附面形成有劃分位于中心側的中央區域及位于外周側的外周區域的環狀或圓弧狀的凹部,且所述中央區域形成有放射狀的凹部,
所述吸附保護墊具有與所述放射狀的凹部連通的開口孔,
所述吸附保護墊在除了所述放射狀的凹部以外的所述中央區域與所述吸附面接合,在所述外周區域不與所述吸附面接合。
2.根據權利要求1所述的吸附卡盤,其特征在于,
所述吸附保護墊為直徑大于或等于所述吸附面的直徑的圓形。
3.一種倒角研磨裝置,其特征在于,
具備權利要求1或2所述的吸附卡盤。
4.一種硅晶圓的倒角研磨方法,將硅晶圓吸附保持于吸附卡盤的吸附保持墊,并研磨所述硅晶圓的倒角部,所述吸附卡盤具備具有圓形吸附面的吸附卡盤臺以及設置于所述吸附面上的所述吸附保持墊,其特征在于,
所述吸附面形成有劃分位于中心側的中央區域及位于外周側的外周區域的環狀或圓弧狀的凹部,且所述中央區域形成有放射狀的凹部,
所述吸附保護墊具有與所述放射狀的凹部連通的開口孔,
所述吸附保護墊在除了所述放射狀的凹部以外的所述中央區域與所述吸附面接合,在所述外周區域不與所述吸附面接合。
5.根據權利要求4所述的硅晶圓的倒角研磨方法,其特征在于,
所述吸附保護墊為直徑大于或等于所述吸附面的直徑的圓形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





