[發(fā)明專利]具有捆扎式觸點的FinFET SRAM

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580065137.8
• 申請日: 2015-11-11
• 公開（公告）號: CN107004680B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: H·楊;N·N·莫江德;S·S·宋
• 申請（專利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/11;H01L29/417
• 代理公司: 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 周敏;陳煒

一種裝置包括第一晶體管的第一鰭(116)以及第二晶體管的第二鰭(118)。該裝置還包括耦合至第一鰭的第一觸點(138)以及耦合至第二鰭的第二觸點(142)。該裝置進一步包括耦合至第一觸點并耦合至第二觸點的捆扎式觸點(164)。

Ⅰ.優(yōu)先權(quán)要求

本申請要求于2014年12月5日提交的題為“STRAPPED CONTACT(捆扎式觸點)”的美國臨時專利申請?zhí)?2/088,249以及于2015年3月26日提交的美國非臨時專利申請?zhí)?4/670,280的優(yōu)先權(quán)，它們的內(nèi)容通過援引全部明確納入于此。

Ⅱ.領(lǐng)域

本公開一般涉及晶體管技術(shù)。

Ⅲ.相關(guān)技術(shù)描述

技術(shù)進步已產(chǎn)生越來越小且越來越強大的計算設(shè)備。例如，當前存在各種各樣的便攜式個人計算設(shè)備，包括較小、輕量且易于由用戶攜帶的無線計算設(shè)備，諸如便攜式無線電話、個人數(shù)字助理(PDA)、平板計算機、以及尋呼設(shè)備。許多此類計算設(shè)備包括被納入其中的其他設(shè)備。例如，無線電話還可包括數(shù)碼相機、數(shù)碼攝像機、數(shù)字記錄器以及音頻文件播放器。同樣，此類計算設(shè)備可處理可執(zhí)行指令，包括軟件應(yīng)用，諸如可被用來接入因特網(wǎng)的web瀏覽器應(yīng)用和利用照相機或攝像機并提供多媒體回放功能性的多媒體應(yīng)用。

電子設(shè)備(諸如無線電話)可包括存儲器，各存儲器包括包含一個或多個存儲器單元的存儲器陣列(例如，靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)陣列)。傳統(tǒng)存儲器陣列可使用相對較大的技術(shù)節(jié)點(例如，16納米(nm)及以上的技術(shù)節(jié)點)來制造。從16nm技術(shù)節(jié)點縮減可存在挑戰(zhàn)。例如，縮放超過16nm技術(shù)節(jié)點(例如，10nm和/或7nm技術(shù)節(jié)點)的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)可使用復(fù)雜器件集成和多(例如，雙或四)掩模圖案化方案來實現(xiàn)較小器件特征。作為非限定性示例，四個掩模可被用來在10nm高密度SRAM陣列中蝕刻用于晶體管源極和漏極區(qū)域的觸點。由此，四個光刻印刷可被用來設(shè)計這四個掩模，這可能增加成本。另外，相對大量的光刻印刷可能使觸點經(jīng)受與源極和漏極區(qū)域的對準誤差。例如，覆蓋四個掩模來執(zhí)行不同蝕刻可增加對準誤差的可能性。

Ⅳ.概述

公開了用于在高密度電路中形成用于源極/漏極區(qū)域的捆扎式觸點的技術(shù)。例如，根據(jù)10nm技術(shù)節(jié)點或7nm技術(shù)節(jié)點制造的邏輯電路可包括相對較小的管芯區(qū)域中的多個晶體管(例如，第一晶體管和毗鄰第二晶體管)。每個晶體管可包括耦合至觸點(例如，金屬觸點或局部互連)的鰭(例如，源極/漏極區(qū)域)。為了形成觸點，可實現(xiàn)雙掩模工藝來將溝槽蝕刻穿過層間電介質(zhì)以暴露鰭，并且該溝槽可用金屬來填充。該雙掩模工藝可包括將光阻材料圖案化在邏輯電路上并且將第一掩模(例如，硬掩模)圖案化在該光阻材料上。可根據(jù)第一掩模來執(zhí)行第一蝕刻工藝以暴露第一晶體管的第一鰭(例如，以形成第一溝槽)。在第一蝕刻工藝之后，第二掩模(例如，硬掩模)可被圖案化在剩余光阻材料上，并且可根據(jù)該第二掩模來執(zhí)行第二蝕刻工藝以暴露第二晶體管的第二鰭(例如，以形成第二溝槽)。第一和第二溝槽可用金屬(例如，鎢、銅、硅化物等)來填充以分別在第一和第二鰭上形成第一和第二觸點。

在形成第一和第二觸點之后，另一光阻材料可被圖案化在邏輯電路上，并且第三掩模(例如，硬掩模)可被圖案化在該光阻材料上。該第三掩模可具有用于暴露第一和第二觸點的開口，并且第三蝕刻工藝可被執(zhí)行以暴露第一和第二觸點(例如，以形成第三溝槽)。該第三溝槽可用金屬來填充以形成將第一觸點耦合至第二觸點的“捆扎式觸點”。如本文所使用的，“捆扎式觸點”是金屬觸點，該金屬觸點使用其他金屬觸點將兩個或更多個鰭直接或間接地電耦合。該捆扎式觸點可在相對較小的管芯區(qū)域中擴展多個晶體管的源極/漏極區(qū)域。

在特定方面，一種裝置包括第一晶體管的第一鰭以及第二晶體管的第二鰭。該裝置還包括耦合至第一鰭的第一觸點以及耦合至第二鰭的第二觸點。該裝置進一步包括耦合至第一觸點并耦合至第二觸點的捆扎式觸點。