[發明專利]立體配線基板的制造方法、立體配線基板、立體配線基板用基材

在審

• 申請號: 201580065134.4
• 申請日: 2015-10-30
• 公開（公告）號: CN107006130A
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發明（設計）人: 道脇茂
• 申請（專利權）人: 名幸電子有限公司
• 主分類號: H05K3/22
• 分類號: H05K3/22;H05K1/02;H05K1/09
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 胡曼

1.一種立體配線基板的制造方法，其特征在于，包括：

準備工序，在該準備工序中，準備具有50％以上的斷裂伸長率的樹脂膜；

第一金屬膜形成工序，在該第一金屬膜形成工序中，在所述樹脂膜的表面上形成第一金屬膜；

圖案形成工序，在該圖案形成工序中，利用光刻法對所述第一金屬膜進行圖案處理，以形成所期望的圖案；

立體成型工序，在該立體成型工序中，對所述樹脂膜進行加熱和加壓，從而進行立體成型；以及

第二金屬膜形成工序，在該第二金屬膜形成工序中，在形成有圖案的所述第一金屬膜上形成第二金屬膜，

在所述第一金屬膜形成工序中，將金屬以粒子狀堆積且調整膜厚，從而將所述第一金屬膜形成疏松狀。

2.如權利要求1所述的立體配線基板的制造方法，其特征在于，

在所述第二金屬膜形成工序中，當所述第一金屬膜產生裂縫時，利用所述第二金屬膜將所述裂縫修復，所述第一金屬膜位于因所述立體成型工序的立體成型而彎曲的所述樹脂膜的彎曲部上。

3.如權利要求2所述的立體配線基板的制造方法，其特征在于，

在所述第二金屬膜形成工序中，將所述第二金屬膜的厚度設定為所述裂縫的寬度的1/2倍以上。

4.如權利要求1至3中任一項所述的立體配線基板的制造方法，其特征在于，

在所述第一金屬膜形成工序中，將銅、銀、鎳、或金、或至少含有這些金屬中的任一種的合金以粒子狀堆積成0.02μm以上且0.20μm以下。

5.如權利要求1至4中任一項所述的立體配線基板的制造方法，其特征在于，

在所述第一金屬膜形成工序中，利用分子接合劑將所述樹脂膜和所述第一金屬膜化學結合。

6.如權利要求5中所述的立體配線基板的制造方法，其特征在于，

所述分子接合劑具有與所述樹脂膜反應的第一官能團及與所述第一金屬膜的金屬反應的第二官能團。

7.如權利要求1至6中任一項所述的立體配線基板的制造方法，其特征在于，

在所述第一金屬膜形成工序中，將所述第一金屬膜形成于所述樹脂膜的兩表面上，

在所述圖案形成工序中，對形成于所述樹脂膜的兩表面上的所述第一金屬膜中的任一個進行圖案處理，

在所述第二金屬膜形成工序中，將所述第二金屬膜形成于圖案處理后的所述第一金屬膜中的任一個。

8.一種立體配線基板，其特征在于，包括：

樹脂膜，該樹脂膜具有立體形狀且具有50％以上的斷裂伸長率；

第一金屬膜，該第一金屬膜形成于所述樹脂膜的表面上，具有所期望的圖案；以及

第二金屬膜，該第二金屬膜形成于所述第一金屬膜上，

所述第一金屬膜的膜厚被調整為能實現金屬以粒子狀堆積形成的疏松狀結構。

9.如權利要求8所述的立體配線基板，其特征在于，

所述第二金屬膜在所述樹脂膜的彎曲部處將所述第一金屬膜上產生的裂縫修復。

10.如權利要求9所述的立體配線基板，其特征在于，

所述第二金屬膜的厚度設定為所述裂縫的寬度的1/2倍以上。

11.如權利要求8至10中任一項所述的立體配線基板，其特征在于，

所述第一金屬膜具有銅以粒子狀堆積成0.02μm以上且0.20μm以下的疏松狀結構。

12.如權利要求8至11中任一項所述的立體配線基板，其特征在于，

在所述樹脂膜和所述第一金屬膜之間具有將所述樹脂膜和所述第一金屬膜化學結合的分子接合劑。

13.如權利要求12所述的立體配線基板，其特征在于，

所述分子接合劑包括與所述樹脂膜反應的第一官能團及與所述第一金屬膜的金屬反應的第二官能團。

14.如權利要求8至13中任一項所述的立體配線基板，其特征在于，

所述第一金屬膜形成于所述樹脂膜的兩表面上。

15.一種立體配線基板用基材，其特征在于，包括：

樹脂膜，該樹脂膜具有50％以上的斷裂伸長率；以及

第一金屬膜，該第一金屬膜形成于所述樹脂膜的表面上，具有所期望的圖案，

所述第一金屬膜的膜厚調整為能實現金屬以粒子狀堆積形成的疏松狀結構。