[發(fā)明專利]電接觸元件、壓入銷、襯套和引線框

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580064936.3
• 申請日: 2015-11-18
• 公開（公告）號: CN107004985A
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 弗蘭克·克魯格;杰拉德·弗雷斯
• 申請（專利權(quán)）人: 賀利氏德國有限責(zé)任兩合公司
• 主分類號: H01R13/03
• 分類號: H01R13/03;H01R12/58;H01R13/10
• 代理公司: 上海晨皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31260
• 代理人: 成麗杰

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電接觸元件。另外，本發(fā)明涉及壓入到襯套中的壓入銷。此外，本發(fā)明涉及壓入銷所壓入到的襯套。此外，本發(fā)明涉及引線框或沖壓框架。

背景技術(shù)

所謂的壓入配合接觸件是現(xiàn)有技術(shù)中已知的。在現(xiàn)有技術(shù)中，壓入銷插入到襯套或接觸凹部或接觸貫穿孔貫穿孔中。壓入配合接觸件通常涂覆有錫或錫合金，其中眾所周知這種類型的涂層具有形成晶須的趨勢。特別是在例如壓力負(fù)載等負(fù)載的存在下這種類型的晶須生長被促進(jìn)。

晶須的電流運(yùn)載容量在mA范圍內(nèi)。雖然在較高電流的情況下晶須有可能燒穿，但即使在此燒穿發(fā)生之前流動的電流仍可能對組件造成損壞和/或造成組件內(nèi)的故障。因此使用含鉛的焊料以便避免此類型的晶須形成，或在電子應(yīng)用的安全性尤其重要的情況下使用。然而這種類型的含鉛材料有害于健康，使得應(yīng)當(dāng)盡可能不使用含鉛焊料。關(guān)于老式交通工具的歐洲議會和理事會的指南2000/53/EC規(guī)定了在機(jī)動車輛中的材料和組件中禁止使用的物質(zhì)和使用物質(zhì)的限制。因此，禁止使用鉛。與限制電氣和電子裝置中某些危險(xiǎn)物質(zhì)的使用相關(guān)的EU指南2002/95/EC(RoHS 1)在很大程度上對鉛的使用設(shè)置了禁令。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供較不容易生長晶須的電接觸元件。本發(fā)明的又一目的是提供壓入到襯套中的壓入銷，其中此壓入配合連接將具有晶須生長的最低可能趨勢。此外，本發(fā)明的目的是提供壓入銷所壓入到的襯套，其中此壓入連接同樣特征在于生長晶須的較小的趨勢。另外，本發(fā)明的目的是進(jìn)一步開發(fā)引線框或沖壓框架，其方式為使得接觸凹部和/或接觸貫穿孔較不容易生長晶須。

此目的根據(jù)本發(fā)明借助于權(quán)利要求1的標(biāo)的物相對于電接觸元件而實(shí)現(xiàn)，借助于技術(shù)方案10的標(biāo)的物相對于被壓入襯套中的壓入銷而實(shí)現(xiàn)，借助于權(quán)利要求11的標(biāo)的物相對于壓入銷所按壓入的襯套而實(shí)現(xiàn)，以及借助于權(quán)利要求12的標(biāo)的物相對于引線框或沖壓框架而實(shí)現(xiàn)。

根據(jù)本發(fā)明的電接觸元件或根據(jù)本發(fā)明的引線框或沖壓框架的有利且適宜的實(shí)施例在從屬的中公開。

根據(jù)本發(fā)明的電接觸元件包括基座主體和至少在一些區(qū)段中覆蓋所述基座主體的涂層，其中所述涂層包括內(nèi)層和外層，其中所述內(nèi)層所述基座主體，且所述外層所述內(nèi)層且至少在一些區(qū)段中形成所述電接觸元件的表面，其中所述內(nèi)層由錫形成且所述外層由銀形成，且所述外層具有50nm到5.0μm的厚度。

因此，所述電接觸元件至少包括基座主體且在一些區(qū)段中包括額外涂層，其中所述涂層由至少兩個(gè)涂層形成。所述基座主體也可由多個(gè)層形成。此外，所述內(nèi)層可施加到鎳層。換句話說，有可能對所述額外涂層提供鎳的下層。

所述涂層包括至少一個(gè)內(nèi)層和一外層，其中所述外層至少在一些區(qū)段中形成所述電接觸元件的表面。換句話說，所述涂層的內(nèi)層提供于所述基座主體與所述涂層的外層之間。所述內(nèi)層由錫形成且所述外層由銀形成，其中銀的外層可具有75nm到2.5μm、特別是80nm到1.0μm、特別是90nm到500nm、特別是100nm到200nm的厚度。

相對于基座主體和錫的內(nèi)層，銀的外層是極薄的。錫是極軟的金屬。在所述電接觸元件被壓入或由另一電接觸元件壓縮時(shí)，極薄的銀外層會與內(nèi)層機(jī)械地混合或整個(gè)混合。已經(jīng)以此方式壓縮或接觸的電接觸元件具有顯著較少的生長晶須的趨勢。

甚至可能將薄的銀外層與錫內(nèi)層的所述涂層描述為僅具有生長晶須的輕微的趨勢的涂層。換句話說，根據(jù)本發(fā)明的所述涂層即使在未壓縮或未壓入狀態(tài)中也具有趨于生長相當(dāng)少晶須的特性。這是由于氧化錫的形成。氧化錫的形成僅通過薄的銀外層而促進(jìn)。

所述內(nèi)層優(yōu)選地為純錫，換句話說由具有最少可能雜質(zhì)的錫形成。所述外層優(yōu)選地由純銀形成，換句話說由具有最少可能雜質(zhì)的銀形成。

所述內(nèi)層可具有0.5μm到10.0μm的厚度。

所述電接觸元件包括用于與另一電接觸元件進(jìn)行電接觸的接觸區(qū)段。在壓入銷的情況下，有可能所述接觸區(qū)段為外圓周表面的一部分。在電接觸元件為導(dǎo)電襯套的情況下，所述接觸區(qū)段可為圓形和/或橢圓形和/或多邊形中空圓柱形區(qū)段的內(nèi)圓周表面。

至少在電接觸元件的接觸區(qū)段中提供具有內(nèi)層和外層的所述涂層。也可能所述涂層完全覆蓋電接觸元件的基座主體。

電接觸元件的基座主體可由銅或基于銅的合金、權(quán)利要求由青銅、權(quán)利要求由銅鎳硅合金形成。根據(jù)本發(fā)明，第一錫層于由基于銅的合金形成的基座主體，其中此錫內(nèi)層上提供外部極薄的銀層。另外，有可能在基于銅的合金與第一錫層之間提供鎳層。基座主體自身可由一種材料或由多個(gè)層形成。因此可能的是基座主體包括鎳層，優(yōu)選地所述涂層的內(nèi)層。