[發(fā)明專利]用于數(shù)據(jù)安全的事件觸發(fā)擦除

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580064663.2
• 申請日: 2015-11-25
• 公開（公告）號: CN107004100B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發(fā)明（設計）人: H·納艾米;S·湯米施瑪;S-L·L·盧
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: G06F21/79
• 分類號: G06F21/79;G11C5/14;G11C7/24;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/16;G11C16/22;G11C11/16
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 王英;張立達

本說明書的一個方面提供了例如響應于檢測到的事件(例如掉電或上電過程)來自動擦除設備的諸如非易失性存儲器的存儲器的至少一部分。在一個實施例中，諸如電磁體的板上擦除輔助設備例如促進敏感數(shù)據(jù)擦除。根據(jù)本說明書的另一方面，通過重置敏感數(shù)據(jù)的位的一部分而不是重置敏感數(shù)據(jù)的所有位，可以實現(xiàn)敏感數(shù)據(jù)擦除的令人滿意的水平。在一個實施例中，被重置以擦除敏感數(shù)據(jù)的位可以在子陣列上隨機分布。本文描述了其它方面。

技術領域

本發(fā)明的某些實施例通常涉及非易失性存儲器。

背景技術

自旋轉移力矩隨機存取存儲器(STTRAM)是一種非易失性的磁阻隨機存取存儲器(MRAM)，并且通常用于諸如高速緩存、存儲器、輔助存儲裝置和其他存儲器應用的存儲器電路。與其他存儲器類型相比，STTRAM存儲器通常可以以降低的功率水平操作并且可能更便宜。

此外，作為非易失性存儲器，存儲在STTRAM存儲器中的數(shù)據(jù)被保留。因此，STTRAM在待機狀態(tài)下甚至在掉電狀態(tài)下保留數(shù)據(jù)。從而，從性能和功率的角度來看，STTRAM是非常有吸引力的。然而，這樣的數(shù)據(jù)保留可能不適用于存儲敏感數(shù)據(jù)，特別是在可能被盜用或以其他方式更容易被未授權用戶訪問的便攜式設備中。

保護敏感數(shù)據(jù)的一種方法是對設備的操作系統(tǒng)進行編程，以將敏感數(shù)據(jù)放在易失性存儲器中。因此，一旦設備進入掉電狀態(tài)，從易失性存儲器中去除電力通常會破壞易失性存儲器中的數(shù)據(jù)，包括被放置在易失性存儲器中的任何敏感數(shù)據(jù)。

另一種方法是提供對諸如蜂窩電話的設備的遠程控制，例如，該蜂窩電話可能已經丟失或不再由擁有者擁有。這樣的遠程控制功能可以允許蜂窩電話的合法擁有者遠程地擦除存儲在電話的存儲器中的數(shù)據(jù)。

附圖說明

在所附的附圖中通過示例而非限制的方式示出了本公開的實施例，在附圖中相同的附圖標記表示相似的元件。

圖1A描繪了根據(jù)本公開實施例說明系統(tǒng)的選定方面的高級框圖。

圖1B描繪了根據(jù)本公開實施例的STTRAM存儲器的基本體系結構。

圖1C-1F描繪了圖1B的STTRAM存儲器的位單元的鐵磁層的各種極化。

圖2A-2B描繪了示出位線(BL)、字線(WL)和源極線(SL)的典型的單晶體管單電阻器(1T1R)器件的示意圖。

圖3是描繪圖2A-2B的單晶體管單電阻器(1T1R)器件的典型讀取和寫入電壓的一個示例的圖表。

圖4A是根據(jù)本公開實施例將用于磁場輔助敏感數(shù)據(jù)擦除的磁場引導經過圖1B的STTRAM存儲器的位單元的子陣列的鐵磁層的示意圖。在該圖中，箭頭表示如下所述的“自由層”的極化。

圖4B是根據(jù)本公開實施例設置在圖1B的STTRAM存儲器的位單元的子陣列上用于將用于磁場輔助敏感數(shù)據(jù)擦除的磁場引導經過該位單元的子陣列的線圈的示意圖。

圖5A是根據(jù)本公開實施例用于磁場輔助敏感數(shù)據(jù)擦除的磁場引導經過圖1B的STTRAM存儲器的位單元的子陣列的鐵磁層的替代實施例的示意圖。再次，在該圖中，箭頭表示如下所述的“自由層”的極化。

圖5B是圖5A的磁場和自由鐵磁層的子陣列的截面圖的示意圖。

圖5C是根據(jù)本公開實施例設置在圖1B的STTRAM存儲器的位單元的子陣列上用于將用于磁場輔助敏感數(shù)據(jù)擦除的磁場引導經過該位單元的子陣列的線圈的替代實施例的示意圖。

圖5D是圖5C的線圈的替代實施例的示意圖。

圖6描繪了根據(jù)本公開實施例用于在存儲器中進行板上設備輔助敏感數(shù)據(jù)擦除的操作示例。

圖7描繪了根據(jù)本公開實施例用于在存儲器中進行磁場輔助敏感數(shù)據(jù)擦除的操作示例。