[發明專利]用于數據安全的事件觸發擦除

有效

• 申請號: 201580064663.2
• 申請日: 2015-11-25
• 公開（公告）號: CN107004100B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: H·納艾米;S·湯米施瑪;S-L·L·盧
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: G06F21/79
• 分類號: G06F21/79;G11C5/14;G11C7/24;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/16;G11C16/22;G11C11/16
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 王英;張立達

1.一種用于數據安全的裝置，包括：

存儲器，其被配置為將敏感信息存儲在所述存儲器的子陣列中；

檢測器，其被配置為檢測安全事件；以及

耦合到所述檢測器和所述存儲器的控制器，所述控制器被配置為保護作為數據存儲在所述存儲器的至少一部分中的敏感信息，包括所述控制器被配置為：響應于所述檢測器檢測到第一安全事件，改變所述敏感信息的所述數據的位，以防止通過讀取所述存儲器的所述部分來恢復所述敏感信息的至少一部分，其中改變所述敏感信息的所述數據的位包括：施加足以翻轉在所述子陣列中隨機分布的弱位單元的位的相對較弱的寫入電流，所述弱位單元隨機分布在所述子陣列中的更強的位單元之間；

耦合到所述控制器的板上擦除輔助裝置，包括電磁線圈，所述控制器被配置為激活所述電磁線圈來輔助改變所述存儲器的所述部分的位單元的狀態，以改變所述敏感信息的所述數據的位從而防止恢復所述敏感信息的至少一部分，其中到所述電磁線圈的驅動電流與將所述子陣列的位單元從平行極化狀態切換到反平行極化狀態的寫入電流至少部分地一致，以便向狀態改變提供磁輔助，其中通過將所述子陣列的一些或全部位單元切換到平行極化狀態或反平行極化狀態來擦除所述敏感信息的位；

其中，所改變的所述敏感信息的所述數據的位占所述敏感信息的百分比取決于應用、數據的靈敏度或用于對日期進行加密的安全算法。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述檢測器被配置為檢測所述裝置的上電狀態和掉電狀態之一的啟動作為安全事件。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述存儲器是非易失性的，并且所述控制器被配置為將寫入電流引導到所述非易失性存儲器，以改變所述敏感信息的所述數據的位從而防止恢復所述敏感信息的至少一部分。

4.根據權利要求3所述的裝置，其中，所述板上擦除輔助裝置是與所述非易失性存儲器的所述部分相鄰布置以便當被激活時引導磁場經過所述非易失性存儲器的所述部分的位單元的電磁體，所述控制器被配置為引導電流經過所述電磁體以激活所述電磁體，以引導磁場經過所述非易失性存儲器的所述部分的位單元，來輔助改變所述非易失性存儲器的所述部分的位單元的狀態，以改變所述敏感信息的所述數據的位從而防止恢復所述敏感信息的至少一部分。

5.根據權利要求3所述的裝置，其中，所述非易失性存儲器是磁阻隨機存取存儲器MRAM。

6.根據權利要求5所述的裝置，其中，所述MRAM是自旋轉移力矩隨機存取存儲器STTRAM。

7.根據權利要求3所述的裝置，其中，所述控制器包括被配置為隨機選擇所述非易失性存儲器的所述部分的位單元的隨機位選擇邏輯，所述控制器被配置為將寫入電流引導到隨機選擇的位單元，并且使用所述寫入電流來改變所述非易失性存儲器的所述部分的所述隨機選擇的位單元的位，從而防止恢復所述敏感信息的至少一部分。