[發明專利]基板保持裝置

有效

• 申請號: 201580064212.9
• 申請日: 2015-11-13
• 公開（公告）號: CN107002238B
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: E.O.P.蘇范;D.克拉森斯;A.博伊德
• 申請（專利權）人: 艾克斯特朗歐洲公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C23C14/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 侯宇

本發明涉及一種用于保持至少一個基板的裝置，所述基板應用于CVD或PVD反應器的處理室中，所述裝置具有平坦的上側，用于至少一個基板(3)的至少一個支承位(2)位于所述上側上，其中，與基板(3)的輪廓相應的輪廓線(7)被定位側邊(5、5′)從側向圍繞，所述定位側邊(5、5′)分別用于固定位置地貼靠基板(3)的邊緣(8)的區段，并且所述裝置還具有從支承位(2)的被輪廓線(7)包圍的支承位底面(14)突伸出的支撐凸起(9)，所述支撐凸起(9)具有相對于支承位底面(14)抬升的放置面(15)，所述基板(3)能夠放置在所述放置面(15)上。為了改進基板的表面溫度的溫度均勻性，本發明建議，所述支撐凸起(9)從支承位底面(14)的凹陷部(20)突起。

技術領域

本發明涉及一種用于保持至少一個基板的裝置，所述基板應用于CVD(化學氣相沉積)或PVD(物理氣相沉積)反應器的處理室中，所述裝置具有平坦的上側，用于至少一個基板的至少一個支承位位于所述上側上，其中，與基板的輪廓相應的輪廓線被定位側邊從側向圍繞，所述定位側邊分別用于固定位置地貼靠基板的邊緣的區段，并且所述裝置還具有從支承位的被輪廓線包圍的支承位底面突伸出的支撐凸起，所述支撐凸起具有相對于支承位底面抬升的放置面，所述基板能夠放置在所述放置面上。

背景技術

由專利文獻US 5,645,646已知這種裝置。該文獻公開了一種支座，該支座具有用于容納基板的支承位，其中，支承位由定位側邊限定，定位側邊圍繞輪廓線，輪廓線相應于基板的輪廓，使得基板能夠以基板邊緣離定位側邊的極小的距離被支承位容納。從支承位的支承位底面伸出多個支撐凸起，基板底側的靠近基板邊緣的區域支撐在支撐凸起上，使得基板架空地放置在支承位底面上。

專利文獻DE 10 2012 108 986公開了一種CVD裝置基板支架，該支架由具有上側和下側的平盤組成。上側具有兜式結構，兜式結構具有分別用于圓形基板的支承位。上側的基座的邊緣區段構成定位側邊用于分別位置固定多個布置在基板支架的上側上的基板中的一個?；宓倪吘壏旁诜蛛x的支撐凸起上，支撐凸起鄰接定位側邊。支撐凸起的伸入支承位的支承面的部段被溝槽圍繞。基座具有三角形基礎輪廓并且能夠定位成六邊形布置的基板。

此外，專利文獻US 6,840,767B2和US 2013/0109192A1也公開了一種具有支承位的基板之間和布置在支承位的支承面中的垂直結構用于基板的點式擱置。

這類基板支架的任務是在CVD或者PVD涂層設備中用作支座。這樣的涂層設備具有具備處理室的反應器，處理室的底部由基板支架的上側構成。基板支架被冷卻或者從下方加熱至處理溫度。處理氣體通過進氣機構導入處理室。CVD反應器中，處理氣體在氣相中在支座上方或者在支座表面上或者說在設置在支座上的基板的表面上進行反應。在此進行表面反應。在此，在基板表面上構成層。析出于此的層的品質和厚度極大程度上取決于基板的表面溫度。因此理想的是在基板上實現最小化的橫向表面溫度梯度。為此，在這類基板支架中，基板僅點式支撐?；宸胖迷谥С形簧?，支承位具有輪廓線，輪廓線位于被基板占去的面之外不遠。定位側邊沿基板的邊緣以極小的距離延伸，以便以此把基板位置固定在支承位上。僅基板的邊緣放置在支撐凸起上。通過該支撐凸起進行從支座到基板的接觸熱量傳遞?；宓拇蟛糠置鎱^域是架空地設置的，就是說以垂直的距離在支承位的底面之上，使得從支承位的底面至基板的底側的熱傳遞基本上通過熱輻射或者通過對流經處于處理室中的運載氣體進行。缺點在于，基板在其支撐凸起上的設置點的區域中加熱程度稍微強于在其他區域中。因而在設置點區域中基板的表面溫度稍微高于在基板的其余區域中。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，采取能夠改進基板的表面溫度的溫度均勻性的措施。

上述技術問題通過權利要求中給出的本發明解決，其中，從屬權利要求不僅呈現獨立權利要求的有利的改進設計方案，也是對現有技術的獨立的改進設計方案。