[發明專利]基板保持裝置有效
| 申請號: | 201580064212.9 | 申請日: | 2015-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN107002238B | 公開(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發明(設計)人: | E.O.P.蘇范;D.克拉森斯;A.博伊德 | 申請(專利權)人: | 艾克斯特朗歐洲公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458;C23C14/50 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 侯宇 |
| 地址: | 德國黑*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保持 裝置 | ||
1.一種用于保持至少一個基板的裝置,所述基板應用于CVD或PVD反應器的處理室中,所述裝置具有平坦的上側,用于至少一個基板(3)的至少一個支承位(2)位于所述上側上,其中,與基板(3)的輪廓相應的輪廓線(7)被定位側邊(5、5′)從側向圍繞,所述定位側邊(5、5′)分別用于固定位置地貼靠基板(3)的邊緣(8)的區段,所述輪廓線(7)包圍在底面水平面上延伸的支承位底面(14),并且所述裝置還具有分別從支承位底面(14)的凹陷部(20)突起的支撐凸起(9),所述支撐凸起(9)具有相對于支承位底面(14)抬升的放置面(15),所述基板(3)能夠放置在基板放置水平面內,所述放置面(15)在該基板放置水平面內延伸,其中,所述支撐凸起(9)分別被具有凹陷水平面的凹陷部(20)環繞,所述凹陷水平面在豎向上距離基板放置水平面比距離底面水平面更遠,其中,所述凹陷部(20)具有位于凹陷水平面內的環形的脊線,所述凹陷部(20)的底部在構成橫截面倒圓的情況下無彎折地過渡至支撐凸起(9)的外壁,所述支撐凸起(9)的外壁還在構成橫截面倒圓的情況下無彎折地過渡至拱曲的放置面(15),其特征在于,所述支撐凸起(9)拱形地從凹陷部底部或者凹陷部脊部延伸直至所述放置面(15)。
2.按照權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述支撐凸起(9)和包圍所述支撐凸起(9)的凹陷部(20)的邊緣位于由所述輪廓線(7)包圍的支承位(2)內,或者所述輪廓線(7)與所述放置面(15)相交。
3.按照權利要求1所述的裝置,其特征在于,設有所述支承位底面(14)的沿所述定位側邊(5、5′)延伸的、構成溝槽(10)的凹空部。
4.按照權利要求3所述的裝置,其特征在于,所述凹陷部(20)是所述溝槽(10)的區段。
5.按照權利要求1所述的裝置,其特征在于,在兩個相鄰的定位側邊(5、5′)之間布置有凹槽(11)。
6.按照權利要求5所述的裝置,其特征在于,溝槽區段(12)在所述凹槽(11)的側壁(11′)和所述支撐凸起(9)的側壁(9′)之間延伸。
7.按照權利要求5所述的裝置,其特征在于,在俯視圖中所述凹槽(11)是半圓形的。
8.按照權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述支撐凸起(9)具有兩個相對置的半圓形的側壁(9′、9″)。
9.按照權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述支撐凸起(9)位于兩個相鄰的基座(4)之間并且具有放置面(15),兩條輪廓線(7)延伸經過所述放置面(15)。
10.按照權利要求9所述的裝置,其特征在于,長形延伸的凹陷部(22)在兩個相鄰的基座(4)之間延伸。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





