[發明專利]用于使用隧道場效應晶體管的密集電路的裝置、方法和系統

有效

• 申請號: 201580063160.3
• 申請日: 2015-11-11
• 公開（公告）號: CN107004444B
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: D·H·莫里斯;U·E·阿維奇;R·里奧斯;I·A·楊
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: G11C11/412
• 分類號: G11C11/412;G11C11/419;H03K3/356
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 高見

1.一種用于使電壓電平移位的電路，所述電路包括：

驅動電路，所述驅動電路與低電壓域相關聯并包括晶體管，其中，所述晶體管響應于輸入信號而被耦合用于將與所述低電壓域相關聯的信號傳遞到所述驅動電路的輸出端子；以及

反饋電路，所述反饋電路與高電壓域相關聯，其中，所述反饋電路的端子耦合至所述驅動電路的所述輸出端子以接收與所述低電壓域相關聯的所述信號，并在以所述高電壓域為基準的端子上產生電壓電平，其中，所述驅動電路的所述晶體管用于不對稱地導通以防止高電壓信號交越到所述低電壓域中。

2.如權利要求1所述的電路，其中，所述反饋電路包括：反饋晶體管，所述反饋晶體管具有直接或間接耦合至高電壓電源的第一端子、耦合至所述驅動電路的所述輸出端子的第二端子以及耦合至與所述高電壓域相關聯的邏輯門的第三端子。

3.如權利要求2所述的電路，其中，所述反饋晶體管是串聯耦合至所述高電壓電源的一對反饋晶體管中的第一反饋晶體管。

4.如權利要求1-3中任一項所述的電路，其中，所述驅動電路的所述晶體管包括P型隧道場效應晶體管(P-TFET)和/或N型隧道場效應晶體管(N-TFET)。

5.如權利要求1所述的電路，其中，所述驅動電路是耦合在低電壓電源與地之間的反相器，并且其中，所述反相器包括與N型隧道場效應晶體管(N-TFET)串聯耦合的P型隧道場效應晶體管(P-TFET)。

6.如權利要求1所述的電路，還包括邏輯防火墻，所述邏輯防火墻耦合至所述反饋電路以允許所述低電壓域的電壓電源關斷。

7.一種系統，包括：

第一電路組件，所述第一電路組件包括高電壓域；

第二電路組件，所述第二電路組件包括低電壓域；以及

驅動電路，所述驅動電路與所述低電壓域相關聯并包括晶體管，其中，所述晶體管響應于輸入信號而被耦合用于將與所述低電壓域相關聯的信號傳遞到所述驅動電路的輸出端子；以及

反饋電路，所述反饋電路與所述高電壓域相關聯，其中，所述反饋電路的端子耦合至所述驅動電路的所述輸出端子以接收與所述低電壓域相關聯的所述信號并產生高電壓信號，其中，所述驅動電路的所述晶體管用于不對稱地導通以防止所述高電壓信號交越到所述低電壓域中。

8.如權利要求7所述的系統，其中，包括所述低電壓域的所述第二電路組件包括存儲器陣列。

9.如權利要求8所述的系統，其中，所述存儲器陣列包括：

多個靜態隨機存取存儲器(SRAM)單元，各自包括交叉耦合的反相器對，所述反相器對包括第一反相器和第二反相器；以及

第三反相器，所述第三反相器耦合至所述交叉耦合的反相器對中的所述第二反相器，所述第三反相器包括互補的第一和第二寫入晶體管，每個寫入晶體管在第一和第二相應柵極處耦合至同一位線以將值寫入存儲節點。