[發明專利]用于使用隧道場效應晶體管的密集電路的裝置、方法和系統

有效

• 申請號: 201580063160.3
• 申請日: 2015-11-11
• 公開（公告）號: CN107004444B
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: D·H·莫里斯;U·E·阿維奇;R·里奧斯;I·A·楊
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: G11C11/412
• 分類號: G11C11/412;G11C11/419;H03K3/356
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 高見

實施例包括用于使電壓電平移位的電路的裝置、方法和系統。所述電路可以包括：第一反相器，所述第一反相器包括被耦合用于傳遞低電壓信號的第一晶體管；以及第二反相器，所述第二反相器被耦合用于接收所述低電壓信號。所述電路還可以包括第二晶體管，所述第二晶體管被耦合用于從所述第二反相器接收所述低電壓信號以用作反饋器件并產生高電壓信號。在實施例中，所述第一晶體管不對稱地導通以防止所述高電壓信號交越到所述低電壓域。還描述了低電壓存儲器陣列。在實施例中，所述用于使電壓電平移位的電路可以輔助在包括低電壓域的低電壓存儲器陣列的邏輯組件與高電壓域的邏輯組件之間的通信。還可以描述另外的實施例。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2014年12月18日提交的題為“APPARATUSES，METHODS，AND SYSTEMSFOR DENSE CIRCUITRY USING TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTORS(使用隧道場效應晶體管的密集電路的裝置、方法和系統)”的美國專利申請14/575,962的優先權。

技術領域

本發明的實施例總體上涉及電子電路的技術領域，更具體地涉及使用具有不對稱導通特性的器件的電路，例如，隧道場效應晶體管(TFET)。

背景技術

本文所提供的背景描述是為了一般地呈現本公開的背景的目的。就在本背景技術部分中的描述而言，當前指定的諸位發明人的工作以及提交日時可以不另外取得現有技術資格的描述的多個方面，既不顯式地也不隱含地承認視為與本公開抵觸的現有技術。除非在本文另外指出，否則在此部分中描述的方法不是對于本公開中的權利要求的現有技術并且也不會因為被包含在此部分中而被承認是現有技術。

在多電源設計中，邏輯電路往往需要跨電壓域的信號。在不同的技術在不同的電源電壓下工作時，低開銷解決方案可能是特別重要的。例如，在集成電路芯片中，包括低電壓分量的存儲器單元可以在與包括較高電壓分量的芯片的其它部分不同的電源電壓下工作。當前的電壓電平移位電路可能是有效的，但是具有相當大的延遲、面積和電力開銷的缺點。此外，當前的電壓電平移位電路還可能需要低電壓電源和高電壓電源兩者來工作。專用于不同的電壓域的區域之間的路由電源線具有挑戰性和低效性。

附圖說明

結合附圖，借助于下面的詳細描述將很容易理解實施例。為了方便本描述，相同的參考標號指代相同的結構元件。在附圖的各圖中通過舉例而非通過限制的方式來展示實施例。

圖1是根據各種實施例的包括具有不對稱導通特性的一個或多個切換器件的電壓電平移位器的電路圖。

圖2是根據各種實施例的包括具有不對稱導通特性的一個或多個切換器件的另一種電壓電平移位器的電路圖。

圖3是根據各種實施例的包括具有不對稱導通特性的一個或多個切換器件的存儲器單元的電路圖。

圖4是根據各種實施例的包括具有不對稱導通特性的一個或多個切換器件的另一種存儲器單元的電路圖。

圖5是根據各種實施例的包括存儲器單元的存儲器陣列的一部分的示例布局，所述存儲器單元類似于圖3的存儲器單元。

圖6是根據各種實施例的包括存儲器單元的存儲器陣列的一部分的示例布局，所述存儲器單元類似于圖4的存儲器單元。

圖7展示了根據各種實施例被配置為采用本文所述的裝置和方法的示例系統。

具體實施方式

在以下詳細描述中，參照形成其一部分并且通過可實踐的說明性實施例示出的附圖，在附圖中，相同的標號指示相同的部件。應當理解的是，在不脫離本公開的范圍的情況下，可以利用其他實施例并且可以做出結構或邏輯改變。因此，以下詳細描述不應被認為具有限制意義，并且實施例的范圍由所附權利要求書及其等效物來限定。