[發(fā)明專利]對單元特定的圖案化的自動光學檢測有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580062636.1 | 申請日: | 2015-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN107004616B | 公開(公告)日: | 2022-03-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | C.畢曉普;V.J.S.博拉;C.M.斯坎倫;T.L.奧爾森 | 申請(專利權)人: | 美國德卡科技公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 胡琪 |
| 地址: | 美國亞*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 單元 特定 圖案 自動 光學 檢測 | ||
1.一種針對從重構晶圓形成的多個獨特半導體封裝的自動光學檢測的方法,包括:
提供形成為所述重構晶圓的一部分的多個半導體管芯;
通過在所述多個半導體管芯中的每個上方形成通過改變每個半導體管芯的完美產品的定義而考慮到動態(tài)圖案的單元特定圖案來形成多個單元特定圖案,其中所述單元特定圖案中的每個被定制為配合其相應的半導體管芯,包括在重構晶圓內的第一半導體管芯上方形成的第一單元特定圖案,以及與第一單元特定圖案不同的第二單元特定圖案,所述第二單元特定圖案在第二半導體管芯上方形成;
通過采集所述重構晶圓內的所述多個單元特定圖案中的每個的圖像來采集多個圖像,包括在第一半導體管芯上方形成的第一單元特定圖案的第一圖像和在第二半導體管芯上方形成的第二單元特定圖案的第二圖像;
通過生成所述重構晶圓內的所述多個單元特定圖案中的每個的獨特參考標準來生成考慮到所述晶圓內的每個獨特半導體封裝上的單元特定圖案以便補償單元特定的圖案化的多個獨特參考標準,包括第一單元特定圖案的第一獨特參考標準和第二單元特定圖案的第二獨特參考標準;
通過針對所述重構晶圓內的所述多個單元特定圖案中的每個將所述多個獨特參考標準中的一者與所述多個圖像中的對應一者進行比較,檢測所述多個單元特定圖案中的缺陷,包括將第一獨特參考標準與第一圖像進行比較以及將第二獨特參考標準與第二圖像進行比較;以及
在檢測所述多個單元特定圖案中的缺陷后,將所述重構晶圓切單處理以形成所述多個獨特半導體封裝。
2.根據(jù)權利要求1所述的自動光學檢測的方法,還包括:
通過將所述多個圖像轉換為多個二進制圖像,針對所述多個單元特定圖案中的每個對所述多個圖像進行預處理,所述多個二進制圖像指示導電路徑和非導電路徑;
生成所述多個獨特參考標準作為多個XY坐標網表;以及
通過針對所述多個單元特定圖案中的每個來將所述多個XY坐標網表中的一者映射到所述多個二進制圖像中的一者上,針對所述多個單元特定圖案中的每個將所述多個XY坐標網表中的一者與所述多個二進制圖像中的對應一者進行比較。
3.根據(jù)權利要求2所述的自動光學檢測的方法,還包括:使用搜索算法或連接性算法在所述二進制圖像的所述導電路徑內找出所述多個網表中的一者的XY坐標之間的路徑,以驗證電連接性。
4.根據(jù)權利要求2所述的自動光學檢測的方法,還包括:使用像素擴展算法或填充算法驗證所述多個網表中的單獨網格并未連接。
5.根據(jù)權利要求1所述的自動光學檢測的方法,還包括:
提供多個計算機輔助設計CAD圖像,所述多個CAD圖像包括與形成在所述多個半導體管芯中的每個上方的所述單元特定圖案中的每個相對應的CAD圖像;以及
通過針對所述多個單元特定圖案中的每個將所述多個CAD圖像光柵化或建模以生成多個動態(tài)參考圖像,生成所述多個獨特參考標準。
6.根據(jù)權利要求5所述的自動光學檢測的方法,還包括:在針對所述多個單元特定圖案中的每個將所述多個動態(tài)參考圖像中的一者與所述多個圖像中的對應一者進行比較以便檢測所述多個單元特定圖案中的缺陷之前,使用階躍響應針對所述多個單元特定圖案中的每個使所述多個CAD圖像光柵化,以生成灰度圖像。
7.根據(jù)權利要求1所述的自動光學檢測的方法,還包括:
提供多個計算機輔助設計CAD圖像,所述多個CAD圖像包括與形成在所述多個半導體管芯中的每個上方的所述單元特定圖案中的每個相對應的CAD圖像;
其中所述多個獨特參考標準包括從所述多個CAD圖像提取的幾何形狀,以便在公共空間中生成提取到的CAD幾何形狀;
其中針對所述多個單元特定圖案中每個的所述多個圖像包括從所述多個圖像提取的幾何形狀,以在所述公共空間中生成提取到的圖像幾何形狀;以及
其中檢測所述多個單元特定圖案中的缺陷包括通過將提取到的CAD幾何形狀與所述公共空間中的所述提取到的圖像幾何形狀進行比較,檢測所述多個單元特定圖案中的缺陷。
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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