[發明專利]存儲器耗損平均

有效

• 申請號: 201580062243.0
• 申請日: 2015-11-02
• 公開（公告）號: CN107003810B
• 公開（公告）日: 2019-01-29
• 發明（設計）人: 馬可·吉凡尼·方塔那;瑪西莫·蒙塔羅
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

本發明涉及用于區段內重新排序的耗損平均的系統及方法，其包含：在存儲器裝置中檢測具有高耗損平均的高耗損子區段，所述子區段駐存于第一區段中；確定所述存儲器裝置的具有低耗損平均的第二區段；將所述第一區段與所述第二區段調換；以及重新排序所述第一區段、所述第二區段或兩者的至少一個子區段的位置。

技術領域

本發明的實施例大體上涉及存儲器裝置的領域，且更特定來說，本發明涉及用于存儲器裝置的耗損平均的系統及方法。

背景技術

計算機系統及其它電系統通常包含一或多個存儲器裝置。舉例來說，計算機通常采用NOR快閃存儲器及NAND快閃存儲器。NOR及NAND快閃存儲器相比于其它存儲器各自具有特定優勢。舉例來說，NOR快閃存儲器的寫入及擦除速度通常比NAND快閃的速度更慢。此外，NAND快閃存儲器通常比NOR快閃存儲器更具有持久性。然而，NOR快閃存儲器通常能夠隨機存取存儲于存儲器裝置內的數據，然而，NAND快閃存儲器通常需要存取及寫入較大群組的數據。舉例來說，NAND快閃存儲器通常包含多個塊，其各自包含多個頁，其中每一頁包含數據的大量字節。在操作中，一次擦除一個塊的數據且一次寫入一頁的數據。

存儲器技術的進步已導致增加的硅區域減少，且同時實現增加的存儲容量。不幸地是，硅結構上的此指數縮減已產生嚴重干擾，影響存儲器單元循環持久性。隨著時間的推移，數據操作(例如，讀取/寫入操作)的匯總可使得存儲器單元降級。舉例來說，NAND存儲器單元具有有限數目個寫入/擦除循環(例如，100,000編程/擦除循環)。

為了延長這些存儲器裝置的壽命，“耗損平均”可應用于跨存儲器的各種物理區段傳播數據。耗損平均通常包含將數據寫入到各種區段以確保均等使用單元而防止存儲器陣列的特定部分過早失效。耗損平均可包含最初將數據寫入到存儲器陣列的各種區段中的一者，或可包含從所述存儲器陣列內的一個物理區段移動數據且將所述相同數據寫入到所述存儲器陣列中的另一物理區段。

一些存儲器技術(例如，頁快閃存儲器)以每一區段(稱為子區段)內的粒化的額外級別為特征。子區段是存儲器的區段內的存儲器的片段。可單獨存取(例如，編程及/或擦除)所述子區段。因此，所述子區段具有單獨循環且因此具有不同于所述存儲器內的其它子區段的耗損。不幸地是，傳統耗損平均技術已不能有效考慮子區段耗損，尤其是在高數據循環應用(例如，頁快閃實施)中，其中循環數目可達數十萬。

附圖說明

圖1是根據實施例描繪具有執行區段內調換的子區段耗損電路的存儲器系統的框圖；

圖2是根據實施例說明用于子區段調換過程的區段的流程圖；

圖3是根據實施例說明用于其中可發生過度循環的子區段調換的區段的示意圖；

圖4是根據實施例說明此區段內調換過程的流程圖；

圖5是根據實施例說明使用圖4的過程的區段內調換的示意圖；

圖6是根據實施例說明中間區段內集束調換過程的流程圖；

圖7是根據實施例說明使用圖6的過程的區段內調換的示意圖；

圖8是根據實施例說明具有再置亂電路的系統的示意圖；

圖9是根據實施例說明具有使用多路復用器(MUX)的再置亂電路的系統的示意圖；且

圖10是根據實施例說明具有使用組合邏輯的再置亂電路的系統的示意圖。

具體實施方式

圖1是描繪存儲器系統(通常標示為參考數字10)的框圖。存儲器系統10可為各種類型中的任何者，例如在計算機、尋呼機、蜂窩式電話、個人記事本、控制電路等等中使用的類型中的任一者。舉例來說，存儲器裝置可為NAND或NOR類型快閃存儲器。系統10包含主裝置12及從裝置14。在一個實施例中，主裝置12可包含微控制器且從裝置14可包含存儲器裝置。