[發(fā)明專利]存儲器耗損平均

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580062243.0
• 申請日: 2015-11-02
• 公開（公告）號: CN107003810B
• 公開（公告）日: 2019-01-29
• 發(fā)明（設計）人: 馬可·吉凡尼·方塔那;瑪西莫·蒙塔羅
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

1.一種存儲器裝置，其包括：

區(qū)段的存儲器陣列，所述區(qū)段具有一或多個子區(qū)段；

控制器，其經配置以經由外圍接口總線接收、傳輸或接收且傳輸數據，其中所述控制器包括耗損平均邏輯，其經配置以：

檢測所述存儲器裝置的具有高耗損級的高耗損子區(qū)段，所述子區(qū)段駐存于第一區(qū)段中；

確定所述存儲器裝置的具有低耗損級的第二區(qū)段；

利用所述第二區(qū)段調換所述第一區(qū)段；且

重新排序所述第一區(qū)段、所述第二區(qū)段或兩者的至少一個子區(qū)段的位置。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述耗損平均邏輯經配置以在利用所述第二區(qū)段調換所述第一區(qū)段的同時重新排序所述至少一個子區(qū)段的所述位置。

3.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述耗損平均邏輯經配置以：

確定所述第二區(qū)段的具有最小耗損級的最小子區(qū)段；

通過利用所述最小子區(qū)段的位置調換所述高耗損子區(qū)段的所述位置而重新排序所述高耗損子區(qū)段的所述位置。

4.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述耗損平均邏輯經配置以：

將所述第一區(qū)段的所有子區(qū)段集束到子區(qū)段集束的第一組內；

將所述第二區(qū)段的所有子區(qū)段集束到子區(qū)段集束的第二組內；且

利用含有具有最小耗損級的最小子區(qū)段的所述子區(qū)段集束的第二組的位置調換含有所述高耗損子區(qū)段的所述子區(qū)段集束的第一組的位置。

5.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述存儲器裝置包括NAND類型快閃存儲器裝置。

6.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述存儲器裝置包括NOR類型快閃存儲器裝置。

7.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其包括：

再置亂邏輯，其經配置以修改所述存儲器陣列的一或多個區(qū)段內地址；及

塊映射單元，其經配置以再映射所述存儲器陣列的一或多個區(qū)段、一或多個子區(qū)段或兩者，其中所述塊映射單元經配置以將配置位提供到所述再置亂邏輯以使得能修改所述一或多個區(qū)段內地址；

其中所述再置亂邏輯用于重新排序所述第一區(qū)段、所述第二區(qū)段或兩者的所述至少一個子區(qū)段的所述位置。

8.根據權利要求7所述的存儲器裝置，其中所述再置亂邏輯包括多路復用器MUX；

其中所述配置位包括多組位，每一組位代表地址修改；且

其中所述MUX經配置以選擇所述多組位中的一者，所述選擇導致由所述多組位的所述所選擇的一者代表的地址修改。

9.根據權利要求7所述的存儲器裝置，其中所述再置亂邏輯包括組合邏輯；

其中所述配置位包括單一組配置位；且

其中所述組合邏輯影響使用所述單一組配置位對區(qū)段內地址的修改。

10.根據權利要求9所述的存儲器裝置，其中所述組合邏輯包括總和組合邏輯。

11.根據權利要求9所述的存儲器裝置，其中所述組合邏輯包括異或XOR組合邏輯。

12.一種用于存儲器裝置的耗損平均的方法，所述方法包括：

在所述存儲器裝置中檢測具有高耗損級的高耗損子區(qū)段，所述子區(qū)段駐存于第一區(qū)段中；

確定所述存儲器裝置的具有低耗損級的第二區(qū)段；

利用所述第二區(qū)段調換所述第一區(qū)段；且

重新排序所述第一區(qū)段、所述第二區(qū)段或兩者的至少一個子區(qū)段的位置。

13.根據權利要求12所述的方法，其包括：

確定所述第二區(qū)段的具有最小耗損級的最小子區(qū)段；且

通過利用所述最小子區(qū)段的位置調換所述高耗損子區(qū)段的所述位置而重新排序所述高耗損子區(qū)段的所述位置。